MOOC 模拟电子技术-北京交通大学 中国大学慕课答案

MOOC模拟电子技术-北京交通大学中国大学慕课答案第2章作业题2-1，2-2，2-3，2-4，2-5第2章测试1、问题：N型半导体是在本征半导体中掺入（）选项：A、五价元素B、四价元素C、三价元素D、二价元素正确答案:【五价元素】2、问题：P型半导体是在本征半导体中掺入（）选项：A、五价元素B、四价元素C、三价元素D、二价元素正确答案:【三价元素】3、问题：当温度升高时，二极管的反向饱和电流会（）。选项：A、增大B、减小C、不变D、随机态正确答案:【增大】4、问题：当温度升高时，二极管导通压降会（）。选项：A、增大B、减小C、不变D、随机态正确答案:【减小】5、问题：PN结电容包括（）。选项：A、势垒电容和扩散电容B、耦合电容和旁路电容C、垒电容和耦合电容D、散电容和旁路电容正确答案:【势垒电容和扩散电容】6、问题：本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：P型半导体带正电，N型半导体带负电。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第3章作业：题3-1，3-2，3-3，3-4第3章作业：题3-5，3-6，3-7，3-8第3章作业：题3-9，3-10，3-11第3章测试(题库中有55题，每次随机抽取15题）1、问题：晶体三极管工作在放大区时，具有如下特点选项：A、发射结正偏，集电结反偏。B、发射结反偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结正偏。D、发射结反偏，集电结反偏。正确答案:【发射结正偏，集电结反偏。】2、问题：晶体三极管工作在饱和区时，具有如下特点选项：A、发射结正偏，集电结反偏。B、发射结反偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结正偏。D、发射结反偏，集电结反偏。正确答案:【发射结正偏，集电结正偏。】3、问题：在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。选项：A、共射B、共集C、共基D、不确定，取决于外围电路。正确答案:【共集】4、问题：对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为______。选项：A、RB开路B、RC开路C、RB短路D、RB过小正确答案:【RB开路】5、问题：对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈0时，有可能是因为________。选项：A、RB开路B、RC开路C、RB短路D、RB过小正确答案:【RB过小】6、问题：对于下图所示放大电路，当VCC=12V，RC=2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA。用直流电压表测时UCE=8V，这说明______。选项：A、电路工作正常B、三极管工作不正常C、电容Ci短路D、电容Co短路正确答案:【电容Co短路】7、问题：对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，仅当RB增大时，UCEQ将______。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【增大】8、问题：对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅当RC减小时，UCEQ将______。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【增大】9、问题：对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅当RL增大时，UCEQ将______。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【不变】10、问题：对于下图所示放大电路，若其它电路参数不变，若仅更换一个β较小的三极管时，UCEQ将______。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【增大】11、问题：对于下图所示放大电路中，输入电压ui为余弦信号，若输入耦合电容Ci短路，则该电路______。选项：A、正常放大B、出现饱和失真C、出现截止失真D、不确定正确答案:【出现截止失真】12、问题：对于NPN管组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_______失真。选项：A、顶部B、低部C、顶部和底部D、不确定正确答案:【低部】13、问题：当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将________。选项：A、正半波削波B、负半波削波C、双向削波D、不削波正确答案:【不削波】14、问题：当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则集电极电流iC的波形将_________。选项：A、正半波削波B、负半波削波C、双向削波D、不削波正确答案:【正半波削波】15、问题：当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则输出电压uo的波形将________。选项：A、正半波削波B、负半波削波C、双向削波D、不削波正确答案:【正半波削波】16、问题：当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将___________。选项：A、正半波削波B、负半波削波C、双向削波D、不削波正确答案:【不削波】17、问题：当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则集电极电流iC的波形将__________。选项：A、正半波削波B、负半波削波C、双向削波D、不削波正确答案:【正半波削波】18、问题：当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则输出电压uo的波形将________。选项：A、正半波削波B、负半波削波C、双向削波D、不削波正确答案:【负半波削波】19、问题：为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入________。选项：A、共射电路B、共集电路C、共基电路D、任何一种组态的电路正确答案:【共集电路】20、问题：为了使一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路的后面接入_____________。选项：A、共射电路B、共集电路C、共基电路D、任何一种组态的电路正确答案:【共基电路】21、问题：在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当为CE组态电路时，ui和uo的相位_________。选项：A、同相B、反相C、相差90oD、不确定正确答案:【反相】22、问题：在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当CC电路时，，ui和uo的相位_________。选项：A、同相B、反相C、相差90oD、不确定正确答案:【同相】23、问题：在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当CB电路时，，ui和uo的相位________。选项：A、同相B、反相C、相差90oD、不确定正确答案:【同相】24、问题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_______组态。选项：A、共射B、共集C、共基D、任意组态正确答案:【共集】25、问题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是________组态。选项：A、共射B、共集C、共基D、任意组态正确答案:【共集】26、问题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最大的是________组态。选项：A、共射B、共集C、共基D、任意组态正确答案:【共基】27、问题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最大的是________组态。选项：A、共射B、共集C、共基D、任意组态正确答案:【共基】28、问题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是________组态。选项：A、共射B、共集C、共基D、任意组态正确答案:【共集】29、问题：可以放大电压又能放大电流的是_________组态放大电路。选项：A、共射B、共集C、共基D、任意组态正确答案:【共射】30、问题：可以放大电压但不能放大电流的是_________组态放大电路选项：A、CEB、CCC、CBD、任意组态正确答案:【CB】31、问题：可以放大电流但不能放大电压的是_________组态放大电路。选项：A、CEB、CCC、CBD、任意组态正确答案:【CC】32、问题：能够进行功率放大的是___________组态放大电路。选项：A、CEB、CCC、CBD、任意组态正确答案:【任意组态】33、问题：放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在__________电容。选项：A、耦合B、旁路C、耦合电容和旁路电容D、晶体三极管极间正确答案:【耦合电容和旁路电容】34、问题：放大电路在高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在_________电容。选项：A、耦合电容B、旁路电容C、耦合电容和旁路电容D、晶体三极管极间正确答案:【晶体三极管极间】35、问题：晶体三极管的特征频率fT点对应的β为_______。选项：A、β=1B、β=0.707C、β=0.5D、β=3正确答案:【β=1】36、问题：某晶体三极管的带宽增益积为1MHz。如果输入信号为单一频率的余弦波，电路能够进行信号放大的最高频率为_________。选项：A、1MHzB、2MHzC、500kHzD、700kHz正确答案:【1MHz】37、问题：利用单一频率的余弦信号进行测试某放大电路，测试结果是：低频增益为AU，提高输入信号频率，频率f1时信号增益为0.707AU，继续提高输入信号频率，频率f2时信号增益为0.5AU，频率f3时信号增益为0.1AU。电路的通频带宽为__________。选项：A、f1B、f2C、f3D、0.707f1正确答案:【f1】38、问题：为了简化分析过程，分析下图电路的低频特性时，可以忽略_________的影响。选项：A、CiB、Ci和CoC、晶体三极管极间电容D、Ci、Co和晶体三极管极间电容正确答案:【晶体三极管极间电容】39、问题：为了简化分析过程，分析下图电路的中频特性时，忽略_________的影响。选项：A、CoB、Ci和CoC、Ci、Co和晶体三极管极间电容D、晶体三极管极间电容正确答案:【Ci、Co和晶体三极管极间电容】40、问题：为了简化分析过程，分析下图电路的高频特性时，可忽略_________影响。选项：A、CiB、Ci和CoC、晶体三极管极间电容D、Ci、Co和发射结极间电容正确答案:【Ci和Co】41、问题：已经晶体三极管的电流大小和方向如下图所示，判断晶体管的类型和CE组态电流增益。选项：A、NPN型晶体三极管，β=150B、PNP型晶体三极管，β=150C、NPN型晶体三极管，β=151D、PNP型晶体三极管，β=151正确答案:【NPN型晶体三极管，β=150】42、问题：已经晶体三极管的电流大小和方向如下图所示，判断晶体管的类型和CE组态电流增益。选项：A、PNP型晶体三极管，β=100B、NPN型晶体三极管，β=100C、NPN型晶体三极管，β=101D、PNP型晶体三极管，β=101正确答案:【PNP型晶体三极管，β=100】43、问题：测得放大电路中处于放大状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型是NPN还是PNP型，判断其是硅管还是锗管。选项：A、NPN型，硅管B、NPN型，锗管C、PNP型，硅管D、PNP型，锗管正确答案:【NPN型，硅管】44、问题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。选项：A、NPN型，锗管B、NPN型，硅管C、PNP型，硅管D、PNP型，锗管正确答案:【NPN型，锗管】45、问题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。选项：A、NPN型，锗管B、NPN型，硅管C、PNP型，硅管D、PNP型，锗管正确答案:【PNP型，硅管】46、问题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。选项：A、NPN型，锗管B、NPN型，硅管C、PNP型，硅管D、PNP型，锗管正确答案:【PNP型，锗管】47、问题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。选项：A、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1C、发射极、基极、集电极分别是P1、P2、P3D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2正确答案:【发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2】48、问题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。选项：A、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2正确答案:【发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1】49、问题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如图T3.2-44所示。判断晶体三极管的是三个电极。选项：A、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2正确答案:【发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2】50、问题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。选项：A、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1B、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2正确答案:【发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1】51、问题：晶体三极管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】52、问题：晶体三极管在放大状态下，发射集电流主要是由扩散电流组成。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】53、问题：晶体三极管是电流控制元件。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】54、问题：所有组态晶体三极管单管放大电路都可以进行功率放大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】55、问题：放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载电阻无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第四章作业4-1，4-2，4.3第4章作业：题4.4、4.5、4.6第4章测试1、问题：场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。选项：A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压正确答案:【栅源电压】2、问题：增强型NMOS管的开启电压（）。选项：A、大于零B、小于零C、等于零D、大于零或等于零正确答案:【大于零】3、问题：增强型PMOS管的开启电压（）。选项：A、大于零B、小于零C、等于零D、小于零或等于零正确答案:【小于零】4、问题：（）场效应管不能采用自偏压电路。选项：A、增强型B、耗尽型C、结型D、增强型和耗尽型正确答案:【增强型】5、问题：共漏极放大电路的电压增益不能超过（）。选项：A、1.0B、2.0C、10D、100正确答案:【1.0】6、问题：某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。选项：A、N沟道结型管B、增强型PMOS管C、耗尽型PMOS管D、耗尽型NMOS管正确答案:【耗尽型PMOS管】7、问题：场效应管的低频跨导gm是常数。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：结型场效应管发生预夹断后，管子关断，电流为零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是提高电路的输入电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：增强型PMOS管的开启电压大于零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第5章题5-1,5-2,5-3,5-4,5-5,5-6,5-7,5-8第5章测试1、问题：当信号频率等于放大电路的下限截止频率fL或上限截止频率fH时，放大倍数下降到中频时的0.7倍，此时增益下降（）dB。选项：A、3dBB、-3dBC、0.707dBD、-0.7075dB正确答案:【3dB】2、问题：BJT放大电路工作在高频状态时，造成放大倍数下降的主要原因是（）。选项：A、输出耦合电容B、旁路电容C、晶体管结电容D、输入耦合电容正确答案:【晶体管结电容】3、问题：特征频率fT表示BJT丧失电流放大能力时的极限频率，此时β=（）。选项：A、0.5B、1C、0.707D、3正确答案:【1】4、问题：共射截频fβ为共射电流放大系数对应的截止频率，共基截频fα为共基电流放大系数对应的截止频率，两者的关系为（）。选项：A、fαfβB、fαfβC、fα=fβD、不确定正确答案:【fαfβ】5、问题：将多个单级放大电路级联起来构成多级放大电路，通常情况下多级放大电路的增益（）了，通频带（）了。选项：A、提高、变宽B、提高、变窄C、降低、变宽D、降低、变窄正确答案:【提高、变窄】6、问题：共射-共基组合电路高频特性好于共射电路的原因是（）。选项：A、共射电路电压增益高B、共射电路电流增益高C、共基电路输入电阻小D、共基电路输出电阻高正确答案:【共基电路输入电阻小】7、问题：在使用作图法描述放大电路的频率响应特性时，横坐标对频率的对数采用线性刻度，纵坐标对增益的对数值采用线性刻度，这种特性曲线称为（）。选项：A、波特图B、伏安特性曲线C、频率特性曲线D、时域特性曲线正确答案:【波特图】8、问题：相频特性波特图作图时，每个零点对相频特性的贡献为（）。选项：A、45度B、90度C、135度D、180度正确答案:【90度】9、问题：在中频增益曲线中，fL为低频截止频率，fH为高频截止频率，放大电路的带宽为：BW=（）。选项：A、fH–fLB、fL-fHC、fHD、fH正确答案:【fH–fL】10、问题：为了简化高频混合π模型，可以使用（）将双向传输模型变为单向传输模型。选项：A、戴维南定理B、戴维南定理C、密勒定理D、摩尔定理正确答案:【密勒定理】第6章作业题6-1、6-3第6章作业题6-2、6-4、6-5、6-6第6章测试1、问题：欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。选项：A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈D、电压并联负反馈正确答案:【电流并联负反馈】2、问题：在输入量不变的情况下，若引入反馈后，（）则说明引入的反馈是负反馈。选项：A、输入电阻增大B、输出量增大C、净输入量增大D、净输入量减小正确答案:【净输入量减小】3、问题：负反馈放大电路产生自激的条件是（）。选项：A、AB=1B、AB=-1C、AB=0D、AB=￥正确答案:【AB=-1】4、问题：在深度负反馈放大电路中，若开环放大倍数A增加一倍，则闭环增益Af将（）。选项：A、基本不变B、增加一倍C、减小一倍D、不能确定正确答案:【基本不变】5、问题：负反馈所能够抑制的干扰和噪声是（）。选项：A、外界对输入信号的干扰和噪声B、外界对输出信号的干扰和噪声C、反馈环内的干扰和噪声D、反馈环外的干扰和噪声正确答案:【反馈环内的干扰和噪声】6、问题：只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：反馈量仅仅决定于输出量。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：电路中引入负反馈后，只能减小非线性失真，而不能消除失真。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第7章作业：题7-1、7-2第7章作业：题7-3、7-4、7-5、7-6第7章作业：题7-7、7-8第7章测试1、问题：典型的长尾式差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是___________。选项：A、提高输入电阻B、提高差模电压增益C、提高共模电压增益D、提高共模抑制比正确答案:【提高共模抑制比】2、问题：放大电路产生零漂的主要原因是________________。选项：A、环境温度变化B、采用阻容耦合方式C、采用变压器耦合方式D、电压倍数过大正确答案:【环境温度变化】3、问题：场效应管集成放大电路较晶体管集成放大电路的优点之一是_____________。选项：A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小正确答案:【输入电阻大】4、问题：在模拟集成放大电路中，电流源的主要作用是_______和_______。选项：A、有源负载B、偏置电路C、信号源D、补偿电路正确答案:【有源负载#偏置电路】5、问题：在采用直接耦合方式的模拟集成放大电路中，影响零漂最严重的一级是____________，零点漂移最大的一级是____________。选项：A、输入级B、中间级C、输出级D、直流偏置电路正确答案:【输入级#输出级】6、问题：晶体管集成放大电路较场效应管集成放大电路的特点有____________和__________。选项：A、功耗大B、功耗小C、速度高D、速度低正确答案:【功耗大#速度高】7、问题：实际的差分放大电路输入电压为零时，输出电压也为零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：为改善差放的某些特性，可采用组合差放电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：集成电路中间级连接方式多采用阻容耦合。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：集成运算放大器的输入级多采用差分放大的形式。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第8章作业：题8-1、8-2、8-3、8-4第8章作业：题8-5、8-6、8-7第8章测试题1、问题：理想运算放大器的主要条件是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：理想运算放大器在线性运用时具有“虚断”特性是指（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：理想运算放大器在线性运用时具有“虚断”特性是指（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：运算放大器组成运算电路必须构成（）电路。选项：A、负反馈B、正反馈C、开环D、同时具有负反馈和正反馈。正确答案:【负反馈】5、问题：运算放大器组成电压比较电路应构成（）电路。选项：A、开环或正反馈B、负反馈C、线性D、同时具有负反馈和正反馈。正确答案:【开环或正反馈】6、问题：欲用运放实现电压放大倍数Au=-100最简单应该选用（）电路。选项：A、反相比例运算B、同相比例运算C、加法D、减法正确答案:【反相比例运算】7、问题：欲用运放实现电压放大倍数Au=+100最简单应该选用（）电路。选项：A、同相比例运算B、反相比例运算C、加法D、减法正确答案:【同相比例运算】8、问题：如自测题8-8图所示电路的输出电压为（）。选项：A、1VB、-1VC、0VD、∞正确答案:【1V】9、问题：如自测题8-9图所示电路的输出电压波形为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】10、问题：如自测题8-10图所示电路的输出电压波形为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】11、问题：运算电路中集成运放一般工作在线性区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：只要是理想运算放大器，不论是工作在线性状态还是非线性状态，其反相输入端和同相输入端基本不从信号源索取电流。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：单限比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：虚短是指集成运放两个输入端短路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】15、问题：反相比例运算电路输入电阻很大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第9章作业：题9-1,9-2,9-3,9-4第9章测验1、问题：在单相半波整流电路中，已知u2=√2U2sinωt，脉动电压uo在一个周期内的平均值Uo(AV)≈（），二极管承受的最高反向电压为（）。选项：A、0.9U2，2√2U2B、0.45U2，√2U2C、0.9U2，√2U2D、0.45U2，2√2U2正确答案:【0.45U2，√2U2】2、问题：在单相全波整流电路中，输出电压平均值Uo(AV)≈()，二极管承受的最高反向电压为().选项：A、0.9U2，2√2U2B、0.45U2，√2U2C、0.9U2，√2U2D、0.45U2，2√2U2正确答案:【0.9U2，2√2U2】3、问题：在单相桥式整流电路中，输出电压平均值Uo(AV)≈()，VD1、VD3导通，VD2、VD4截止时，VD2、VD4所承受的最大反向电压为（）。选项：A、0.9U2，2√2U2B、5U2，√2U2C、0.9U2，√2U2D、0.45U2，2√2U2正确答案:【0.9U2，√2U2】4、问题：在电容滤波电路中，当C一定，RL=∞即空载时，输出电压平均值Uo(AV)≈()。选项：A、1.2U2B、1.4U2C、0.9U2D、2.8U2正确答案:【1.4U2】5、问题：由于稳压管的功率较小，且稳压管稳压电路稳定电压是由稳压管的稳压值决定的，所以稳压管稳压电路仅适合（）、（）的场合。选项：A、电压较大，负载电流较大B、电压较小且变化不大，负载电流固定不变C、电压固定不变、负载电流较大D、电压固定不变、负载电流较小且变化不大正确答案:【电压固定不变、负载电流较小且变化不大】6、填空题：小功率直流稳压电源由（）、（）、（）和（）组成。正确答案:【电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路】7、填空题：常见的几种整流电路有（）、（）、（）和（）整流电路。正确答案:【单相半波、全波、桥式、倍压.】2019《模拟电子技术》MOOC平台期末考试题1、问题：在本征半导体中掺入三价元素的杂质半导体的自由电子是（）。选项：A、杂质B、少子C、多子D、热激发正确答案:【少子】2、问题：N沟道结型场效应管漏源电流最大时，栅源两端加入的电压应该是（）。选项：A、0VB、大于0VC、小于0VD、大于夹断电压正确答案:【0V】3、问题：共射放大电路晶体管的小信号模型中hie可用（）表达。选项：A、△ic/△uceB、△ube/△ibC、△ic/△ubeD、△ib/△uce正确答案:【△ube/△ib】4、问题：在设计放大电路时，为了使带负载能力强，输出级常采用（）。选项：A、共集电路B、共射电路C、共基电路D、带复合三极管的共射电路正确答案:【共集电路】5、问题：放大电路引入负反馈后，其闭环输入电阻和开环输入电阻的关系是（）。选项：A、不变B、增加1+AB倍C、减小1+AB倍D、增加1+AB或减小1+AB倍正确答案:【增加1+AB或减小1+AB倍】6、问题：由双极性三极管构成的威尔逊电流源的误差项是（）。选项：A、0B、2/（β+β2）C、2/βD、2/（2β+β2）正确答案:【2/（2β+β2）】7、问题：迟滞比较器具有上门限和下门限两个电压值的原因是（）。选项：A、输出正饱和和负饱和两个电压值B、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备正反馈特性C、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备负反馈特性D、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备开环特性正确答案:【输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备正反馈特性】8、问题：运算放大器由双电源供电改为单电源供电时，为了保证正确放大需加入偏置电路。但外加负载时，必须在输出端（），得到正确输出。选项：A、接电容B、串接上拉电阻C、并接上拉电阻D、串接电容正确答案:【串接电容】9、问题：差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是（）。选项：A、提高输入电阻B、提高差模电压增益C、提高共模电压增益D、提高共模抑制比正确答案:【提高共模抑制比】10、问题：本征半导体电子浓度ni（）空穴浓度pi。选项：A、大于B、小于C、等于D、大于等于正确答案:【等于】11、问题：P型半导体中，电子浓度ni（）空穴浓度pi。选项：A、大于B、小于C、等于D、大于等于正确答案:【小于】12、问题：当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，属于（）击穿。选项：A、雪崩B、齐纳C、热击穿D、多子正确答案:【雪崩】13、问题：掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使（）激增。选项：A、多子B、反向电流C、载流子D、反向电压正确答案:【反向电流】14、问题：欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。选项：A、UGS＞UGS,offB、UGS＞UGS,thC、UGS＜UGS,offD、UGS＜UGS,th正确答案:【UGS＞UGS,th】15、问题：在运算放大器中，引入负反馈可以使非线性失真减小，输入动态范围（）。选项：A、增大B、减小C、不变D、无关正确答案:【增大】16、问题：欲提高高频截频fh，需选择小的（）。选项：A、耦合电容B、旁路电容C、结电容D、射极电阻正确答案:【结电容】17、问题：甲乙类功率放大器采用互补输出是为了（）。选项：A、电压放大倍数增加B、最大不失真输出电压大C、提高效率D、输入电阻增加正确答案:【提高效率】18、问题：特征频率fT和（）相等。选项：A、fβB、fαC、增益带宽积D、带宽正确答案:【增益带宽积】19、问题：分析小信号放大电路时，最恰当的方法是（）。选项：A、h参数等效模型B、高频等效模型C、特性曲线D、交流等效电路正确答案:【h参数等效模型】20、问题：两级放大器耦合，后级的输入阻抗是前级级的（）.选项：A、负载B、信号源C、信号源内阻D、反馈正确答案:【负载】21、问题：多个放大器连接成一个雷达高增益中频放大器，放大器之间的耦合应采用()耦合。选项：A、直接B、阻容C、电感D、光电正确答案:【直接】22、问题：在集成电路设计中，NMOS场效应晶体管组成的放大电路，其增益是()函数。选项：A、gm（B）（C）（D）B、gmbC、gDSD、ri正确答案:【gm（B）（C）（D）】23、问题：晶体管工作在放大区时，具有如下特点().选项：A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏正确答案:【发射结正偏，集电结反偏】24、问题：在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是()组态。选项：A、共射B、共集C、共基D、不确定正确答案:【共集】25、问题：差分放大电路能够().选项：A、提高输入电阻B、降低输入电阻C、抑制温漂D、提高电压放大倍数正确答案:【抑制温漂】26、问题：图1所示共射极电路和输出波形io