微电子科学与工程介绍课件

微电子科学与工程IntroductiontoMicroelectronics介绍要点1.经典著作2.高校院系3.行业资源4.科学网站5.行业牛人6.总结微电子的经典书籍

信息来源：百度

关键字：微电子经典书籍

模拟CMOS集成电路设计作者:毕查德·拉扎维

半导体制造技术作者:MichaelQuirk/JulianSerda

晶体管原理与设计作者:陈星弼

模拟电路版图的艺术作者:黑斯廷斯半导体制造技术作者:MichaelQuirk/JulianSerda

模拟集成电路的分析与设计作者:PaulR.Gay

信息来源：豆瓣网期刊：《微电子学》

《微电子学》是由中国电子科技集团公司第二十四研究所主办，并向国内外公开发行的科学技术刊物。国内统一连续出版物号：CN50-1090/TN；国际标准连续出版物号：ISSN1004-3365；国际刊名代码（CODEN）：WEIDFK；双月刊，A4幅面，128页，每逢双月20日出版。

《微电子学》创刊于1971年。她经历了中国微电子事业从无到有的创业历程，目睹了微电子科研战线上无数次冲锋陷阵；她肩负着传播微电子科学技术知识的重任，记载着微电子科研工作者辛勤的耕耘和丰硕的收获。多年来,《微电子学》为推动和促进我国微电子事业的发展做出了应有的贡献。在广大读者和作者的热心支持和辛勤浇灌下，《微电子学》已获得巨大的社会效益，成为广大工程技术人员的良师益友，深受广大读者的喜爱，在半导体、微电子学界和业界赢得了很高的声誉。《微电子学》是中国权威期刊检索工具书《中文核心期刊要目总览》评定的无线电电子学、电信技术类“中文核心期刊”和《中国科技论文统计与分析》引用期刊，即“中文科技核心期刊”；《微电子学》是首批入选“中国期刊方阵”的“双效期刊”，曾多次荣获电子工业部、信息产业部、工业和信息化部“编辑质量奖”、“优秀电子科技期刊奖”、“电子科技期刊报道选题奖”、“期刊学术技术水平优秀奖”等荣誉。《微电子学》已被多家国内外知名数据库收录，其中包括英国INSPEC数据库、俄罗斯《文摘杂志》（РЖ）数据库，和中国学术期刊综合评价数据库、中国科学引文数据库、中文核心期刊（遴选）数据库、中国知网－中国期刊网、万方数据－数字化期刊群、维普资讯－中文科技期刊数据库，以及《电子科技文摘》、《中国无线电电子学文摘》等重要检索文献。信息来源：百度关键字：微电子的期刊编辑出版：微电子学杂志编辑部

主办：中国电子科技集团公司第二十四研究所

出版周期：双月刊出版地：重庆市

语种：中文ISSN：1004-3365中国知名论文

来源于百度，搜索内容为：中国微电子知名论文微电子学研究院的5篇论文被微机电系统领域顶级国际会议——IEEE第26届微机电系统国际会议（IEEE

MEMS

2013）录用。其中，有两篇来自于张海霞教授研究团队，一篇由吴文刚教授指导的硕士研究生完成。值得一提的是，另有两篇论文是2009级本科生常一阳、欧阳伟作为第一作者完成，分别由张锦文副教授和王玮副教授指导的。这是微电子学研究院首次由本科生作为第一作者在IEEEMEMS会议上发表论文。IEEEMEMS会议是MEMS领域的国际顶级会议。第26届会议将于2013年1月20—24日在台北举行，最终录用311篇高水平论文（论文录用率为40%）。

源于百度，检索结果2009年安大微电子培养方案培养目标：本专业培养具有微电子学、电子技术、信息系统知识的高级工程技术人才。毕业后能从事VLSI设计、微电子器件与工艺、电子线路设计、计算机应用方面的工作。主要课程：半导体物理、半导体器件物理、集成电路设计原理、信号与系统、电子线路、通信原理、电磁场与微波技术、数字信号处理、数据结构、微机原理及应用等。就业去向：国家机关、大中专院校、科研院所、集成电路设计、微电子器件制造、电子、通信以及与电子信息技术相关的企事业单位。授予学位：工学学士。安大微电子培养方案行业资源

信息来源百度博客随着第三次工业革命的兴起，硅作为一种新材料引起世人的重视，微电子作为一个独立的专业逐渐从物理学中分离出来。第三次工业革命起源于美国，因此，微电子专业也首先从美国兴起。在现在知识经济时代，信息技术是基础和支柱，而微电子技术又是信息技术的基础和支柱，因此微电子引起世界各国的高度重视，都积极发展微电子专业教育，为微电子工业培养研究开发人才。

美国对微电子专业的教育是相当重视的，在美国的“麻省理工大学”、“斯坦福大学”等世界知名大学都设有微电子专业，并视为国家重点学科。美国的微电子研究所遍布美国大部分高校，并且对微电子研究的投资是相当巨大的。

微电子学在我国起步较晚，在五六十年代，作为半导体物理专业研究。随着改革开放，我国现代化建设对微电子人才需求迫切，微电子专业逐渐发展并普及起来。现在，北京大学、清华大学、南开大学、西安交通大学等大部分重点院校都设有微电子专业。李志坚同志是我国微电子的先驱，现任北京大学微电子研究所所长，中科院院士，主要从事微电子新工艺新器件新结构集成电路、微机电系统（MEMS）等方面的研究，已经出版著作5部，发表学术论文150余篇，获得国家发明奖、教育部科技进步奖等13项国家和部委级奖励。刘训春同志作为中科院微电子中心课题负责人，曾长期从事硅双极高速集成电路的研究。研制成功当时在国内领先的肖特基TTL和ECL等电路及等平面隔离等技术。近几年来，从事CaAs器件的研究。首次报导了在高温退火时砷蒸汽对难溶金属Au∕WSiN栅的影响并研究成功高跨导、亚微米Au∕WSiN栅自对准GaAs器件。圆满完成了“七五”和“八五”攻关课题研究。张利春同志任北京大学教授，主要从事多晶硅发射极超高速器件及集成电路技术、GeSi异质结双极器件及其集成电路，多晶硅技发射极和GeSi异质结高频功率晶体管等方面的理论模型、器件结构、工艺技术和电路设计的研究工作。已发表学术论文80余篇，获国家发明专利3项，获全国科学大会奖、国家重大科技成果奖、国家教委科技进步奖等8项国家和部委级奖励。

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百度：微电子专家中科院院士

中国微电子专家-李志坚

李志坚，清华大学微电子学研究所教授，中国科学院院士，我国著名微电子专家。1928年生，浙江镇海人。毕业于浙江大学物理系，1958年获苏联列宁格勒大学副博士学位。1958年起在清华大学工作，长期担任电子工程系半导体教研室主任，微电子所所长职务。现任清华大学学术委员会副主任，国家信息化专家资深委员会委员。校外职务有：中国电子学会副理事长，全国科协委员，半导体和集成技术学会副主任委员，“电子学报”编委，“半导体学报”编委会副主任，以及国家超晶格实验室，国家表面物理实验室等学术委员会主任。曾多次获国家奖励，包括荣获1997年度陈嘉庚信息科学奖和2000年度何梁何利基金科学与技术进步奖。郑耀宗-中国科学院院士,中国著名微电子学专家郑耀宗简介:郑耀宗，男，1939年2月9日生于香港，籍贯广东中山。微电子学专家。1963年毕业于香港大学，获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。香港大学校长、教授。1999年当选为中国科学院院士。长期以来对金属－氧化硅－硅(MOS)系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。心得体会

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