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文档简介

电子和空穴能级e-h系统哈密顿量为电子和空穴能级为称为l阶球贝塞尔函数的第n阶零位：

.d=0①模型②能量●强限制区域

为空穴相对质心运动轨道半径.量子化能所以e-h间库仑作用可以忽略.因为e-h间库仑作用能量研究表明：量在这种情况下,有效质量的运用会存在问题,量子点可以视为一个大分子.能隙

跃迁定则：e,h对系统基态能量●弱限制区域

电子和空穴形成激子态,激子质心受到限制,作为微扰.●中间限制区域

电子和空穴的相对运动几乎不受到影响.这种情况发生在Cu的卤化物中（或R≥10nm的CdSe量子点中.电子量子化,空穴在由量子点和量子化电子的空间电荷形成的势场中运动.这种情况下,库伦能量与量子化能量具有相同的数量级,这种情况存在II-VI半导体量子点很小）中.空穴可以认为是在强限制域的电子云中运动，并与电子之间发生库仑相互作用.无序系统中激子1.激子局域机制①深势阱中：有效质量较大的空穴局域,

电子经库仑作用束缚于空穴.②宽势阱中：

（激子玻尔半径）

激子整体局域.激子:低能情况下,激子以机制①方式局域.随着能量增加,激子以机制②方式局域,直至ME.在ME之上为扩展态激子（性质接近有序材料中自由粒子）.●由于基态显著的非均匀加宽，故激子难以观察到.●由于重粒子容易局域,因此在混合阴离子的离子键半导体材料,如说明：●只要尾参数比能隙小得多,仍然可以用有效质量近似描述局域态激子.中激子比混合阳离子的离子键中激子更容易●在共价键半导体材料中,导带和价带共同产生局域激子,如α-Si,中电子与空穴的质量相对较低,因此局域激子困难,即尾参数和态密度都小.有效质量意味着半导体

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