模拟电子技术基础知识点总结

经典word整理文档，仅参考，双击此处可删除页眉页脚。本资料属于网络整理，如有侵权，请联系删除，谢谢！一.1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(。2.特性---3.本征半导体----4.----5.杂质半导体----型半导体:型半导体:6.*载流子的浓度---*体电阻---*转型---结*结的接触电位差---0.6~0.8V0.2~0.3V。*结的单向导电性---二.*单向导电性------*二极管伏安特性----*正向导通压降------0.6~0.7V0.2~0.3V。*死区电压------0.5V0.1V。3.分析方法------:若V()，二极管导通(短路);阳阴若V(，二极管截止(开路)。阳阴1Q。➢*总的解题手段----:若V阳阴(，二极管导通短路);若V阳阴(，二极管截止开路。*➢三.*稳压二极管的特性---第二章§一.1.类型---和2.特点---二.**输入特性曲线---*放大区---截止区---CBO、CEO、ICh---iebeh---fe四.、V、R、R、C、CCCbc122.组成原则----五.*概念---*画法---*作用---*直流负载线---由VRCCCCCE*1R：Qb2R：QIcBQ3V：直流负载线平移，QCC*概念---*画法---电容视为短路,*作用---*交流负载线---QV’点V’=U+IR’的CCCCCEQCQL（1*产生原因---Q*失真现象管削顶，*消除方法---。（2）*产生原因---Q*失真现象管削底，*消除方法---RcV。bCC（1）opp---（2*当（UU）＞（V’－U）时，受截止失真限制，UR’。CEQCESCCCEQOPPOMAXCQL*当（UU）＜（V’－U）时，受饱和失真限制，U（UUCEQCESCCCEQCEQOPPOMAXCEQCES*当（UU）＝（V’－UCEQCESCC六.（1（2）QQR＞。B2.***七.12*在ee后*八.12*****§一.）1.U-----P二.绝缘栅型场效应管（）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS*式中，I是U=2UiDOGSTD*uiUGSDP三.1.2.p3.T4.GS5.g(表明场效应管是电压控制器件)m四.g---m2.*六.*或，，一.阻容耦合-------直接耦合----“零点漂移零点漂移----uo偏离初始值“零点”二.抑制零点漂移的过程----当Ti、ii、iuu、ui、ii、i↓。C1C2E1E2EBE1BE2B1B2C1C2e“共模反馈电阻”。2C设U≈0U－0.7VBEUCE•••单端输出时(设R)L：：1•••单端从：从：23••当u在U与-U：Iimim1.输入级----2.中间级----多采用共射或共源)3.输出级----4.偏置电路----四．理想集成运放的参数及分析方法*od→∞；*id→∞；*o→0；*CMR→∞；运放工作在线性区:*电路特征*电路特点——“虚短和虚断“虚短”---“虚断”---*电路特征*电路特点输出电压的两种饱和状态:当uu时，u=+U+-oom当uu时，u=-U+-oom两输入端的输入电流为零:ii+-一.1．中频段(fff波特图---20lg-180o。2．低频段(f≤f‘3．高频段(f≥f4二.1四..＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ2．当ＡＦ3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ4．当ＡＦ，Ａ“自激振荡”ｆ反馈的范围----反馈的性质----反馈的取样----反馈的方式-----流形式相叠加。ss反馈极性（1（2+－（3（4X与X的极性，确定净输入信号的大小。Xifid馈；Xid三.四.*倍*倍*倍*倍五.分析依据------虚断和“虚短”.21f21fRR//R//R//R4123f1234f512f345..产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈):起振条件:：相位条件:3.(1)放大电路-------(2)正反馈网络----(3)选频网络-------(4)稳幅环节-------*(1)振荡器-----振荡频率较低,1M以下;(2)振荡器-----振荡频率较高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----二.三.*相位条件的判断------射同基反”或“三步曲法”（1）电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路)（2）电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)（3（4四.一.1.，IoCQ2.I≈0，o3.oo➢任意状态：im➢尽限状态：om=V-UCCCES5.Pc1mom三.在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真。➢OCL----➢OTL----CV/22CC功放中的负电源-V。CCV/2CC四.c-e·β12一．直流电源的组成框图••••二.2S34RM