半导体存储行业分析研究

半导体存储行业分析研究一、存储器介绍：现代信息存储媒介，半导体周期风向标（一）半导体最大细分市场之一，在短期供需波动中保持长期增长趋势存储芯片是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放。存储芯片一方面存储程序代码以处理各类数据，另一方面存储数据处理过程中产生的中间数据、最终结果，是现代信息产业中广泛应用的核心零部件，深入应用到生活及生产中的方方面面，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。半导体存储器按照是否需要持续通电以维持数据分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。DRAM结构简单，单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。非易失性存储器在断电后数据不会丢失，主要包括Flash（闪存）和ROM（只读存储器）。闪存芯片又可细分为NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行，即应用程序可直接在Flash内运行，而不必再读到系统RAM中；但NORFlash写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。EEPROM具有数据保存时间长、擦写次数多（可频繁改写，使用寿命长）等特点，适宜低容量存储（通常在1Kb～1Mb），主要用于存储需经常修改的数据，如手机摄像头模组内存储镜头与图像的矫正参数、蓝牙模块存储控制参数、内存条温度传感器内存储温度参数等。半导体存储器作为电子系统的基本组成部分，是半导体行业最大的细分市场之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长，半导体存储出货量持续大幅增长，另一方面，由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破，单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势，市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。根据WSTS和SIA数据显示，2021/2022年全球半导体市场规模约为5559/5741亿美元，其中存储芯片市场的规模约为1538/1344亿美元，占半导体市场份额约28%/23%，是仅次于逻辑芯片的第二大半导体细分市场。DRAM和NANDFlash占全球存储芯片市场95%以上的份额。凭借高存储密度和相对低廉的成本优势，DRAM和NANDFlash成为存储芯片市场核心产品，在根据彭博援引IDC数据，2021年DRAM和NANDFlash合计占存储芯片市场份额约96%，另有3.1%为NORFlash，及1.3%的其他存储类型。（二）发展趋势：DRAM注重制程工艺迭代，NAND聚焦3D堆叠技术DRAM制程进步放缓，工艺迭代亟待新方案。DRAM的内存容量主要由芯片上集成的晶体管数额所决定，制程微缩成为现阶段提高DRAM内存容量，降低制作成本的主要方式。三星、美光和SK海力士这三大巨头已经发布了D1z和D1a产品，这些产品采用15纳米和14纳米级单元设计规则(D/R)，适用于DDR4、DDR5和LPDDR5应用。截至目前，我们已经看到了8F2和6F2DRAMCell设计，其中unitcell包括1T（晶体管）和1C（电容器）。这种1T+1C单元设计将用于未来几代DRAM的单元设计。由于工艺完整性、成本、cell泄漏、电容、刷新管理和传感裕度方面的挑战，DRAM制程进步正在放缓。随着美光在2022年宣布DRAM技术1β节点正式量产出货，并将1γ制程计划推迟至2025年，1Z(12nm-14nm)阶段研发时长或将超过5年，相较2016-2017年的1X(16nm-19nm)阶段以及2018-2019年的1Y(14nm-16nm)阶段研发速度大幅度放缓，10nmD/R或将成为其最后一个节点。面对DRAM制程微缩放缓的窘境，存储行业亟需新的解决方案来继续提高密度。据半导体行业观察援引TechInsights，3DDRAM、HBM3、GDDR6X/7和嵌入式DRAM技术都将延续DRAM寿命并扩展其应用。此外，先进DRAM单元设计中也出现了较为创新的方向，如高介电常数前驱体（Highk）介电材料、金属栅极外围晶体管（HKMG）工艺、柱状电容器工艺、EUV技术等。NAND制程演进相对缓慢，3D堆叠层数增长迅速。随着存储芯片容量需求的增加，15nm的2DNAND技术已接近物理极限，为了提高存储芯片的容量和带宽，3D堆叠技术成为NAND未来发展的趋势。根据SK海力士预测，3D堆叠层数只有发展至层数超过600层时才会遇到瓶颈，现阶段而言，主流厂商量产的NAND产品层数分别为SK海力士238层、三星236层、美光232层、铠侠/西数218层，叠层数仍有较大提升空间。除了堆叠层数走高以外，NAND架构改良也有效地提升存储密度和I/O传输性能。根据CFM闪存世界整理，在NANDFlash的传统架构CnA（CMOSnestArray）中，外围电路在存储阵列旁边，随着存储堆叠层数增高，外围电路占据芯片面积比例增大，影响存储单元的密度提升。各存储原厂对高层数NANDFlash架构进行了优化，采用CuA（CMOSunderArray）/PuC（PERIunderCell）等架构，将外围电路放置在存储阵列的下方，提升存储单元的面积利用率，并缩小diesize。改良后的架构还可以把单颗die划分为更多的plane，每个plane拥有各自的外围电路，从而获取更多的I/O接口速度，提升传输性能。长江存储的Xtacking®架构还可以在两片独立的晶圆上，分别同时加工外围电路和存储单元，再将两片独立晶圆键合在一起，从而高效率地提升NAND性能。2DNAND和SLC/MLC深耕高可靠性和低温/高温操作的特定应用，3DNAND存储单元向TLC、QLC等高密度存储演进。NANDFlash根据存储单元密度可分为SLC、MLC、TLC、QLC等，对应单个存储单元分别可存放1、2、3和4bit的数据。闪速存储器中每个存储单元的存储容量的比特N的数量随着多级单元技术而增加，增加闪速存储器的容量可以降低单位数据量的成本。与此相对的，如果增加N的数量，则需要更精细的阈值分布，读写速度则会下降则会下降，并且使用寿命更短。换言之，较大的N值更适合容量和成本优先的应用，而较小的N值则更适合性能和寿命优先的应用。二、需求端：PC&手机基本盘稳健，服务器&汽车注入成长新活力下游终端应用场景不断丰富，全球存储市场规模长期扩张。存储是数据的静态表现形式，有数据就需要存储。过去20年，存储市场规模波动与新电子产品快速渗透、旧电子产品代际更迭密切联系，总体呈现出螺旋式上升的趋势。下游终端电子产品革命性的创新发展使得全球数据量多次呈现跨域式增长，直接拉动了对存储的需求。自上世纪90年代以来，存储市场分别经历了由PC、功能机、智能手机驱动的三轮上涨行情，展望后市，数据中心、AI和汽车存储有望为全球存储市场注入新的动力。手机、PC、服务器为存储芯片应用市场的中流砥柱，汽车及AI助力市场规模更上一层楼。NAND和DRAM广泛应用于手机、平板、PC、数据中心、汽车、视频监控、智能家居等等市场。根据CFM闪存市场数据，2022年DRAM下游市场中，手机、服务器和PC占比分别为35%，33%和16%。2022年NAND下游市场中，手机、企业级固态硬盘（eSSD，主要场景为服务器）与消费级固态硬盘（cSSD，主要场景为PC）占比分别为34%，26%和22%。消费端PC、手机市场占据着NAND及DRAM产能应用的半壁江山，考虑到生成式AI极大地拉动了企业级服务器、数据中心等市场需求，服务器存储芯片市场规模有望进一步扩张，手机、PC、服务器三大需求牢牢占据八成以上存储市场。而随着汽车智能化的发展，车载存储有望实现大踏步升级。从自动驾驶L1发展至L5等级，汽车搭载的摄像头、激光雷达、热成像等传感器，对车辆环境的数据收集、数据交换、实时信息分享的需求，都将推动着汽车存储市场规模日益增长。CFM闪存市场预计，到2025年单车NAND存储容量将超过2TB。汽车存储市场规模也随之增加，到2030年预计将超过200亿美元规模，车载存储占全球存储市场比重有望持续上升。NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。（一）智能手机&PC配置持续升级，存储位元需求稳中有增智能手机为存储芯片下游第一大应用市场，出货量保持平稳。自2017年全球智能手机出货量达到峰值，2018-2022年出货量趋于稳定，在12亿-14亿台之间，步入存量市场。基于成本的上升以及换机周期的延长，预计2023年的智能手机市场较难快速恢复到疫情前水平，根据IDC手机季度跟踪报告显示，2023年全球智能手机市场出货量将会低于12亿台，同比下降1.1%；而中国市场的出货量预计将仅有2.83亿台，同比也会下降1.1%。随着经济大环境的逐渐好转，全球及中国智能手机市场或迎来一定反弹，实现智能手机市场的复苏。IDC预计，2024年全球智能手机市场出货量12.63亿，同比增长5.9%;中国智能手机市场出货重新回到3亿市场大盘，同比增长6.2%。高端智能手机份额持续提升&存储器成本走低，手机端存储芯片位元需求稳步增长。全球智能手机DRAM和NAND平均单机容量快速上升，根据统计数据，2014-2020年全球智能手机DRAM、NAND单机容量从1.4/21GB增长至4.3/108GB，手机容量规格快速提升是主要驱动力。近年来尽管手机市场整体销量趋稳，但高端手机份额仍将保持持续增长，高端旗舰产品和折叠式设备成为手机市场的亮点，而高端手机不仅需要搭载性能强劲的移动处理器，对存储配置要求也更高，使得存储位元需求在手机终端长期增长。加上5G集成基带的普及应用，手机峰值下载速度越来越快，推动UFS、LPDDR等嵌入式存储向高速传输不断发展。不仅如此，NANDFlash和DRAM成本走低有助于提振智能手机及PC等终端的存储需求，推动单位设备存储容量进一步增长。全球PC出货量趋于稳定，存储芯片位元需求缓幅增长。2016-2021年全球PC出货量稳定在3亿台左右，进入存量市场。PC市场经历2020和2021连续两年超10%的增速增长，已经透支了部分需求，2022年IDC数据显示，全球PC出货量下滑15%至约2.9亿台，随着人们恢复正常办公以及Chromebook的需求减弱，在2024年或以后才会看到PC市场更多的增长。从更长的时间维度来看，出于正常的设备更新需求以及对更高性能产品的追求，智能手机和PC这类成熟的电子产品也将回归长期稳定的自然增长速度，回归周期。根据ADATA数据，2021年PC端全球DRAM总位元出货量为343亿Gb，预计2023年达到371亿Gb，CAGR为3.9%，PC端DRAM位元需求缓慢增长，而同期手机和服务器端DRAM位元需求或分别达到10.5%和21.0%。（二）AI驱动服务器量价齐升，大容量高端存储需求攀升在数据中心领域，存储器的主要增长动力来自服务器的稳定增长和多核心高性能处理器的迭代升级。根据CFM闪存市场数据，NAND方面，eSSD平均容量已上升至4TB，带动eSSD占NAND应用比例由22%上升至26%；服务器DRAM应用同样十分广泛，GPU加速器和ASIC等AI芯片带来了算力的指数级增长，与此相匹配的是对高速率GDDRDRAM和高带宽HBMDRAM的需求日益抬升，随着DRAM在服务器市场应用占比稳步上升，服务器有望取代手机成为最大DRAM应用市场。数据中心蓬勃发展，服务器出货量稳步增长。近年来，全球数据量呈几何级快速增长，根据IDC数据，预计2025年全球数据量将增加至175ZB。各大互联网公司自建互联网中心以满足广泛数据需求，外加传统企业加快上云进程也促进了服务器市场的快速增长。根据中国信通院数据，预计2022年全球/中国数据中心市场规模将分别达747亿美元，/1901亿人民币。据Canalys研究数据显示，2022年全年，全球云基础设施服务总支出从2021年的1917亿美元增长到2471亿美元，同比增长29%，同时Canalys预计全球云基础设施服务支出在2023年将继续增长23%。受益于云服务支出拉动，服务器市场保持增长态势，IDC数据显示，2022年全球服务器出货量达1470.4万台，预计2025年全球服务器出货量达1878.1万台。AIGC应用加持，AI服务器需求持续增长。伴随着以ChatGPT为代表的生成式AI模型的推广，AI服务器出货量将实现快速增长。根据TrendForce数据，2022年搭载高端GPGPU的AI服务器出货量约14.5万台，年增约9%，展望2023年，Microsoft、Meta、Baidu与ByteDance相继推出基于生成式AI衍生的产品服务而积极加单，预估2023年出货量同比增速有望达15.4%，2022~2026年搭载高端GPGPU的AI服务器出货量年复合成长率约12.3%。同时TrendForce预估2023年整体AI服务器（包含搭载GPU、FPGA、ASIC等）出货量近120万台，年增38.4%，占整体服务器出货量近9%，至2026年将占15%，2022~2026年AI服务器出货量年复合成长率至29%。服务器市场更加追求芯片的高性能和高稳定性。人工智能应用的快速发展正在显着改变信息的消费、移动和处理方式。在强调能效的同时增加内存带宽对于进一步支持云、边缘和端点的广泛行为分析和神经网络训练至关重要。随着深度学习等AI算法的发展，AI服务器对计算能力和内存带宽的要求越来越高。GDDR逐渐达到极限，每秒每增加1GB的带宽所需要的电量剧增，NVIDIA和AMD等厂商逐渐开始使用HBM（高带宽存储）。HBM是DRAM的一种新技术，它通过3D堆叠技术将多个DDR垂直堆叠在一起，形成一个高度集成的内存模组，同时与CPU/GPU合封，使得HBM内存芯片具有更大的密度和更短的电路路径，能够提供更高的内存带宽和更低的延迟，可以显著提高深度学习等AI算法的计算性能和效率。此外，与GDDR5相比，在相同数量显存下，HBM产品大小仅仅是GDDR5的6%，并且每瓦带宽是其3倍以上。AI服务器对DRAM和NAND的需求飙升。传统封装技术和晶圆级封装技术愈加成熟，为单一封装下的高密度NAND和DRAM应用提供了巨大的帮助。DRAM方面可以通过将多颗HBM组合封装，使得系统中总DRAM容量达到128GB甚至更高，有助于DRAM整体带宽性能得到突破；NAND方面存储厂商通过将多颗NANDFlash裸片堆叠封装，构成高达10TB及以上的企业级SSD产品，加速取代服务器领域的HDD应用，据SK海力士测算，2030年数据中心中SSD占比有望达到55%。据美光测算，AI服务器中DRAM数量是传统服务器的8倍，NAND数量是传统服务器的3倍。HBM产品不断迭代，市场规模持续扩容。自2014年与AMD联合开发了全球首款硅通孔HBM产品至今，SK海力士已迭代升级出4代HBM产品，性能和容量持续提升。根据Omdia数据，2020年全球HBM市场规模为4.58亿美元，预计2025年市场规模将达到25亿美元，年复合增长率高达40.38%。（三）车辆数据处理需求攀升，车载存储异军突起ADAS各等级智能驾驶技术对车载存储的需求呈非线性增长。数据采集和高效处理能力正逐渐成为汽车创新的关键所在，随着自动驾驶汽车水平的提高，功能和高级功能之间的网络连接增加，电动汽车需要消耗更多的数据和芯片。在诸如电池监测、ADAS、安全数据备份等智能汽车的各功能性领域中，具有高稳定性的存储芯片扮演着关键的角色，半导体存储芯片更由此异军突起，日渐成为智能汽车的核心部件，需求量大大增加。同时，车规级芯片要求较消费级更加严苛，能够持续高速处理汽车驾驶过程中产生的大量数据，具有超强稳定性的汽车存储芯片更是成为了安全无忧驾驶的关键。DRAM和NAND支撑了车载存储的主要需求。存储芯片可以应用于包括电子仪表盘、智能驾驶ADAS、本地地图、车载娱乐、通信系统在内的多个车内场景。实现以上功能既需要大量运行内存去支撑图形显示或算力计算，也需要足够的闪存容量用来存储行驶过程中产生的数据，二者分别对应DRAM和Flash芯片需求。据海力士对智能驾驶汽车的DRAM需求量的判断，一辆车预估DRAM/NANDFlash需求最高分别可达151GB/2TB，车内显示类、ADAS自动驾驶系统对存储芯片使用量最大。CFM闪存市场预计，到2030年汽车存储市场规模将超过200亿美元。车内显示类：包括智能仪表盘和IVI车载娱乐系统。高清晰显示屏在智能驾驶汽车普及前就是存储器的重要汽车应用领域，更加信息化、娱乐化的座舱环境要求更多车内显示屏，直接增加DRAM、NAND的总需求量。同时仪表盘、控制台等器件对于影像传输速率的更高要求也使车用DRAM产品从DDR3、LPDDR2逐步向更低延迟的LPDDR4、LPDDR5产品升级，在价值量方面亦有提升。车用DRAM在信息娱乐和数字仪表盘的需求量在4-64GB之间，后座娱乐系统需求量4-16GB。NANDFlash主要用于即时产生大量数据的数字仪表盘和后座娱乐系统，前者需要64-512GB存储容量，后者需要64-256GB。ADAS系统应用：智能驾驶汽车车身装配的摄像头和其他传感器将产生大量数据，ADAS系统需要根据这些数据并识别障碍物并做出正确决策，这就需要引入高容量、高带宽DRAM来解决复杂的计算和图像处理问题。以特斯拉为例，特斯拉全车共配备了8个摄像头、一个毫米波雷达和12个超声波雷达监测外部环境，由于特斯拉采用摄像头模拟人眼视力的AI仿生技术路线，其更高的信息处理能力要求除了雷达外每个摄像头也需要DRAM处理数据并向车载计算机实时传送信息。三、供给端：原厂减产并削减资本开支，供需再平衡有望于23H2实现（一）主流市场海外寡头垄断，利基市场国产奋起直追存储芯片具有大宗商品属性，供需错配引发价格周期性波动。根据Statista数据，全球集成电路细分市场整体周期性趋同，但存储芯片市场的波动性更大（2017年半导体行业景气度上行，存储市场规模同比增速超60%，大幅领先于其他主要细分品类，而在2019年半导体行业景气度下行期，存储市场规模同比降幅超30%，表现亦显著弱于其他主要细分赛道）主要系存储芯片标准化程度高，产品可替代性强，价格弹性大，受下游需求影响较为明显，具有显著的规模效应。且行业集中度高，厂商间扩产与定价策略高度相似，当景气度上行时，往往积极扩产，致使产能过剩；而当景气度下行时，行业内厂商则通过削减资本开支/减产，配合激进降价手段清理库存。产品价格基于供求关系变化，导致存储芯片价格周期性特征尤为明显。三星电子、SK海力士和美光三大厂商垄断DRAM供应，NAND竞争格局有集中趋势。根据彭博援引IDC数据，2005年至今，DRAM市场CR3由60%左右逐渐增长至94%（2021年），竞争格局趋于稳定。在NAND市场，三星、铠侠、SK海力士&英特尔、西部数据、美光五家头部厂商占据了96%的市场份额，随着2021年SK海力士收购英特尔的NAND固态硬盘业务（原第六大NAND制造商，被收购后更名为Solidigm）、铠侠与西部数据合并在即，NAND竞争格局有集中趋势。国产双雄持续发力。NAND龙头长江存储是大陆首家实现64层3DNAND量产的IDM企业，其全资子公司武汉新芯聚焦NORFlash，与长江存储NAND补齐Flash版图。技术方面，2018年，长江存储发布Xtacking架构；2019年9月，长江存储成功量产64层TLC3DNANDFlash，此后长江存储跳过96层3DNAND闪存技术量产；2020年4月宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，目前公司发布的基于晶栈®3.0（Xtacking®3.0）技术的第四代TLC三维闪存X3-9070堆叠层数已经处于国际第一梯队。DRAM龙头长鑫存储是国内最大DDR4和LPDDR4内存芯片制造商,目前已成功试产DDR5内存芯片，工艺方面已经实现19nm/17nm等制程的量产工作，国产NAND和DRAM双雄持续发力，追赶国际领先厂商。海外大厂逐步退出利基市场，国产厂商迎来发展机遇。利基型存储主要包含4GbDDR4及以下的DRAM、2DNAND及NORFlash、EEPROM等小容量非易失性存储芯片，具有下游应用广泛、制程工艺相对成熟、技术壁垒相对较低、资本开支投入相对较少等特点。据ICInsights、Gartner以及Trendforce数据，2021年全球NORFlash/SLCNAND/利基型DRAM市场规模分别约29/21/90亿美元。随着头部海外大厂产能陆续退出，中国大陆及中国台湾厂商逐步占据了利基型存储市场的主要份额。规模较大的台系厂商包括华邦电、旺宏电子、晶豪科技、钰创科技、力晶科技、南亚科等，中国大陆厂商主要有兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、博雅科技、芯天下、武汉新芯、聚辰股份、复旦微电等，本土厂商近年来持续加大研发投入，竞争实力不断增强。（二）海外龙头普遍开启实质性减产，供需再平衡有望年内到来存储行情持续走弱，存储原厂全面陷入亏损。由于ASP快速下跌所致，存储原厂第一季营业利润率由正转负。根据原厂最新财报数据，SK海力士Q1营收为5.09亿韩元（YoY-58%，QoQ-34%），净利润-2.59万亿韩元（同比由盈转亏，环比亏损收窄）；三星存储业务部门Q1营收8.92万亿韩元（YoY-56%，QoQ-27%），存储业务所在的DS事业部营业利润大幅亏损36亿美元；美光23Q1（22年12月至23年2月财季）季度营收36.93亿美元（QoQ-9.6%，YoY-52.6%），由于14亿美元的存货减记，营业利润率大幅下滑至-63%，净亏损超过23亿美元。受NANDFlash量价齐跌影响，西部数据23Q1业绩亦大幅下滑，营收报28.03亿美元（YoY-36%，QoQ-10%），NON-GAAP下净利润亏损扩大至-4.27亿美元。在市场需求不明朗、库存高涨、业绩普遍亏损等因素叠加影响下，各大原厂纷纷出台减少产出、降低投资、放缓技术升级等措施来调节供需关系缓解价格下降趋势。产能方面，根据报道显示，三大原厂均已启动减产，三星、美光、SK海力士2023年第二季稼动率环比普遍下修10pct，已分别下滑至77%、74%、82%。资本开支方面，SK海力士资本支出已经连续5个季度呈下降趋势，公司在其23Q1法说会中表示将减少不必要的投资，2023全年资本支出将同比减少超50%；美光亦表示将大幅削减2023财年资本支出至70亿美元，同比减少超过40%，其中WFE晶圆设备支出减少超过50%，同时将放缓技术升级、降低运营成本及实行必要的裁员来度过存储行业寒冬。2022年存储市场位元增速处历史低位，2023年有望企稳反弹。2022年在宏观经济环境恶化，以及全球部分地区性因素的影响下，集成电路终端需求锐减，库存问题也从下游不断传导到上游，进一步抑制了对存储芯片产品的需求。据CFM闪存市场预计，2022年NANDFlash/DRAM市场容量规模分别同比增长6%/4%达到610BGB/194BGb，较此前市场位元增速显著放缓，预计2023年NANDFlash/DRAM市场容量规模分别同比增长15%/5%，增速有所回升。而在减产的作用下，预计NANDFlash和DRAM位元供应的增长速度都将低于其需求的增长速度。减产效应有待发酵，存储价格有望在23Q3企稳。据CFM闪存市场数据，由于原厂减产不及需求走弱速度，部分产品Q2均价季跌幅有扩大趋势，DRAM价格跌幅扩大的主因是DDR4与LPDDR5的库存过高，而NANDFlash均价下跌主要系市场供过于求状况仍未改善。目前，终端市场库存已逐渐降至健康水位，但需求尚未出现明显回暖迹象。随着Q3主要PC&智能手机厂商新品上市，国内服务器市场陆续交付，Q1淡季减产Q3旺季生效，以及近一年来行情调整下库存压力的逐步释放，预计23Q2可能将是这一轮周期的最低点，存储行情或最快在23Q3企稳。NANDFlash和DRAM现货价/合约价均位于历史低位，下行空间有限。NANDFlash现货价格/合约价格Q2继续下跌，月跌幅环比收窄。截止5月29日，256GbTLC/512GbTLC现货价格分别下跌至0.99/1.41美元，环比4月30日跌幅为0%/-2.8%；256GbTLC/512GbTLC/128GbMLC合约价格分别为0.95/1.48/1.76美元，环比4月30日止跌。5月底以来，市场虽受到合约价止跌氛围影响，供应端并未主动下修报价，但因终端需求表现仍然不佳，成交情绪不振，颗粒部分仅在特定品项有些许零星急单释出，供需双方磨合空间有限，有力成交情况不足。展望后市，原厂端积极释出库存，整体盘势虽仍处跌势，但幅度有持续缩减的趋势。DRAM5月仍呈跌势，但趋势有所分化。截至5月29日，DDR44Gb(512Mx8)/DDR34Gb(512Mx8)/DDR48Gb(1Gx8)现货价格分别降至1.01/1.02/1.46美元，环比4月30日跌幅分别为9.8%/4.7%/9.3%，现货价跌幅放大，上游DRAM资源价格调整幅度和频率降低，现货行情在底部盘整。截止5月29日，主流产品DDR48Gb(1Gx8)/LPDDR432Gb（mobile）/DDR432GBReg-DIMM（server）合约价格分别跌至1.44/6.10/52美元，环比4月30日跌幅为0%/16.7%/16.1%，嵌入式LPDDR4和服务器用DDR4供应充足价格不易反弹，跌幅放大。截至目前，各类DRAM颗粒价格较此轮周期高点普遍跌幅在60%~70%，处于历史低位。（三）美光在华审查未通过，国产替代进程有望加速5月21日晚间，网络安全审查办公室发布消息，因美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全，依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。据彭博社消息，在一份监管备案表示，美光在中国大陆和香港的业务收入，包括直销以及通过分销商的间接销售，约占美光全球收入的四分之一，美光与中国总部客户相关的销售额中约有一半可能受到此次网络安全调查的影响，占其全球收入的“低两位数百分比”。随着经济数字化转型，云计算、物联网、AI、大数据等技术的发展，国内对信息安全可靠和自主可控的需求不断增加，存储产品作为数据中心的重要组成部分，存储安全也上升到国家战略地位。国内存储产业发展的必要性不容置疑，网信办重点提及国内关键信息基础设施环节，自主可控方向明确。四、重点公司分析（一）兆易创新：国内存储设计龙头，合作长鑫存储打开DRAM成长天花国内存储器设计龙头，深度布局AI与汽车蓝海赛道。兆易创新于2012年成立，主营业务为存储器、微控制器和传感器的研发、技术支持和销售。近年来，智能汽车与智慧工厂的布局正在提速，AI、物联网等消费性电子产品蓬勃发展，以及新兴应用层出不穷，这些都在驱动市场对DDR需求的提升。公司依托深耕闪存市场多年所积累的技术经验，2021年推出自有品牌DRAM产品，切入消费、工控等利基型DRAM市场，2022年又重磅推出首款自研DDR3L系列产品，采用长鑫存储先进工艺制程，符合JEDEC标准，读写速率为2133/1866Mbps，提供2Gb/4Gb不同容量选择，在满足消费类市场强劲需求的同时，兼顾工业及汽车市场应用，可为生态圈的发展构建提供强有力的支撑。公司规划中的DRAM产品包括DDR4、LPDDR3、LPDDR4，制程在1Xnm级（19nm、17nm），容量在1Gb~8Gb。NORFlash领域，公司市占率中国大陆第一、全球第三，已实现512Kb到2Gb大容量SPINORFlash全系列产品的完善布局，截至2023年4月，旗下车规级GD25/55SPINORFlash和GD5FSPINANDFlash系列产品全球累计出货量达1亿颗，广泛运用在智能座舱、智能驾驶、智能网联、新能源电动车大小三电系统等。重视研发投入，保持技术创新和技术领先。公司现任主要管理技术团队具备在国际先进产业地区的丰富任职经验和先进经营管理理念，其中董事长朱一明为清华大学本科及硕士毕业，美国纽约州立大学石溪分校硕士，曾任iPolicyNetworksInc.资深工程师并入选国家“千人计划”。公司核心骨干源于海外留学归国青年与经验丰富创业团队，具备较好的国际化视野。公司历来重视研发投入，2022年，公司研发投入达到10.29亿元，约占营业收入12.7%，同比增长9.5%。公司在建立技术优势并取得良好业绩回报的同时，高度关注知识产权保护。截止2022年末，公司拥有929项授权专利，其中2022年新增98项授权专利。（二）北京君正：车载算力/存力持续提升，车规存储龙头持续发力国内车规存储龙头，产品矩阵丰富&客户资源优质。北京君正成立于2005年，起家于MPU和智能视频芯片，2020年公司通过收购ISSI成功进入车载存储行业，打开公司第二成长曲线。公司旗下存储主体北京矽成（ISSI）深耕车载存储二十余载，产品矩阵丰富，料号充沛，广泛应用于包括电子仪表盘、智能驾驶ADAS、本地地图、车载娱乐、通信系统在内的众多车内场景。公司已是全球车用SRAM、DRAM、NORFlash芯片领域第一、第二、第五大供应商（2021年度），目前在汽车领域的终端客户覆盖了大陆集团、法雷奥、Delphi、博世等全球知名汽车一级供应商。AI驱动智能视频芯片持续增长，IOT助力微处理器业务稳步向好。公司智能视频芯片主要面向智能物联网和智能安防类市场，视频领域作为AI技术与5G物联网技术融合发展形成的应用场景之一，已成为助力传统产业转型升级的重要手段。随着在智能视频领域的技术不断丰富和成熟，公司产品线不断拓展，目前已形成面向安防监控市场IPC/后端NVR/泛视频类市场的多系列芯片，随着各产品陆续放量，智能视频芯片业务有望持续增长。公司微处理器芯片主要面向IOT市场的各类智能硬件产品，物联网终端应用需求的快速增长促进嵌入式MPU芯片产业市场规模不断增大。根据ICInsights数据，2020年全球嵌入式MPU芯片市场规模为175亿美元，至2024年市场规模将达到237亿美元。公司的微处理器产品应用下游广泛，覆盖的领域包括图像识别、智能音频、智能家电、智能家居、智能办公等，业务趋势稳步向好。（三）深科技：国产存储封测龙头，布局先进工艺决胜AI时代美光审查事件推动国产替代加速，存储封测龙头深度受益。公司是全球领先的专业电子制造企业，连续多年在全球电子制造服务行业（EMS）排名前列，并构建了以存储半导体、高端制造、计量智能终端为三大主营业务的发展战略。公司存储运营主体沛顿科技前身为金士顿中国封装厂，技术水准领先，公司配备sDBG生产线，可将晶圆减薄至30um，同时掌握8D/16D芯片堆叠技术能力；产能充沛，以深圳、合肥半导体封测双基地的模式运营，产能产量达到历史最高水平，未来随着下游客户产能开出/先进封装渗透率提升，公司存储业务天花板打开。AI时代HBM需求大涨，布局先进技术未来可期。长期来看，以AIGC为代表的高算力应用场景驱动存储器容量显著提升，同时亦催生了更高性能的新型存储器的海量需求。HBM（高带宽内存）突破了内存容量与带宽瓶颈（SK海力士第四代HBM产品接口传输速率达到6.4Gbps，带宽接近1TB/s节点），被视为新一代DRAM解决方案，成为AI时代不可或缺的关键技术。海外巨头领衔，未来国内晶圆厂有望积极跟进，产业链配套全面升级。HBM技术壁垒高，涉及硅通孔（TSV）、系统级封装（SiP）等多项核心先进工艺，公司持续推进先进封装技术的研发量产，包括bumping技术，FCBGA技术，SSD32D堆叠技术等目，未来有望在国产先进存储封测产业发展中发挥重要作用。（四）普冉股份：NORFlash后起之秀，“存储+”战略打开第二增长曲线公司是国内非易失性存储器芯片领先企业，目前主要产品包括：NORFlash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、MCU以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片；MCU主要为基于ARMCortex-M系列32位通用MCU产品；模拟产品的第一个产品系列为音圈马达驱动芯片（VCMDriver），目前提供独立和存储二合一两类开环类音圈马达驱动芯片产品，主要应用于摄像头模组（含手机和非手机）。公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，凭借其低功耗、高可靠性的产品优势，在下游客户处积累了良好的品牌认可度，成为了国内NORFlash和EEPROM的主要供应商之一。在此基础上，公司实施“存储+”战略，积极拓展MCU及模拟芯片领域，依托公司在存储领域的技术优势和平台资源，实现向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。与此同时，公司持续推进海外业务布局，实现了在日本、韩国、美国等多家的知名大客户导入，产品应用领域涵盖消费、工控、光伏及车载，增强了在全球市场的影响力。MCU受益国产替代趋势实现大规模出货，VCMDriver与EEPROM产品形成良好的协同效应。公司持续重视并始终保持高水平的研发投入，推进核心技术自主研发，提升符合市场需求的创新型产品。2022年公司实现“存储+”系列芯片营业收入5299万元，同比增长9倍。其中，MCU产品和VCMDriver芯片产品实现了业务从零到一的突破，以及业务量上质的飞跃。公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势，布局ARMCortex-M内核系列32位通用型MCU产品。2022年MCUM0+系列产品已大规模量产出货，共计60余颗料号。产品主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器等下游领域，国产替代趋势下持续导入空间较大。2022年公司内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片（二合一)多颗产品进入大批量供货,支持下一代主控平台的1.2VPD系列音圈马达驱动芯片产品也已进入量产。同时，依托EEPROM产品的客户资源优势，实现下游的顺利交付。此外，公司结合行业发展趋势，与终端密切配合，启动开发新一代VOIS芯片。公司VCMDriver产品能与EEPROM产品形成良好的协同效应，提升公司在摄像头模组领域的竞争优势和市场占有率。（五）东芯股份：本土SLCNAND龙头，深耕利基存储市场国内SLCNAND龙头，聚焦利基存储市场。东芯股份于2014年成立，主营业务为中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案以及芯片定制开发服务的公司。凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产权，公司搭建了稳定可靠的供应链体系，设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司核心骨干均具有国内外存储行业工作经历及存储芯片相关研发经验，具备较好的技术水平。作为国内中小容量通用型存储芯片设计领域领先企业，在海外龙头逐渐退出国内利基市场的背景下，公司营收有望持续增长。持续推进制程优化进程，加强供应链合作。公司的SLCNANDFlash量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电28nm的制程为主，公司在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充SLCNANDFlash产品线。公司先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。公司的NORFlash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。车规产品研发进度方面，公司基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。（六）恒烁股份：深耕NORFLASH存储器，进军MCU开启第二成长曲线“存储+控制”双轮驱动，市占率有望稳步提升。公司成立于2015年,是国内领先的NORFlash存储芯片设计公司。近年来主营业务已拓展至基于Arm®Cortex®内核架构的通用32位MCU芯片，同时公司还在致力于开发基于NOR闪存技术的存算一体终端推理AI芯片。公司产品广泛应用于TWS耳机等消费类电子、物联网终端、通信设备、智能电表、工业控制等领域。公司NORFlash芯片和MCU芯片均获得客户的广泛认可，与杰理科技、乐鑫科技、泰凌微电子、芯海科技、兆讯恒达、翱捷科技、上海巨微及赛腾微等客户建立了长期稳定的合作关系，多款产品进入小米、360、OPPO、星网锐捷、新大陆、中兴、联想、奇瑞汽车、江铃汽车及欧菲光等终端用户供应链体系。借助NORFlash的渠道和客户优势，MCU和存算一体终端推理AI芯片业务有望实现协同发展，各项产品市占率有望实现稳步提升。深入布局存算一体芯片，拥抱AI大时代。随着摩尔定律逼近极限，依靠尺寸微缩实现芯片性能提升的路径面临巨大挑战，传统的冯诺依曼架构已无法适应如今AI计算对算力和低功耗的需求，存算一体是将存储单元和计算单元合为一体，省去了计算过程中数据搬运环节，消除了由于数据搬运带来的功耗和延迟，有望彻底解决传统冯·诺伊曼架构的存储墙问题，极大提高计算能效。公司自主研发的CiNORAI推理芯片可利用NORFlash的模拟特性直接在NORFlash存储单元内进行矩阵卷积运算，其Flash存储单元既可存储神经网络的权重参数，同时又可完成和此权重相关的矩阵乘加运算，从而将乘加法运算和存储融合到一个Flash单元里面。相比于传统的冯·诺伊曼架构，运算效率显著提高，功耗大幅降低。公司借助长期以来在NORFlash领域的技术积累，为实施CiNORAI推理芯片的进一步研发奠定了基础。第二款CiNOR存算一体AI加速芯片，其芯片的控制引擎需要一颗MCU进行控制和调度，公司CiNOR可在自己MCU平台上进行验证和纠错，持续推进基于MCU的AI应用部署和模型量化研究，大大减少CiNORAI芯片的开发周期，可为客户提供“MCU+存储器+AI”的产品解决方案。（七）雅克科技：LNG板材&光刻胶齐头并进，前驱体领先厂商受益存储复苏公司是全球前驱体领先厂商，国内独家LNG板材厂。公司主营电子材料、LNG保温绝热板材、阻燃剂三大板块。其中电子材料业务包括半导体前驱体材料/SOD、光刻胶及配套试剂、电子特气、硅微粉及LDS输送系统等。LNG船保温绝热材料用于-162℃超低温条件，目前全球仅3家公司在生产LNG保温板材，公司是国内唯一一家通过认证的LNG保温绝热板材供应商。2023年国内新增LNG船大规模放量，公司第二工厂建设有续推进预计2023年底投产，LNG板材业务空间广阔。公司的光刻胶产品主要包括面板用正性TFT光刻胶、RGB彩色光刻胶、CNT防静电材料以及光刻胶配套试剂，已与三星电子、LGDisplay、京东方、华星光电、惠科等知名面板供应商建立合作关系；同时公司新增布局半导体光刻胶领域，半导体制程光刻胶及SOC材料研发和测试工作正在按计划推进。技术优势构筑前驱体产品领先地位，AI驱动前驱体需求增长。公司是全球领先的前驱体供应商之一，产品覆盖硅类前驱体、High-K前驱体、金属前驱体，在DRAM可以满足全球最先进存储芯片制程1b、200X层以上NAND、逻辑芯片3纳米的量产供应，客户包括镁光、铠侠、Intel、台积电、中芯国际、华虹宏力、长江存储与合肥长鑫等国内外半导体芯片头部生产商。AI推动HBM新型存储需求高增，公司是HBM核心厂商海力士的供应商，充分受益于下游芯片厂扩产带动的前驱体材料增长。当前公司江苏先科宜兴生产基地部分产品已开始客户端测试，预计于2023年四季度实现量产供应，本地化的稳定供应将进一步助力公司缩短产品交期，构筑市场开拓的核心竞争力。（八）澜起科技：内存接口芯片龙头，布局高性能计算产业内存接口芯片龙头企业，充分受益内存更新换代。澜起科技成立于2004年，是国际领先的数据处理及互连芯片设计公司，目前拥有互连类芯片和津逮服务器平台两大产品线。公司2022年营业收入为36.7亿元，归母净利润为13.0亿元，过去5年复合增速分别高达24%和30%，实现了业绩的高速增长。互连类芯片产品线2022年度销售收入创下历史新高，实现27.4亿元，较上年度增长59.3%，毛利率为58.7%。DDR5世代，随着技术难度的提升，内存接口芯片价值量较DDR4世代有明显提升，同时内存模组上新增若干配套芯片，进一步增加行业市场规模。作为行业领跑者，公司凭借自身的技术领先地位及竞争优势，受益于内存模组市场由DDR4向DDR5迭代升级带来的成长红利。引领CXL技术发展浪潮，全球首发MXC芯片。CXL是目前全球高速互连领域热门和前沿的技术之一。随着CXL技术及生态日益成熟，以及CXL技术在下一代内存架构中的应用的扩大，CXL内存有望成为未来计算结构的关键节点，进而大幅推进人工智能（AI）和大数据服务。公司引领该项全球前沿技术，结合自身优势，抢先进行了相关产品的布局。2022年5月，公司成功发布全球首款CXL内存扩展控制器芯片（MXC）。公司的MXC芯片实现全球首发，体现了公司的战略眼光、前瞻性布局能力以及技术实力，公司相关技术水平处于国际领先地位，有望在未来的市场竞争中抢得先机。公司发布MXC芯片后，全球多家顶级云计算厂商、内存模组厂商主动寻求合作，三星电子和SK海力士两大内存龙头相继推出了采用澜起科技MXC芯片的CXL内存模组及板卡。未来公司也在进一步与更多合作伙伴一起探索CXL内存扩展和内存池化在实际业务场景中的应用和落地，保持在相关领域的技术领先地位。（九）聚辰股份：SPD+车规EPPROM双轮驱动，打开成长空间国内EEPROM领军企业，自主创新驱动业绩高速增长。公司目前拥有EEPROM、音圈马达驱动芯片及智能卡芯片三条主要产品线，产品广泛应用于智能手机、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电、汽车电子、工业控制等众多领域。公司核心骨干源于海外存储厂商与经验丰富创业团队，具备丰富的国际化视野。公司持续加强对新产品和新技术的研究和开发，2022年研发费用1.34亿元，同比增长80.39%，占营业收入的比例为13.67%，受益于DDR内存模组换代升级以及高可靠性产品的客户认可度及品牌影响力不断提升，公司SPD产品以及应用于汽车电子、工业控制等高附加值市场的EEPROM产品销量和收入于报告期内实现高速增长，带动公司收入规模和资产规模持续扩张。公司全年实现营业收入9.8亿元，同比增长80.2%；归母净利润为3.5亿元，同比增长226.8%。布局车规级EEPROM，把握汽车市场发展新机遇。作为国内领先的汽车级EEPROM产品供应商，公司基于对行业发展的判断，在业务发展过程中侧重了对汽车电子应用领域的技术积累和产品开发，目前已拥有A1及以下等级的全系列汽车级EEPROM产品。随着汽车电动化、智能化、网联化趋势的不断发展，汽车电子产品的渗透率快速提升，在全球汽车“缺芯”的背景下，公司凭借较高的产品质量、高效的市场响应能力、较为完整的应用产品线和稳定的供货能力，及时把握汽车级EEPROM芯片供应短缺带来的市场发展机遇，汽车级EEPROM产品的销量及收入于近年来实现高速增长，产品广泛应用于汽车的智能座舱、三电系统、视觉感知、底盘传动与微电机等四大系统的数十个子模块，终端客户包括众多国内外主流汽车厂商。（十）江波龙：深耕存储芯片领域，积极拥抱AI发展浪潮国内存储芯片领域先行者，布局完善。江波龙自1999年成立以来一直专注存储产品业务，已形成嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、移动存储及内存条四大产品线，能够提供消费级、工规级、车规级存储器以及业存储软硬件应用解决方案。目前公司拥有行业类存储品牌FORESEE和国际高端消费类存储品牌Lexar(雷克沙)，旗下存储器产品被广泛应用于智能终端、物联网、安防、工控、汽车以及个人移动存储等领域。此外，公司也在持续推出行业领先的产品体系，公司UFS存储器为高端智能手机提供更高的传输速率，车规级eMMC已符合汽车电子行业核心标准体系AEC-Q100，可实现-40℃-105℃的宽温域作业。自主研发能力不断提升，持续迭代夯实技术储备。公司目前已经具备全面自主可控固件的开发及持续创新能力，能够自主完成SiP集成封装设计，并通过自主研发、与第三方合作开发等多种方式研发了多项存储芯片测试算法，形成行业领先的测试解决方案。与此同时，公司凭借长期的科技创新与技术积累，不断开发并推出创新产品，持续改进存储晶圆产品化过程中各个工艺环节的技术实现手段，缩短产品导入周期，提升产品性能和稳定性，确保先进半导体存储器的供应安全，为下游各个电子信息细分产业提供可靠的存储解决方案，跻身国内顶尖供应商行列。公司旗下Lexar品牌SSD出货量位列全球第七名。根据Omdia(IHSMarkit)数据，2020年Lexar存储卡全球市场份额位列第三名、Lexar闪存盘全球市场份额位列第四名。展望未来，随着公司研发实力的进一步提升，新产品加速落地/新客户加速突破或可期待，公司有望步入业绩增长快车道。（十一）佰维存储：国产存储模组领先厂商，深化布局研发封测一体经营模式国产存储器模组领先厂商，客户资源丰富。公司成立于2010年，主营业务为半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，主要产品及服务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。近年来，公司产品在国产厂商中市场份额位居前列，并已进入各细分领域国内外一线客户供应体系，营收保持高速增长。公司的主要产品已进入高通、Google、英特尔、微软、联发科、展锐、晶晨、全志、瑞芯微、瑞昱、君正等主流SoC芯片及系统平台厂商的合格供应商名录。公司凭借着优秀的技术实力、服务质量以及严格的品控，与中兴、富士康、联想、传音控股、同方、TCL、创维、步步高、Google、Facebook等国内外知名企业建立了密切的合作关系。布局研发封测一体化的经营模式，具备生产工艺优势。在大数据、人工智能和物联网的加持下，全球电子信息产业进入裂变式发展阶段，5G通讯终端、高性能计算(HPC)、智能汽车、数据中心等新兴应用正在加速半导体产业供应链的变革与发展，对封测工艺及产品性能提出了更高的要求。自建封测产能与自主研发能力的结合给公司带来了重要的竞争优势。首先，在产品开发效率和定制化方面，研发封测一体化布局可更好的支撑到公司在智能穿戴、智能车载与工业级应用等细分市场推出更具竞争力的产品；其次，自建封测能力实现了公司产品全生命周期的质量管理、追溯和改进，深化了公司与一线客户的合作基础，并确保了重要客户的产品交付质量；此外，自建封测也延伸了公司的价值链条。2022年，公司成功引进一批具有国际视野的先进封测团队，不断强化公司先进封测工艺研发及管理能力。（十二）德明利：自研主控芯片夯实模组竞争力，内生外延打造丰富