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文档简介

半导体物理期末试题半导体物理期末试题

一、选择题（每题2分，共10题）

1.半导体是指能够_________________。

a.导电

b.断电

c.绝缘

2.当pn结加正向电压时，常称之为______________。

a.正向偏置

b.反向偏置

c.断电

3.半导体在常温下的禁带宽度约为____________。

a.1eV

b.2eV

c.3eV

4.在掺杂半导体中，如果放入的掺杂杂质种类与基体元素种类相同，称之为____________掺杂；如果放入的掺杂杂质种类与基体元素种类不相同，称之为_____________掺杂。

a.n型，p型

b.p型，n型

c.p型，n型

5.热电偶是基于热电效应原理制成的一种__________________。

a.温度计

b.电阻

c.电流

6.三极管是由__________结构组成的器件。

a.pn

b.npn

c.pnp

7.共振器中的谐振腔是一种具有特定_______________的装置。

a.质量

b.尺寸

c.温度

8.半导体二极管的有效特性方程为_________________。

a.I=I0*(e^(qU/kT)-1)

b.I=I0*(e^(qU/n)-1)

c.I=I0*(e^(q/nU)-1)

9.在正向偏置的二极管中，当二极管正向电流增大时，二极管正向电压__________。

a.增大

b.减小

c.不变

10.碳化硅是一种常用的_________________。

a.反射镜材料

b.金刚砂

c.陶瓷材料

二、简答题（每题10分，共4题）

1.简述pn结的形成原理与特性。

2.简述半导体的掺杂原理与类型。

3.简述三极管的工作原理及其应用领域。

4.什么是谐振腔？举例说明谐振腔的应用。

三、计算题（每题20分，共2题）

1.已知在一个p型半导体中，施主杂质浓度为1e18，扩散深度为10um，施主杂质扩散系数为1e-3cm^2/s，求施主杂质扩散的时间。

2.一个正向偏置的二极管，如果正向电压为0.5V，正向电流为10mA，反向饱和电流为1nA，求二极管正向电流的理论值。

四、分析题（每题30分，共1题）

1.选择性放置半导体材料的掺杂杂质可以改变半导体

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