标准解读

《GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法》是一项国家标准，专门针对氮化镓（GaN）单晶材料中位错密度的测定方法进行了规定。该标准采用了阴极荧光显微镜技术作为主要手段来实现对位错密度的定量分析。阴极荧光显微镜能够通过观察样品在电子束激发下发出的荧光强度分布情况，从而间接反映出晶体内部缺陷的状态。

标准首先明确了适用范围，指出其适用于采用金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法制备的氮化镓单晶片。接着，详细描述了实验所需设备条件，包括但不限于阴极荧光显微镜、扫描电镜等，并且对这些仪器的具体参数提出了要求。此外，还列举了进行测试时所需要的辅助工具和试剂。

对于样品准备过程，《GB/T 32282-2015》给出了具体指导，包括取样位置的选择、表面处理方式等，以确保所测得的数据具有代表性。同时，标准也强调了如何正确设置阴极荧光显微镜的工作参数，比如加速电压、电流密度等，以便获得清晰准确的图像信息。

在数据采集与处理方面，文件说明了如何从阴极荧光图像中识别出代表位错的特征信号，并提供了计算位错密度的方法。这通常涉及到统计一定区域内亮点的数量，并将其转换为单位面积上的位错数目。最后，为了保证测量结果的一致性和可比性，《GB/T 32282-2015》还制定了一系列的质量控制措施，包括重复性试验、再现性试验等，以及相应的评判标准。

该标准为氮化镓单晶材料的研究开发及质量控制提供了科学依据和技术支持。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2015-12-10 颁布
  • 2016-11-01 实施
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GB/T 32282-2015氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法_第1页
GB/T 32282-2015氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法_第2页
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文档简介

ICS77040

H21.

中华人民共和国国家标准

GB/T32282—2015

氮化镓单晶位错密度的测量

阴极荧光显微镜法

TestmethodfordislocationdensityofGaNsinglecrystal—

Cathodoluminescencespectroscopy

2015-12-10发布2016-11-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T32282—2015

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司

:、。

本标准主要起草人曾雄辉张燚董晓鸣牛牧童刘争晖邱永鑫王建峰徐科

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32282—2015

氮化镓单晶位错密度的测量

阴极荧光显微镜法

1范围

本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法

。

本标准适用于位错密度在3个28个2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试

1×10/cm~5×10/cm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所用的修改单适用于本文件

。,()。

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1554

半导体材料术语

GB/T14264

微束分析扫描电镜图像放大倍率校准导则

GB/T27788

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

阴极荧光cathodoluminescence

材料在阴极射线电子束激发下产生发光的一种物理现象

()。

32

.

辐射复合radiativerecombination

电子从高能态到低能态的跃迁过程中电子和空穴复合时会释放一定的能量能量以光子的形式

,,

释放

。

33

.

非辐射复合nonradiativerecombination

电子从高能态到低能态的跃迁过程中电子和空穴复合时会释放一定的能量能量以除光子辐射之

,,

外的其他形式释放

。

4方法提要

通常待测发光材料样品在电子束的作用下会被激发出各种信号如二次电子信号背散射电子信

,,,、

号射线信号阴极荧光信号等采用特定的探测器对上述信号进行分别接收便可得到反映样品相

、X、。,

应特征的图像对阴极荧光信号主要采用光电倍增管来探测将光信号转换成电流最后以图像输出

。,,。

阴极荧光图像上的衬度反映了样品不同区域发光的强弱

。

位错通常是氮化镓单晶中的非辐射复合中心因此会在阴极荧光图像上表现为暗点阴极荧光显微

,,

镜的空间分辨率可达到几十纳米

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