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半导体物理学_西安交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年在价带中越往上空穴的能量越高。
参考答案:
错误
电子占据费米能级的几率是()(保留一位小数)
参考答案:
0.5
已知非平衡载流子寿命为10微秒,以激发因素消失时刻为计时起点,40微秒时非平衡载流子浓度变化为初始时刻的()%(保留一位小数)
参考答案:
1.8
pn结电容分为势垒电容和()电容。
参考答案:
扩散
为了概括半导体内部势场对电子的作用,我们引入了的概念,它将便于我们描述晶体中电子的运动状态。
参考答案:
有效质量
以下哪个物理量受温度影响不大
参考答案:
载流子饱和漂移速度
扩散系数与温度有关,与掺杂浓度无关。
参考答案:
错误
以下具有耿氏效应的半导体材料是
参考答案:
GaAs
半导体材料硅、锗的晶格结构是?
参考答案:
金刚石结构
利用回旋共振实验测量硅的导带电子有效质量时,如果磁场沿[100]方向,可以测到几个吸收峰?
参考答案:
2
求解连续性方程可以获得载流子的时空分布。
参考答案:
正确
半导体的本征激发对应于以下哪个过程?
参考答案:
电子从价带顶跃迁到导带底
在外加电场的作用下,半导体中导带和价带不再具有统一的费米能级。
参考答案:
正确
最有效的复合中心位于禁带中线附近。
参考答案:
正确
通过功函数差的设计,可以在实际的金半接触中形成反阻挡层从而实现欧姆接触。
参考答案:
错误
当能量远小于费米能级时,费米分布可以用玻尔兹曼分布近似。
参考答案:
错误
p型半导体的费米能级高于n型半导体的费米能级。
参考答案:
错误
随着温度的升高,多数载流子与少数载流子之间的浓度差异会减小。
参考答案:
正确
弗仑克耳缺陷属于线缺陷。
参考答案:
错误
在300K温度下,Ge中掺入P发生了简并,此时费米能级恰好与导带底重合。已知电离
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