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文档简介
AssemblyProcessIntroductionBrancketLeeCRPASEGroup本次课程目的:1.熟悉ASESH所有PKG产品的Assembly生产流程;
2.学会解读Assembly产能状况。2半导体产业链ASEPBGA37.5x37.5712LIC设计(PMOS,CMOS,CMOS)晶圆生产封装+测试(QFP,PBGA,FBGA…)上板(主板,显卡…)最终产品(电脑,手机,PSP…)ASE,…3何为封装?封装(Assembly):目的:1.建立晶粒与PCB的电路连接,使得晶粒与外界电路导通(W/B)。2.包裹晶粒,抵御外部温湿环境变化,减少机械振动摩擦等对晶粒的功能或寿命的影响(M/D)。
ASESH产品分类:1.QFP:(QuadFlatPackage,四面扁平封装)
QFP-----2.72mm/3.32mm/LQFP----1.4mm/TQFP----1.0mm2.BGA:(BallGridArray,球列矩阵封装)3.QFN(SAW)4.SOP/PDIPQFPBGASOP/PDIP4上胶膜晶圆贴膜晶圆切割晶背研磨去胶膜二光二光Gate焊线前等离子清洗银胶烘烤粘晶粒三光Gate焊线三光扫球/引脚切粒植球塑封镭射/油墨正印稳定烘烤封装流程切经电镀成型塑封前等离子清洗前线(无尘室等级10K)后线(无尘室等级100K)前线后线GateQFPBGAQFPBGAFVIGatePacking5Tapping上胶膜Photo1胶膜作业平台晶圆目的:覆胶膜于晶圆表面,于研磨过程中保护晶面ASESH主要机型:DR8500-II,RAD-3510F/12,RAD-3500F/12,DR3000Grinding
研磨目的:将晶元研磨到客户需求的厚度ASESH主要机型:GNX300B,GNX300B,TSK-PG200,TSK-PG300,…作业平台研磨砂轮目的厚度晶圆原始厚度晶圆
6De-Taping
去胶膜目的:去除之前研磨前贴上的保护晶圆线路的胶膜,以便后制程作业。ASESH主要机型:HR8500-II
胶膜WaferWaferMount晶圆贴膜目的:将切割胶膜贴合在晶圆背面,并固定在铁框(Frame)上,便于下制程作业。ASESH主要机型:
M286N,RAD-2500m/12.8,…7DieSaw
晶圆切割Wafer:6/8/12寸目的:分割各个晶粒,以便于粘晶粒作业(每个晶粒就是一个功能性IC单元)。ASESH主要机型:DFD641,DFD6360A,TSK-300TX,…8DieBond
粘晶粒目的:利用银胶的粘性将晶粒固定粘于基板或钉架上,以便于后制程作业。ASESH主要机型:2008XP3,DB-730H,2008HS,AD838,AD8312,…吸嘴基板/Leadframe银胶DieBond前的钉架DieBond后的钉架9EpoxyCure
银胶烘烤目的:将粘晶粒时所用的胶体烘烤至干,以保证晶粒粘贴牢固,后续作业时晶粒不会移动。ASESH主要机型:QMO-2DCP1烤箱Plasma等离子清洗目的:使用电子和高活性原子,将表面污染形成挥发性气体,通过真空系统带走,达到表面清洁,使得焊线时结合力更好。ASESH主要机型:AP1000,JASON-0701,TEPLA400,…TELPLA10WireBond
焊线目的:提供晶粒与外接手指的电路连接。机台:Maxum,Maxum-Plus,Maxum-Ultra,Iconn。金线金手指晶粒铝垫焊针11后段制程介绍PlasmaMoldingMarkPMCBallMountPunchSingulationBGAQFPPlasmaMoldingMarkPMCDDPlantingQFP(CU)PlantingBakeF/SOpen/ShortLeadScanMoldingMarkPMCDDPlantingPlantingBakeF/SOpen/ShortFVISOP/TSSOP/PDIPQFNMoldingPMCCD-freshMarkPlantingPlantingBakeSawSingulationOpen/ShortLeadScanOpenShortSawSingulationPBGAFBGAPackingPackingPackingL/FTapingLeadScanPacking12后段制程介绍Plasma(BeforeMold)目的:1.清洁产品——因前制程会在产品上残留污染物,清洗后可保证产品品质;
2.提高结合力——将基板表面粗糙化,增加胶饼与基板的结合性ASESH主要机型:AP1000,JASON-0701,TEPLA400,…适用PKG:BGA,QFP(CU)机台L/FTaping(钉架贴膜)目的:钉架背面贴胶膜,防止后制程封膜造成背面溢胶。ASESH主要机型:DR3000适用PKG:QFN(Saw)13目的:将前段完成焊线的IC密封起来,保护晶粒(DIE)及焊线,以避免受损、污染氧化(防湿)。机台:TOWA,ASAauto-mold.Molding(封模)封胶前产品/beforeMolding:封胶后产品正面/afterMoldingCompound:14适用PKG:AllPKGMolding(封模)Tooling限制:PBGA:BodySize,ICLayout(SubstrateSize),Moldthickness.FBGA:SubstrateSize,Moldthickness.QFP:LeadframeSize,ICLayout,BodySize,Moldthickness.QFN(Saw):LeadframeSize,Moldthickness.QFN(Punch):BodySize.SO:LeadframeSize,BodySize,Moldthickness.MoldChase上模UpChase下模DownChasePBGA15PMC稳定性烘烤目的:稳定烘烤就是通过烘烤来稳定胶体的化学性和物理性来确保I.C的可靠性机台:C-SUN烤箱16ASETM2633B92283.1#69852ZMark印字(正印/背印)InkMarkM/C:TECAprintAG(PBGA+QFP)ASETM2633B92283.1#69852Z目的:Mark就是用油墨或镭射的方式在产品的正面或背面留下标示以便辨认,这些内容包括产品的logo,Lotno,device以及生产日期等等机台:GPMLaserMark/TECAprintMarkBeforeAfterASETM2633B92283.1#69852ZASE
TM2633B92283.1#69852Z17Mark印字(正印/背印)LaserMarkM/C:GPMprintAG(FBGA+QFP+QFN+SO)作业前产品/beforeMarking作业后产品/afterMakingTooling限制:
无18DD(去胶/去纬)目的:去胶去纬就是指将lead-frame的dambar
和dam-bar与胶饼之间的树脂切掉ASESH主要机型:YAMADA/GPM适用PKG:SO/QFP(有脚的产品)DD机台Tooling限制:
LeadframeSize,BodySize,Leadcount,ICLayout.19Plating(电镀)目的:电镀就是在Lead-frame上靠电镀沉积形成一层薄膜,它可确保产品的使用以及避免手指氧化ASHSH主要机型:MECO(EDF+EPL2400)上料机构电镀前电镀后适用PKG:SO/QFP/QFN(Leadframe为铜的产品,PPF不需要电镀)Tooling限制:
无.20PlatingBake(电镀后烘烤)目的:电镀烘烤就是通过烘烤,去除电镀后的湿气,使电镀锡层更加稳定。ASHSH主要机型:QMO-2DSF(与PMC共用)备注:因电镀机台或制程的改进,某些电镀产品已不需电镀烘烤站适用PKG:需电镀的产品21BallMount(植球)目的:利用真空将球吸取然后置于粘有Flux的球垫上,经IRReflow后产生共晶从而将锡球粘于基板。ASESH主要机型:ALLRING(RK-IF600L)真空植球锡球回焊炉助焊剂上助焊剂植球机清洗机回焊炉AfterBefore22适用PKG:BGABallMount(植球)Tooling限制:
SubstrateSize,BodySize,PinLayout,BallSize.23FormingSingulation(去框成型)目的:F/S就是将条状Leadframe或Substrate上的产品通过冲切并去框,分解成单一的IC成品颗粒,然后弯曲每个个体的引脚(有脚的IC)成特定的形状。ASESH主要机型:YAMADA/GPM条状产品/Strip外框/Siderim单颗产品/UnitPBGAQFPF/S24FormingSingulation(去框成型)适用PKG:PBGA/QFP/SOTooling限制:
Substrate(Leadframe)Size,BodySize,ICLayout.上DIE下DIEF/S机台F/STooling25SawSingulation(切割成型)目的:将条状Leadframe或Substrate上的产品切割成单一的IC成品。ASESH主要机型:HANMI(EAD6340K+3500D),IntercomFBGA适用PKG:FBGA/QFN(Saw)Tooling限制:
Substrate(Leadframe)Size,BodySize(ICLayout).26目的:Open/Short即是通过对成型后的IC成品进行短/开路测试,确保出给客户的成品电性功能完好。ASESH主要机型:HTA(OS-1200)Open/Short(开路/短路测试)适用PKG:QFP/QFN/SO/BGA(BGA部分O/S测试设在WB后)FVI(LeadScan)外观检验目的:利用人工以及LeadScan机台通过光学成像原理检查IC成品外观质量,保证不良品不会流到客户端。(LeadScan项目:Mark,胶体污染,胶平面度,球平整度等等)机台:ICOS(CI-T120,CI-9450)适用PKG:AllPKG27Packing(包装)目的:将产品包装出货。防止产品在运送过程中以及上板前因为震动,摩擦,温度,湿气等对产品造成损坏ASEADVANCEDSEMICONDUCTORENGINEERING,INC.ASEADVANCEDSEMICONDUCTORENGINEERING,INC.ASEADVANCEDSEMICONDUCTORENGINEERING,INC.ASEADVANCEDSEMICONDUCTORENGINEERING,INC.28PC/IE应该具备的知识OverAllAssemblyBottleneck:W/B(焊线)原因:WB作为所有PKG产品共用站别,UPH低,机台成本投入较大Assembly最大产能计算:
AssemblyMaxCapacity=WB机台数X机台标准PDTVX30(月工作天数)
机台标准PDTV算法:1.以某一特定PKG产品的PDTV为标准(计算出来的产能为约当量产能);2.利用各PKG产品的标准PDTV,参照ASESH现有产品组合(ProductMIX)通过加权平均计算出现有标准PDTV。
29ByPKGBottleneck不同的PKG产品对应的Bottleneck战别不一样,由各PKG相应制程的Tooling限制以及UPH大小决定。现行ASESH各PKG瓶颈站别:(前段无ByPKG的机台或模具限制(不考虑Heatblock),所以不需看前线产能)
PBGA:MoldingFBGA:SawSingulationQFN(Saw):SawSingulationQFP:MoldingSO:Molding如何看某个PKG产能瓶颈在哪个站别?Tooling限制越多,UPH越低,模具成本投入越大的站别(以SO为例)Tooling限制站别:Molding,DD,F/S;UPH最低:Molding;模具成本最高:MoldingMoldingMarkPMCDDPlantingPlantingBakeF/SOpen/ShortFVISOP/TSSOP/PDIPPacking30AssemblyToolingCapacity解读UPH较低的站别为Molding和SawSingulation;但是Molding模具多为共用(Leadframe尺寸及膜厚相同即可共用)故瓶颈站别为:SawSingulation;Saw的产能即为该PKG最大产能31AssemblyT
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