物理研讨期末报告_第1页
物理研讨期末报告_第2页
物理研讨期末报告_第3页
物理研讨期末报告_第4页
物理研讨期末报告_第5页
已阅读5页，还剩25页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

Graphenesensor(microphone)报告人：王子祺(1210243)百项组成员：王子祺，姜梦成，谭奥域指导教师：刘智波OutLine回顾任务光刻腐蚀结构转移石墨烯总结回顾回顾下开题报告中我自己给现阶段提的任务：主要是要完成能让让石墨烯悬浮微米级别的结构的制作。1.硅表面的孔洞结构2.硅表面的沟槽结构2023/2/6结构I利用自由(无基底)石墨烯的能带结构与应变的关系制作振动传感器。GrapheneholeAusiliconsubstrateSDG2023/2/6结构II上一种方案加工可实现性较高，但其边缘不确定可能会导致所参考理论失效，考虑石墨烯纳米带在空槽中的方案：siliconsubstrateGutterSDGAu光刻基于设计，我们要制作微米量级的结构。结构尺度过小(如纳米量级)1.相应的微型加工比较困难2.对振动响应较小结构尺度过大(如毫米量级)1.机械剥离的石墨烯最大为微米量级2.CVD石墨烯在转移时较为困难光刻对于微米尺度的结构，一般采取光刻—腐蚀的方法来制作，基本流程如下：衬底材料光刻胶(正)涂胶匀胶定点曝光显影腐蚀衬底光刻最终洗去光刻胶，得到制备好的样品：孔洞结构沟槽结构光刻具体流程如下：将衬底材料表面擦净，并做氧离子刻蚀。将衬底材料转移进手套箱。调试好手套箱的循环系统和手套箱中的匀胶机。带上手套，关闭外光源，开启内置红色光源。用胶头滴管将光刻胶涂抹在衬底材料上表面(按实涂抹，包括四边和四角)开启匀胶机，2000转/分钟的转速离心30s。光刻氧离子刻蚀清洁衬底手套箱中涂胶匀胶光刻

光刻曝光用光学平台及红色单色光源全程保证避光的特殊处理培养皿光刻第二次，直接采用了硅片进行刻蚀：涂抹光刻胶曝光光刻显影后的光刻胶氢氟酸腐蚀掉表面二氧化硅层后腐蚀结构腐蚀硅表面后所测长度为：133.35微米腐蚀结构问题与反思腐蚀后结果中，孔洞直径过大，和预期的40,50,60微米相差3-4倍。可能为曝光时杂光干扰，和涂抹光刻胶时未粘牢有关。腐蚀中，出了期望的结构外，出现了许多满足我们要求的微小孔洞（随机产生的）。主要原因还是杂光干扰，也有可能某些区域二氧化硅层较薄，被碱性硅腐蚀液腐蚀出缺陷导致。需要加强擦硅片和涂光刻胶等基本能力的训练。转移石墨烯由于预期腐蚀的孔洞未能达到要求，故挑选合适大小的随机产生的结构完成石墨烯的转移。转移石墨烯

转移石墨烯

另一种尝试二氧化硅硅PDMS石墨烯甩上PDMS转移石墨烯腐蚀二氧化硅捞起带有石墨烯的PDMS薄片并固定导线导电银胶石墨烯PDMS总结

反思与展望应在熟练掌握基本技能的基础上，做自己想要的实验（磨刀不误砍柴工）继续完成向PDMS薄

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 备课教案

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论