吕国泰《电子技术》

第一章半导体二极管和三极管电子技术1当前第1页\共有116页\编于星期日\20点第四节稳压管第五节半导体三极管第三节半导体二极管第二节PN结第一节半导体的导电特性第一章半导体二极管和三极管当前第2页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性一、半导体的特点二、本征半导体三、N型半导体和P型半导体当前第3页\共有116页\编于星期日\20点观看多媒体动画教学片《半导体器件》之一半导体基础知识第一节半导体的导电特性链接动画片4当前第4页\共有116页\编于星期日\20点独特的导电特性1.热敏特性：Ta2.光敏特性：光照

3.掺杂特性：掺入微量元素第一节半导体的导电特性导电能力导电能力导电能力一、半导体特点5当前第5页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性14

+硅原子结构

4+简化模型纯净的具有晶体结构的半导体。二、本征半导体价电子4价元素（硅、锗）6当前第6页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性共价键结构

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4晶体结构——

纯净半导体原子排列整齐共价键结构——两个相邻原子共有一对价电子,价电子受相邻原子核的束缚,处于相对稳定状态。7当前第7页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性共价键结构

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4本征激发——价电子受热或光照后，挣脱束缚成为自由电子。常温下仅极少数。本征激发8当前第8页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性共价键结构

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4本征激发9当前第9页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性共价键结构

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4本征激发自由电子空穴10当前第10页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性共价键结构

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4自由电子空穴本征激发两种载流子：

电子空穴

成对出现11当前第11页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性共价键结构

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4电子流——电场作用下，自由电子的定向移动。自由电子电场电子流12当前第12页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性共价键结构

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4电子递补空穴流

空穴流——电场作用下，电子依次递补空穴的运动。电场13当前第13页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性共价键结构

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4半导体电流=电子流+空穴流电场空穴流电子流14当前第14页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性三、N型半导体和P型半导体N型半导体——掺入5价元素

P型半导体——掺入3价元素

杂质半导体——在本征半导体中掺入适量的杂质元素(非半导体元素)。5价元素——磷、砷等。3价元素——硼、镓、銦等。15当前第15页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性N型半导体

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5+5

多一个价电子掺杂16当前第16页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性N型半导体

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5多子-------电子少子-------空穴+5

掺杂本征激发

4N型半导体示意图电子正离子17当前第17页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性P型半导体

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3多一个空穴+3

掺杂18当前第18页\共有116页\编于星期日\20点第一节半导体的导电特性多子-------空穴少子-------电子P型半导体

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3+3

P型半导体示意图负离子空穴掺杂本征激发19当前第19页\共有116页\编于星期日\20点第二节PN结一、PN结的形成二、PN结的单向导电性当前第20页\共有116页\编于星期日\20点第二节PN结1链接动画片观看多媒体动画教学片《半导体器件》之一半导体基础知识21当前第21页\共有116页\编于星期日\20点

第二节PN结N区P区负离子空穴正离子电子正负电荷中和，不带电一、PN结的形成

22当前第22页\共有116页\编于星期日\20点第二节PN结空间电荷区（耗尽层）内电场P区N区扩散运动——浓度差造成运动。复合——自由电子填补空穴，两者同时消失的现象。漂移运动——载流子在电场力作用下的运动。多子扩散运动少子漂移运动暴露了失去电子的正离子暴露了失去空穴的负离子23当前第23页\共有116页\编于星期日\20点

第二节PN结空间电荷区（耗尽层）内电场P区N区浓度差→多子扩散运动→复合→产生内电场→阻碍多子扩散→有利少子漂移运动→扩散运动和漂移运动达到动态平衡→形成一定宽度PN结多子扩散运动少子漂移运动24当前第24页\共有116页\编于星期日\20点PN结

PNPN结:

P区和N区交界面处形成的区域空间电荷区:

区内只剩离子,带电耗尽层:

区内载流子少名称内电场第二节PN结电位差约为零点几伏宽度为几微米~到几十微米25当前第25页\共有116页\编于星期日\20点（一）外加正向电压——导通二、PN结的单向导电性（二）外加反向电压——截止第二节PN结26当前第26页\共有116页\编于星期日\20点内电场RE外电场P区N区ID外加正向电压外电场抵削内电场,有利于多子的扩散很大限流,防止电流太大第二节PN结PN结多子中和部分离子,使空间电荷区变窄27当前第27页\共有116页\编于星期日\20点REP区N区I反外加反向电压外电场增强内电场,有利于少子的漂移很小第二节PN结PN结内电场外电场少子背离PN结移动，,空间电荷区变宽28当前第28页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管一、二极管的结构三、二极管的伏安特性四、二极管的主要参数五、二极管应用举例二、二极管的单向导电性当前第29页\共有116页\编于星期日\20点阳极一、二极管的结构阴极+-符号3.分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型1.构成：2.符号：第三节半导体二极管PN30当前第30页\共有116页\编于星期日\20点

第三节半导体二极管外壳阴极引线金属丝N型锗片N型硅二氧化硅保护层底座N型硅金锑合金铝合金小球PN结点接触型面接触型平面型31当前第31页\共有116页\编于星期日\20点R

（一）外加正向电压——EID二、二极管单向导电性导通，ID大（二）外加反向电压——截止，I反很小EI反电流不为零第三节半导体二极管R限流,防止电流太大32当前第32页\共有116页\编于星期日\20点I/mAU/VO三、二极管的伏安特性死区UT导通电压:硅0.6-0.8

锗非线性元件第三节半导体二极管导通电压>死区电压,方能正常导通。（一）正向特性导通电压:

硅0.6-0.8V

锗0.1-0.3V死区电压:硅0.5

锗0.133当前第33页\共有116页\编于星期日\20点I/mAU/VOISUBR死区UT导通电压:硅0.6-0.8

锗死区电压:硅0.5

锗0.1反向饱和电流反向击穿电压第三节半导体二极管2.反向击穿现象:

U反大到一定值时I反（二）反向特性1.U反较小时:I反很小,称为反向饱和电流。34当前第34页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管3.产生反向击穿的原因

4.危害:二极管损坏①电击穿:U反大到一定值时,把共价键中的价电子强行拉出强电场引起自由电子加速与原子碰撞，将价电子从共价键中轰出②热击穿:

PN结上功耗大，热量高，PN结因过热烧毁。齐纳击穿：

雪崩击穿：35当前第35页\共有116页\编于星期日\20点I/mAU/VOISUBR死区UT导通电压:硅0.6-0.8

锗死区电压:硅0.5

锗0.1反向饱和电流反向击穿电压第三节半导体二极管归纳36当前第36页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管四、二极管的主要参数

正确选择和安全使用二极管的指标。

(一)最大整流电流IF

允许通过的最大正向平均电流。最大正向平均电流uitOuOtOui+-uO-+–+RL可在半导体手册中查到37当前第37页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管（三）反向电流IR：即反向饱和电流。

I/mAU/VOISUBR（二）最高反向工作电压UR

二极管不被击穿所容许的最高反向工作电压,为UBR的一半。

反向饱和电流反向击穿电压硅几

A锗几十~几百A

反向饱和电流硅管的温度稳定性比锗管好38当前第38页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管（二）极间电容CPN+––+Rui1.PN结存在等效结电容

PN结中可存放电荷,相当一个电容。2.对电路的影响：外加交流电源时，当频率高时，容抗小，对PN结旁通，单向导电性被破坏。（三）最高工作频率fM39当前第39页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管

将二极管的特性线性化处理,按线性电路方法处理。1.二极管理想化模型导通——视为短路截止——视为开路（一）二极管等效模型

五、二极管应用举例2.二极管恒压降模型导通——导通电压UD

截止——开路40当前第40页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管IDUR-+UD-+导通电压:硅管取0.7V锗管取0.2V[例1-3-1]分别用二极管理想模型和恒压降模型求出IO

和UO

的值。IO=E

/R=6/6

=1(mA)UO=V

=6VUO=E

–UD=60.7=5.3(V)IO=UO/R=5.3/6

=0.88(mA)解:1.理想模型2.恒压降模型ER2V6KΩ41当前第41页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管uOtO1.整流：改变信号波形，正弦波变脉动波。已知：二极管理想化求：uO波形ui+-（二）二极管应用举例uitOuO-+–+分两个半周分析

信号正半周时：D导通uO=ui

信号负半周时：D截止uO=0分析思路RL42当前第42页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管２.检波作用：从载波信号中检出音频信号。讨论ui+-uO-+–+RLC旁路高频信号载波信号经二极管后负半波被削去检出音频信号ttt43当前第43页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管３.限幅：把输出信号的幅度限制在某电平范围内。已知：二极管UD＝0.7V求：uO波形5uito3.7讨论+-3V+-uiuO-+–+uOto3.744当前第44页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管B、分两个半周分析

信号正半周时：

ui<3.7V：D截止

uO＝ui。

ui>3.7V：D导通

uO＝3.7V。

信号负半周时：D截止

uO＝ui。A、二极管有导通电压

导通——UD=0.7V。

截止——视为开路。分析思路讨论45当前第45页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管实验一、二极管的限幅作用实验目的：二极管的限幅作用。EDA实验建立电路：二极管双向限幅电路。

实验步骤：1.去掉限幅电路,输出波形为正弦波。

2.分别去掉一只限幅二级管，输出波形削去一部分。

链接EDA146当前第46页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管二极管限幅电路EDA实验47当前第47页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管EDA实验

结论:二极管具有限幅作用。电路情况输出波形无限幅电路去掉1V的限幅电路去掉2V的限幅电路实验数据：48当前第48页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管uAuBuO已知:UD＝0.7V求：uA、

uB

分别为0.3V、3V不同组合时的uO４.钳位与隔离

讨论

隔离作用——二极管D截止时，相当于断路，阳极与阴极被隔离。

钳位作用——二极管D导通时，管压降小，强制阳极与阴极电位基本相同。

-12VRDADBFAB49当前第49页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管（1）uA与uB为相同电平时，DA、DB均导通。uO=0.3-0.7=0.4V当uA=uB=3V时:uO=3-0.7=2.3V1V0.3V0.3V3V3V2.3V当uA=uB=0.3V时:分析思路-12VRDADBuAuBuOFAB50当前第50页\共有116页\编于星期日\20点第三节半导体二极管0.3V3V1V（2）uA与uB为不同电平时：DA管的箝位作用：低电平使DA管优先导通，把uO箝位在1V,DB管加上反向电压，不再导通。二极管箝位作用分析思路DB管的隔离作用：把输入端B和输出端F隔离开。-12VRDADBuAuBuOFAB51当前第51页\共有116页\编于星期日\20点第四节稳压二极管一、硅稳压二极管及其特性二、硅稳压二极管主要参数当前第52页\共有116页\编于星期日\20点第四节稳压二极管一、硅稳压二极管及其特性

（一）稳压作用

工作在反向击穿区域。

∆I大变化,∆U基本不变。（二）稳压管符号＋－阳极阴极正向运用：相当导通二极管UZ=0.7VUZ▵IZIZmaxIZ▵UZ＋－反向运用：

UZ＝U击，起稳压作用DzU/VI/mAO53当前第53页\共有116页\编于星期日\20点(三)应用稳压管反向击穿不会损坏:

①经特殊工艺处理。②加限流电阻,保证IZ≤IZmax

。+UI-UOUZ+-

UI增加,UO基本不变,增加量由R承担。限流电阻调节电阻RDＺRLUo=UZ第四节稳压二极管54当前第54页\共有116页\编于星期日\20点实验二、稳压管的稳压作用实验目的：稳压二极管的稳压作用。建立电路：1.取电位器RA调整输入电压UI。

2.取电位器RB调整负载RL。EDA实验实验步骤：调整RB，改变负载RL，观察前后变化情况。

链接EDA2第四节稳压二极管55当前第55页\共有116页\编于星期日\20点EDA实验稳压电路第四节稳压二极管56当前第56页\共有116页\编于星期日\20点

结论:RL变化,UO基本不变。实验数据：EDA实验R

uo1k✕5%7.024V1k✕80%6.916V第四节稳压二极管57当前第57页\共有116页\编于星期日\20点OI/mAU/V∆UZ∆IZUZIZ1.稳定电压

UZ：

反向击穿时电压值。2.稳定电流

IZ和最大稳定电流IZmax

：

IZ指对应稳定电压时的反向电流。

IZmax指稳压管允许通过的最大反向电流。4.动态电阻

rZ＝：愈小稳压效果好。二、硅稳压二极管主要参数IZmax3.最大耗散功耗：

PZM=UZIZmax第四节稳压二极管58当前第58页\共有116页\编于星期日\20点UZ>5~6V

正温度系数UZ<5~6V

负温度系数5V<UZ<6V

温度系数最小5.电压温度系数α：说明稳定电压随温度的变化程度。

电压温度系数——当环境温度变化1℃时稳定电压变化的百分比。例：2CW15的αU=0.07%/℃

温度提高，稳定电压增加OI/mAU/V∆UZ∆IZUZIZIZmax第四节稳压二极管59当前第59页\共有116页\编于星期日\20点归纳二极管1.二极管的特性：单向导电性。2.特性曲线：

导通电压、反向饱和电流、反向击穿电压。3.应用：整流、限幅、开关。

等效电路：理想化型、恒压降型。4.二极管的主要参数。

二极管的结电容。5.稳压管：二极管工作在反向击穿区域。第四节稳压二极管60当前第60页\共有116页\编于星期日\20点阳极阴极PNPNN是什么?思考题当前第61页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管一、三极管的结构二、三极管的电流分配关系和电流放大作用三、特性曲线四、主要参数五、三极管应用举例当前第62页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管一、三极管的结构发射极基极集电极发射区基区发射结集电结集电区bceNPN型NNP63当前第63页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管PPN发射极基极集电极发射区发射结基区集电结集电区bcePNP型64当前第64页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管NNP几百微米几微米ebc三极管结构图b区薄,掺杂浓度最低c区面积最大e区掺杂浓度最高65当前第65页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管

1.类型

NPN型

PNP型

e区掺杂浓度最高

2.结构特点

b区薄,掺杂浓度最低

c区面积最大

归纳

低频小功率管

3.按用途分类低频大功率管高频小功率管

高频大功率管开关管66当前第66页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管三极管常见外型图67当前第67页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管半导体三极管观看多媒体动画教学片《半导体器件》之二链接动画片68当前第68页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管二、三极管的电流分配关系和电流放大作用三极管可用于放大(也可做电子开关)。

放大——将微弱电信号增强到人们所需要的数值。ebc

共发射极放大电路——发射极为交流输入和输出电压的公共端uCE输出端口+-uBE输入端口+-讨论具备什么条件才能起放大作用？69当前第69页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管(一)

放大的条件1.加电原则发射结（e

结）正向运用集电结（c

结）反向运用+-UCB+-UCE+-UBENNPbece结c结NP+-正向运用bceRBEB+-RC+-ECRCRB+-ECEB+-70当前第70页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管加电原则发射结（e

结）正向运用集电结（c

结）反向运用--UCB-+UCE++UBEPPNbece结c结RBRC+-ECRCRBbce讨论PNP管如何加电源？EB+-+-ECEB+-71当前第71页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管2.电位特点

NPN型：VC＞Vb＞Ve

PNP型：

VC＜Vb＜VeUBE硅0.6~0.8V锗0.1~0.3VUCB几伏——十几伏

UCE＝UCB＋UBE

几伏——十几伏

UCE3.电压数值+-UCB+-UCE+-UBEbceRCRB+-ECEB+-72当前第72页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管（三）电流分配实验电路IBIEICRCRBEB+-+-ECmAmAμA调RB改变发射极电压UBE和基极电流IB不同IB对应不同的IC和IE73当前第73页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管1.电流通路2.电流流向IBIEICNPN型：IC、IB流入，IE流出PNP型：IC、IB流出，IE流入RCRB+-ECEB+-74当前第74页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管IB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)<0.0010.0040.701.502.30IE(mA)<0.00100.721.542.363.电流关系（1）IE=IB+IC（2）IC≫IBIE≈IC结论符合基尔霍夫电流定律75当前第75页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管测量数据IB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)<0.0010.0040.701.502.30IE(mA)<0.00100.721.542.36（3）IB与IC的比例为常数称直流电流放大系数，用β表示电流放大作用76当前第76页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管测量数据IB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)<0.0010.0040.701.502.30IE(mA)<0.00100.721.542.36(4)I

B微小变化引起了IC较大变化称交流电流放大系数，用β表示77当前第77页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管（5）当

IE＝0，e极开路时ICBObcePNNIB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)<0.0010.0040.701.502.30IE(mA)<0.00100.721.542.36ICBO为反向饱和电流78当前第78页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管(6)当

IB＝0，b极开路时ebcPNNIB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)<0.0010.0040.701.502.30IE(mA)<0.00100.721.542.36

ICEO

为穿透电流ICEO电流从c区穿过b区流到e区79当前第79页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管（四）放大作用Δui

uBE变iE变iB小变化iC大变化uRC变

将小信号放大iBiEiCuBEuiEC+-RCEB+-RBuO80当前第80页\共有116页\编于星期日\20点

e区掺杂浓度最高内部条件

b区薄,掺杂浓度最低

c区面积最大

放大的条件外部条件发射结正偏集电结反偏第五节半导体三极管iBiEiCuBEEC+-RCEB+-RBui81当前第81页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管直流电流放大系数

交流电流放大系数以IB小变化控制IC大变化

放大实质重要公式考虑反向饱和电流时82当前第82页\共有116页\编于星期日\20点ECc极b极e极NPNc结e结RBEBRC三极管内部载流子运动正向偏置反向偏置多子少子忽略83当前第83页\共有116页\编于星期日\20点1.发射区向基区扩散电子

（五）三极管内部载流子运动2.电子在基区的扩散和复合e结加正向电压：3.集电区收集电子第五节半导体三极管电源EB不断向基区补充空穴。c结加反向电压有利于少子漂移电子越过c结被收集电源EC不断向发射区补充电子。多数向c结方向扩散少数与空穴复合

（浓度低忽略）发射区向基区扩散电子基区向发射区扩散空穴

84当前第84页\共有116页\编于星期日\20点ECc极b极e极NPNc结e结RBEBRC三极管内部电流分配

少子ICBOICIBIE少数复合I

CNI

BNI

EN多子85当前第85页\共有116页\编于星期日\20点载流子运动形成的电流发射极电流

IE:

发射区向基区注入电子。

ICN:向C

结方向扩散形成电流。IBN:少数与空穴复合形成的电流。ICBO:集电区少子漂移形成的电流。IC:集电区收集电子形成的电流。IC=ICN+ICBO第五节半导体三极管IB:基极电源提供的电流集电区少子漂移形成的电流ICBOIB=I

BN

ICBO86当前第86页\共有116页\编于星期日\20点ECRCEBRBc极b极e极NPNc结e结IBICIEI

ENI

CNICBOI

BN三极管电流放大作用uoui+-87当前第87页\共有116页\编于星期日\20点ECRCRBc极b极e极NPNc结e结IENICNICBOIBNICIEIBuoui+-88当前第88页\共有116页\编于星期日\20点三极管电流放大作用第五节半导体三极管复合收集发射三极管结构确定后,IB与IC比例为常数。基区薄,掺杂浓度低,复合少,IB小。比例系数IB微小变化引起IC较大变化：结电压变，IE变，复合的IB小变化，收集的IC大变化。89当前第89页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管[例1-5-1]判断三极管的电极、类型、材料。3.5V2.8V12V类型：材料：电极：讨论+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbceUBE硅0.6~0.8取0.7V锗0.1~0.3取0.2V电位居中—b极两电位靠得近—e极剩下－c极NPN:VC最高PNP:VC最低解题思路90当前第90页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管三、特性曲线IBICUCE+-+-UBE输入特性曲线：UCE一定时，IB~UBE关系输出特性曲线：

IB

一定时，IC~UCE关系

管子各电极电压与电流的关系曲线，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。可调电源限流电阻限流电阻EB+-RBRC+-ECµAmAVV91当前第91页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管

(一)输入特性曲线e结相当一个二极管,但要受输出UCE的影响UCE≽1VIB/mAUBE/VOUCE=3VUCE=0VIB/mAUBE/VOIBICUCE+-+-UBERBRC+-ECEB+-µAmAVV近似重合92当前第92页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管

（二）输出特性曲线截止区饱和区IBICUCE+-+-UBERBRC+-ECEB+-µAmAVVIB1=0IB2=20μAIB3=40IB4=60IB5=80IB6=1000UCE/VIC/mA123436912放大区93当前第93页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管三个工作区域1.截止区：

IB=0以下区域，IC≈0特点：失去放大作用。截止区IB1=0IB2=20μAIB3=40IB4=60IB5=80IB6=1000UCE/VIC/mA123436912IB=0时,IC≈穿透电流ICEO94当前第94页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管2.放大区：曲线平坦部分

▵IB▵IC

特点：

①受控特性：IC受IB控制。

②恒流特性：IB一定时，IC不随

ICE而变化。▵uCE▵IC三个工作区域0IB=0μA20μA40μA60μAUCE/VIC/mA放大区369121234

曲线间距反映电流放大系数β

95当前第95页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管0UCE/(V)IC/(mA)3.饱和区:曲线上升部分,UCE很小，UCE＜UBE

特点：IC不受IB控制，失去放大作用。IC1IB1IC2IB2▵IB▵IC变化小,不成比例饱和区三个工作区域UCES饱和压降96当前第96页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管三极管工作状态区分放大区饱和区截止区e结正向偏置正向偏置反向偏置c结反向偏置正向偏置反向偏置UCE=UCB+UBEUCE<UBE时:UCB为负，由反向偏置转为正向偏置。UCE=UBE时:UCB为零；+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce97当前第97页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管UCE=UCB+UBE深度饱和：UCE<UBE，UCB为负。临界饱和：UCE=UBE，UCB为零。小功率管深度饱和时：

硅管UCES

0.3V~0.5V

锗管UCES0.1V~0.2V+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce三极管工作状态区分98当前第98页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管三极管工作状态区分放大区饱和区截止区e结正向偏置正向偏置反向偏置c结反向偏置正向偏置反向偏置e结c结均反向偏置。+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce

硅管UBE<死区电压0.5V已开始截止，为使e结可靠截止,令UBE≤0。99当前第99页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管四、主要参数（一）直流参数

衡量三极管处于直流工作状态时放大能力的参数。1.共射直流电流放大系数

（当IC>>ICEO时）2.极间反向电流ICBO，ICEO

衡量三极管质量优劣的参数。受温度影响很大。100当前第100页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管ICBO穿透电流反向饱和电流e极开路，c-b间加反压时。（1）集-基反向饱和电流ICBO（2）集-射反向穿透电流ICBOb极开路，c-e间加反压时。β不超过100尽可能小+-EC+-ECμAICEOμA少数载流子随温度增高而增大。101当前第101页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管

描述晶体管处于交流工作状态（动态）时放大能力的参数。(二)交流参数

共射交流电流放大系数β

由于制造工艺的分散性，相同型号的管子β也有差异。β取20~100。102当前第102页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管(三)极限参数ICM，PCM，UCEO最大集电极电流ICM:

超过时，β下降。ICM就是

β下降到正常值2/3时的IC。最大集电极耗散功率PCM:

PCM=IC.UCE

PCM与环境稳度有关，注意手册中对散热片的要求。为保证晶体管安全工作对它的参数的限制。+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce103当前第103页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管级间反向击穿电压:UCBO——e极开路时，c结反向击穿电压。UEBO——c极开路时，e结反向击穿电压。UCEO——b极开路时，c极-e极反向击穿电压。I/mAU/VoU(BR)+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce反向击穿电压三极管有两个PN结104当前第104页\共有116页\编于星期日\20点第五节半导体三极管安全工作区0IB=0μA102030UBE/VIC/mAICM最大集电极电流PCM最大集电极耗散功率UCEO级间反向击穿电压PCM