4量子物理基础6-8(基础物理课堂讲稿下第三十四讲)_第1页
4量子物理基础6-8(基础物理课堂讲稿下第三十四讲)_第2页
4量子物理基础6-8(基础物理课堂讲稿下第三十四讲)_第3页
4量子物理基础6-8(基础物理课堂讲稿下第三十四讲)_第4页
4量子物理基础6-8(基础物理课堂讲稿下第三十四讲)_第5页
已阅读5页,还剩16页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

§6.1黑体辐射和普朗克的量子假设§6.2光电效应和爱因斯坦的光子理论§6.3康普顿效应§6.4玻尔的氢原子理论§6.5微观粒子的波动性§6.6波粒二象性分析§6.7不确定关系§6.8波函数和概率幅§6.9薛定谔方程§6.10薛定谔方程应用举例

第六章量子物理基础(续)第三十四讲1933年度诺贝尔物理学奖薛定谔1932年度诺贝尔物理学奖

海森堡2.什么叫隧道效应?3.微观粒子限制在有限区域运动的共同特点是什么?4.固体能带理论是怎样建立起来的?6.怎样用固体能带理论解释导体、半导体、绝缘体?5.什么叫禁带?什么叫导带?什么叫满带?

8.什么叫受主能级?什么叫施主能级?1.采用什么测量方法可以观察到物质表面上原子排列?7.半导体中导电类型有哪几种?其测量原理是什么?9.二极管、三极管的工作原理各是什么?……问题:§6.10薛定谔方程应用举例(续)■固体能带论晶体(固体):大量原子凝聚并规则排列而成,并在晶体内形成周期性势场如图→原子核外电子分:内层电子--紧束缚--能量E内小外层电子--弱束缚—能量E外大E内E外价电子合势能周期性0.1nm量级价电子→隧道效应(势垒宽度0.1nm)→共有化电子克龙尼克-潘纳模型:xU0aa+b-b周期函数等等简化一维定态薛定谔方程等等物理分析:要把晶体中共有化电子移到晶体外部,必须作相当的功。所以可视共有化电子是无限深方势阱中自由电子,其波函数:因此,在晶体中的电子定态波函数可写成:其中xU0L/2L=N(a+b)-L/2同样其解:等等仅证明①式如下:①②再求导同学们可自行验证

x=0:Φ1(0)=Φ2(0)→x=ax=-b:Φ1(a)=Φ2(-b)→0aa+b-bUx等等连续周期性A,B,C,D非零解条件:系数行列式|D|=0系数矩阵D这是一组A,B,C,D满足的齐次方程组.由此得方程

sinhβb≈βb,coshβb≈1

sinhx=ex-e-x2coshx=ex+e-x2这表明coskna只有N个不同数值,N是原子总数.势垒宽度b很小→(设)∵U>>E(设)(P与势垒面积有关)coskna在-1~+1之间有N个不同数值,从而

αa自变量→函数曲线值=|coskna|≤1αa+1-10αa值受限制如图红粗线段.E:电子能量不同的红粗线段→能量不同→形成不同能带.每个红线段内coskna与函数曲线有N个交点.相邻能带之间称为禁带.┋┋禁带能带能带每个交点对应一个能级.因此,每个能带由N个能级构成.αa+1-1归纳上述理论结果如下:N个原子→组成晶体αa+1-10┇}N个能级--能带3}N个能级--能带2}N个能级--能带1→形成多个能带单个原子—电子离散能级每个能带有N个能级物理分析:N个原子凝聚导致:低离散能级--对形成低能带贡献高离散能级--对形成高能带贡献N个原子凝聚成固体单个原子E1E2E3■能带理论应用1-----解释导体、半导体、绝缘体以金属钠为例:电子组态---1s22s22p63s----11个电子N个钠原子凝聚成晶体形成能带s电子出现概率---呈球对称分布p电子出现概率---呈哑铃状分布泡利不相容原理:每个能级只能有自旋方向相反的两个电子.N个钠原子组成晶体.pxpypz单个钠原子能级E1sE2sE3sE2p半满带→电场作用→电子易动→产生电流→导体满带满带半满带半满带=导带有方向性填满了2N个电子仅填充N个电子填满了2N个电子晶体内共11N个电子,并从低能带开始填充电子如图→导体(金属)满带绝缘体空带满带禁带满带空带Eg大Eg小禁带半导体①半满带②满带与空带重叠导体∵电子在同能带中各能级间跃迁容易∴导电满带重叠满带空带禁带Eg大Eg=3~15eV以上∵电子难跃迁∴绝缘禁带Eg小Eg≤2eV∵受热激发,电子易跃迁到空带,使两者都变导带∴有导电能力了半满带(导带)■能带理论应用2-----半导体二极管、半导体三极管※半导体硅SiSi电子组态---1s22s22p63s23p2(四价)满带(价带)空带(导带)Eg=0.1~1.5eV禁带SiSiSiSiSi●●●●●●●●○空穴导电电子导电禁带宽度Eg小→价带顶少量电子可激发到导带→有些导电了→半导体最外层有4个电子,为形成8个电子的稳定壳层结构→共价健①电子导电机制②空穴导电机制两种导电机制:※杂质半导体①n型半导体在硅半导体中掺少量的五价磷元素P,多出一个电子能量高,易被热激发而变成导电电子。磷P:1s22s22p63s23p3(五价)PSiSiSiSi●●●●●●●●电子导电●属电子导电机制满带(价带)空带(导带)因此,该电子能量在导带底附近,形成杂质能级----称为施主能级.施主能级最外层有5个电子在硅半导体中掺入少量的三价硼元素B,硅中的硼最外层电子末构成8个电子的稳定壳层。空穴导电②p型半导体B:1s22s22p1(三价)最外层有3个电子属空穴导电机制BSiSiSiSi●●●●●●●○缺少一个电子,称为空穴如图该空穴易被满带顶电子占据.因此,在该空穴内的电子能量在满带顶附近,形成杂质能级--称为受主能级.满带(价带)空带(导带)受主能级※PN结右边(N型区)电子向左(P型区)○○○○○○○○○○○○------++++++●●●●●●●●●●●●PNEPN

最后达到平衡,由此形成稳定的PN结.扩散形成PN结,而PN结的电场EPN阻止扩散。PN结电子空穴※PN结伏安特性①加正向电压(P正N负)EPN○○○○○○○○○○○○---+++●●●●●●●●●●●●PNE外EPNE外○○○○○○○○○○○○_________+++++++++●●●●●●●●●●●●PN+-+-②加反向电压(P负N正)∵E外消除了EPN

∴电流i≠0∵E外加强了EPN

∴电流i=0由此可见:二极管具有单向性○○二极管符号参见叶良修“半导体物理学”上册P310IsU0I------++++++N○○P※三极管(晶体管)工作原理基区P板极薄且掺杂极少.∴由N下中电子进入P区易到N上。∴ib(µA)小变会导致

ic(mA)大变化由Eb→控制PN下结→控制

ib(µA)大小→控制

ic(mA)大小具有放大功能若在Eb上叠加一个交流电压信号,则在RL上有放大了的信号.ELP

N上Ebibbe

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论