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文档简介

电力MOSFET驱动电路报告人：吴国瑞导师：康龙云MOS高频开关工作状态等效模型CGD=CRSSCGS=CISS-CRSSCDS=COSS-CRSSMOSFET开关特性MOSFET驱动要求一个好的MOSFET驱动电路的要求是：（1）开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡;（2）开关管导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定使可靠导通;（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断;（4）关断期间驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通;（5）另外要求驱动电路结构简单可靠,损耗小,根据情况施加隔离。

不隔离的驱动电路应用：单个开关管或多个开关管源极共地的场合最简单的情况：PWM信号直接驱动有时候，PWM信号的输出信号功率比较大，或MOS管结电容较小，需要驱动功率小，工作频率比较低，性能要求不高的场合，可以直接由控制电路产生的PWM信号驱动，或仅加拉电阻驱动。如右图：增大驱动电压的简单方法控制信号电压不够，输出功率较低的情况下，需要增大门极驱动电压。可以用三极管或场效应管加一个高电平来拉高。不隔离的驱动电路1、图腾柱结构优点：功耗低，速度快缺点：输出电压受控制信号影响图腾柱结构改进进一步改进产生负压的方法二、隔离驱动电路技术方法：1、光隔离：光耦元件2、电磁隔离：脉冲变压器光耦隔离驱动电路脉冲变压器隔离的驱动电路脉冲变压器正激驱动方法推挽式隔离驱动另外，利用MOS集成驱动IC，可以构建隔离或不隔离的驱动电路，如IR2110，UC3724/ 37

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