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文档简介
电子技术基本参考答案一、填空题(每空1分,共20分)1、电子电路中信号可以分为两类,一类是在时间和幅度上都是持续信号,称为模仿信号;另一类在时间和幅度上都是离散信号,称为_数字信号(脉冲信号)_______。2、晶体二极管具备单向导电特性。3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间物质,它具备_热敏性,杂敏性,光敏性等特殊性质,运用这些性质可以制造出各种具备不同性能半导体器件。4、共集电极放大电路又称射极输出器,它电压放大倍数接近于1,输出信号与输入信号同相,输入电阻大,输出电阻小。5、若在放大电路中引入电压串联负反馈,则可以稳定输出电压,并使输入电阻增大。6、单管共射极放大器,当工作点Q选取较低时,易浮现截止失真。7、8421BCD码10000111.0011相应十进制数为__87.3____。8、逻辑函数表达办法普通有四种,分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。9、惯用集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选取器_、数据分派器、加法器等。10、当变量A、B、C分别为1、0、0时,(A+B+C)AB=O。11、TTL或非门多余输入端解决办法是接低平,接地,与其她引脚连在一起。12、当各种三态门输出端连在一条总线上时,应注意任何时刻只能有一种门电路处在工作态。13、在组合逻辑电路中,当输入信号变化状态时,输出端也许浮现虚假过渡干扰脉冲现象称为竞争冒险。14、将数字信号转换为模仿信号,应选用D/A转换器。15、A/D转换过程可分为采样、保持、量化、编码4个环节。16、A/D转换器两个最重要指标是辨别率和转换速度。17、能完毕两个一位二进制数相加,并考虑到低位进位器件称为全加器。18、实现将公共数据上数字信号按规定分派到不同电路中去电路叫数据分派器19、OC门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。20、TTL非门灌电流负载发生在输出低电平状况下,负载电流越大,则输出电平越高。二、选取题(每选对一项得1分,共20分)1、用一只伏特表测量一只接在电路中稳压二极管电压,读数只有0.7伏,这种状况表白该稳压二极管(B)。(A)工作正常(B)接反(C)处在击穿状态(D)以上各项都不是2、晶体管工作在放大区时偏置状态为(C)。(A)b与e极,b与c极间均正向偏置(B)b与e极,b与c极间均反偏(C)b与e极间正偏,b与c极间反偏(D)b与e极间反偏,b与c极间正偏3、单相半波整流电路,如果电变压器副边电压V2=100V,则负载电压Vo将是(B)。(A)100V(B)45V(C)90V(D)60V4、直流负反馈是指(C)。(A)直接耦合放大电路中所引入负反馈(B)只有放大直流信号时才有负反馈(C)在直流通路中负反馈(D)以上各项都不是5、如图所示负反馈放大器方框图,它属于负反馈类型是(B)。(A)电流串联(B)电压串联(C)电流并联(D)电压并联6、直接耦合放大电路存在零点漂移因素是(C)。(A)电阻阻值有误差(B)晶体管参数分散性(C)晶体管参数受温度影响(D)电源电压不稳定7、一位十六进制数可以用(C)位二进制数来表达。(A)1(B)2(C)4(D)168、下列四个数中与十进制数(163)10不相等是(D)。(A)(A3)16(B)(10100011)2(C)()8421BCD(D)()89、一种8选一数据选取器数据输入端有(D)个。(A)1(B)2(C)3(D)810、用与非门构成基本RS触发器所谓“状态不定”,是发生在R、S端同步加入信号(A)时。(A)R=0,S=0;(B)R=0,S=1;(C)R=1,S=0;(D)R=1,S=1。11、用0、1两个符号对100个信息进行编码,则至少需要(B)(A)8位(B)7位(C)9位(D)6位12、相邻两组编码只有一位不同编码是(D)(A)2421BCD码(B)8421BCD码(C)余3码(D)格雷码13、一只四输入端与非门,使其输出为0输入变量取值组合有(D)种。(A)15(B)8(C)7(D)114、已知某电路真值表如题表所示,该电路逻辑表达式为(C)。(A)F=C(B)F=ABC(C)F=AB+C(D)都不是15、对LSTTL与非门电路,如下(A)说法是错误:(A)输入端悬空会导致逻辑出错(B)输入端接510kΩ大电阻到地相称于接高电平(C)输入端接510Ω小电阻到地相称于接低电平(D)输入端接低电平时有电流从门中流出16、TTL与非门低电平输入电流为1.0mA,高电平输入电流为10μA,最大灌电流为8mA,最大拉电流为400μA,则其扇出系数为N=(A)。(A)8(B)10(C)40(D)2017、下列电路中,不属于组合逻辑电路是(C)。(A)译码器(B)全加器(C)寄存器(D)编码器18、组合逻辑电路中险象是由于(C)引起。(A)电路未达到最简(B)电路有各种输出(C)电路中时延(D)逻辑门类型不同19、题图所示为某时序逻辑电路时序图,由此可鉴定该时序电路具备功能是(A)。(A)十进制计数器(B)九进制计数器(C)四进制计数器(D)八进制计数器20、由555定期器构成电路如题图所示,该电路名称是(C)。(A)单稳态触发器(B)施密特触发器(C)多谐振荡器(D)RS触发器三、判断题(每空1分,共15分)1、(×)用万用表测二极管反向电阻时,黑表棒应接二极管正极,红表棒应接二极管负极。2、(√)晶体二极管在反向电压不大于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压不不大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大。3、(×)若放大电路放大倍数为负,则引入反馈一定是负反馈。4、(×)欲减小电路从信号源索取电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入电压并联负反馈。5、(√)欲将正弦波电压叠加上一种直流量,可选用加法运算电路。6、(√)一种抱负差动放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。7、(×)反相比例运算电路中引入了一种负反馈,同相比例运算放大电路中引入了一种正反馈。8、(√)整流电路可将正弦电压变为脉动直流电压。9、(√)反相求和运算电路可实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均小于零。10、(√)三态门三个状态是高阻态,高电平和低电平。11、如题图(VDD)所示是用CMOS与非门构成单稳态触发器电路,vI为输入触发脉冲。指出稳态时a、b、d、e各点电平高低;为加大输出脉冲宽度所采用下列办法哪些是对,哪些是错。如果是对,在()内打√,如果是错,在()内打×。(1)加大Rd(×);(2)减小R(×);(3)加大C(√);(4)提高VDD(×);(5)增长输入触发脉冲宽度(×)。四、分析与计算题(共45分)1、(3分)如果将一种二极管看做电阻,它和普通由导体构成电阻有何区别?答:将二极管看做一种电阻,其明显特点是非线性特性。而普通由导体构成电阻在有限电压、电流范畴内,基本上是线性。(1)二极管正反向电阻,其数值相差悬殊。正向电阻很小,而反向电阻很大。(2)二极管具备负温度系数,而导体构成电阻具备正温度系数。2、(3分)一种晶体三极管接在放大电路中,看不出它型号,也无具她标志,测得它三个电极对地电位分别如图题所示。试判断该管导电电类型(是PNP还是NPN)和三个电极名称以及半导体材料是硅还是锗。答:处在放大状态下三极管,无论是PNP管或是NPN管,基极电位总是处在中间值,据此一方面判断出基极。普通发射结电压对硅材料为0.6~0.7V,对锗材料约为0.2V。而集电结电压普通为若干伏数量极,据此区别余下两个电极哪一种是集电极,哪一种是发射极。然后依照发射结电位是基极比发射极高还是比发射极低来区别是NPN或PNP管。依照上述原则.处在中间电位y极是基极;和y极电位相差0.2Vx极是发射极;和y极电位相差6Vz极是集电极。由于基极比发射极电位低0.2V,可知这是锗材料NPN管。3、(12分)题图(a)所示放大电路,3DG32rbb′=55Ω,其输出特性曲线如图(b)所示,RC=3kΩ,RB=200kΩ,VCC=12V。(1)(2分)设输入一正弦波电流,求输出电压最大也许峰-峰值。(2)(4分)求小信号电压放大倍数及其分贝值。(3)(2分)为了使输出电压在既有供电条件下达到极限值,应如何调节偏置电阻RB?(4)(4分)为了使输出电流极限动态范畴峰-峰值为5mA,应如何调节电路元件值?解:(1)按RC=3kΩ画负载线,示于题图(b)中曲线①
依照题图(a)可列出如下方程;VBEQVCCIBQ1010320056.5A60.712RB于是求得工作点示于图(b)Q1点。由于当IB=80μA时,器件达到饱和与放大工作状态分界点,故容许输入正弦波电流峰-峰值为IBPP=2(80-56.5)=47(μA)。由曲线图可得β=50时相应集电极电流峰-峰值为ICPP=47×l0-6×50=2.35(mA)。输出电压最大也许峰-峰值V7.0532.35RCICPPVOPP(2)ICQ2.3560350502626rbbrbeRCA249603300050rbe48dB分贝值20lg249(3)为了使输出电压在既有供电电压下达到极限值,应将Q点置于负载线中央,由图(b)中Q2点可知,IBQ约为39μA。则偏流电阻应为610IBQ39k2900.7VBE12VCCRB取标称值300kΩ。(4)为了使输出电流极限动态范畴峰-峰值为5mA,一方面应将负载电阻减小,交于Icm=5mA膝弯点Icm5k2.340.3VCES12VCCRC取标称值2.4kΩ。画负载线示于图中曲线②。Q点应位于Q3点,基极偏流IB3Q应为50μA,相应基极偏流电阻RB取标称值240kΩ。610IBQ50k2340.7VBE12VCC4、(6分)某同窗做基本共发射极放大电路实验,既有如题图所示5种不同接线方式。从对的、合理、以便和实用等方而综合衡量,哪一种最为可取?答:图(a)用一种电位器RB调节偏流,当RB调至零值时,电源电压VCC所有加到发射结有也许损坏晶体管。图(b)有两个缺陷:第一是所选器件β值偏大或偏小时,为了得到适当VCEQ,RC值将会偏小或偏大,不满足电压放大倍数所要求值:第二是当RC不慎调至零值时,也许误导以为电路发生了其她故障。图(c)存在有图(b)第一种缺陷。图(e)电容C2极性接反了。图(d)最为可取。5、(6分)题图所示镜像电流源电路,所有器件参数相似,证明:IRIC211证:由题图可得IB3IC1IRB1IB2IE3IIB311但IB2IB1故IC212IC2IB3IC2又因IC1于是11IC2IR2移项得IC21IR16、(6分)由与非门构成基本RS触发器如题图所示,已知输入端电压波形,试画出与之相应Q和波形。解7、(9分)电路如题图所示,G1、G2均为TTL门电路,其输出高电平VOH=3.6V,输出低电平VOL=O.3V,最大容许拉电流IOH=0.4mA,最大容许灌电流IOL=30mA,(max)(max)三极管T导通时VBE=0.7V,饱和时VCES=0.3V,发光二极管正向导通时压降VD=1.4V(1)当
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