• 现行
  • 正在执行有效
  • 2015-03-05 颁布
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【正版授权】 IEC 62047-16:2015 EN-FR Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 62047-16:2015 EN-FR
  • 标准名称：半导体器件-微机电器件-第16部分：测定微机电(MEMS)薄膜残余应力的试验方法-晶片曲率和悬臂梁弯曲法
  • 英文名称：Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2015-03-05

文档简介

圆盘曲率法和悬臂梁位移法。

圆盘曲率法主要是通过测量MEMS器件表面圆盘形状的弯曲程度，进而计算出薄膜内部的残余应力。具体操作时，需要使用特殊的测量设备对MEMS器件进行固定，然后通过精密的测量系统记录圆盘形状的弯曲数据，再通过软件分析这些数据来得出薄膜的残余应力。

而悬臂梁位移法则是通过测量MEMS器件中悬臂梁形状的变化，来推算薄膜内部的残余应力。具体操作时，需要将MEMS器件固定在特定的测试环境中，然后通过激光干涉仪等设备测量悬臂梁在外部应力的作用下产生的位移，再通过软件分析这些数据来得出薄膜的残余应力。

这两种方法都是基于物理原理，通过测量MEMS器件在特定环境下的物理变化，来推算出薄膜内部的残余应力。这种方法对于评估MEMS器件的性能和可靠性具有重要意义，因为残余应力是影响MEMS器件性能和稳定性的一个重要因素。在实际应用中，需要根据具体情况选择合适的方法进行测试，以确保测试结果的准确性和可靠性。

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