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选修电子控制技术第三章第3节走进数字电路
(第3课时)延迟福【任务三】认识常用的数字集成电路门电路是用晶体三极管或MOS管(金属氧化物半导体场效应管)构成的电路,现在都已集成化,是一种数字集成电路。在数字电路中,用电平的高和低来代表逻辑1和逻辑0。1、电阻和开关构成的数字电路开关U0F打开高电平1闭合低电平02、晶体三极管非门电路A三极管F0截止11饱和0【马上行动】P621.将输入端接地,用多用电表测量电阻Rc两端的电压Ur=
v
V,此时晶体三极管集电极的电流Ic
(填“很大”或“很小”),三极管处于
(填“导通”或“截止”)状态;三极管集电极c与发射极e之间的电压Uce=
V,属于
(填“高”或“低”电平)2.将输入端接入3V电压,用多用电表测量电阻Rc两端的电压Ur=
V,此时晶体三极管集电极的电流Ic
(填“很大”或“很小”),三极管处于
(填“导通”或“截止”)状态;三极管集电极c与发射极e之间的电压Uce=
V,属于
(填“高”或“低”电平)3.根据测出的电压关系,判断该电路的逻辑功能。3、MOS管简介如图3-53所示是它的电路符号。它和晶体三极管一样也有三个极∶源极S、栅极G和漏极D。这三个极和晶体三极管的各电极的对应关系是∶源极相当于发射极,通常接地;漏极相当于集电极,通常通过电阻接电源;栅极相当于基极,用来控制漏极电流的大小。4、数字集成电路的类型TTL(晶体管-晶体管逻辑)电路是用普通晶体三极管构成的集成电路,与CMOS相比,其运行速度较快,允许负载流过的电流较大,但消耗功率较大。CMOS(互补MOS电路)电路是用MOS管构成的集成电路,在工作时消耗的功率最低,但工作速度较TTL的低,允许负载流过的电流较TTL的小。CMOS器件与TIL器件的逻辑电平和电路的输出能力不一样,因此两种类型的集成电路通常不能在同一个电路中使用,如需同时使用,要在它们之间加上电平转换电路。CMOS器件比较容易损坏,使用时要注意保护,如电源的极性不能接反,并做好防静电处理等。分类TTLCMOS工作电源Vcc=5VVdd=3-18v正极及接地名称正极:Vcc负极:GND正极:Vdd负极:Vss输入电压高:2.4-5V低:0-0.8V高:3-5V低:0-2V特点运行速度快,允许流过负载电流大,功耗大,集成度低运行速度慢,允许流过负载电流小,功耗小,集成度高多余管脚多余管脚(输入)与周围管脚短接、或与正极或负极相连(不能影响原逻辑)多余管脚(输出)悬空输入不能悬空,与非门接Vcc,或非门接地,输出悬空数字集成逻辑门引脚识别
1.集成逻辑门引脚判断规律如图所示的集成逻辑门引脚图,图上有一个半圆凹槽。管脚朝下,半圆凹槽向上,则半圆凹槽左侧第1个引脚为引脚1,按逆时针方向依次增加。此规律可推广至大部分芯片,对于芯片上有半圆凹槽、整圆凹槽、小圆点等标志的芯片同样适用。若半圆凹槽、整圆凹槽都存在,则以半圆凹槽为主。2.部分常用集成逻辑门引脚图【练习】1关于TTL和CMOS集成电路的描述,下列说法中不正确的是(
)
A.TTL集成电路由三极管构成,运行速度快
B.CMOS集成电路由MOS管构成,运行速度慢
C.相对CMOS而言,TTL集成电路消耗功率大
D.TTL与CMOS集成电路不可以用在同意数字电路中D2.如图所示是CC4001集成芯片引脚图,该芯片名称是(
)
A.四2输入或非门
B.双4输入或非门
C.四2输入与非门
D.双4输入与非门A3.如图所示的电路,下列分析中不正确的是(
)A.S1接地
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