标准解读

GB/T 28275-2012《硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范》是中国国家标准之一，旨在为采用氢氧化钾（KOH）溶液进行硅基微机电系统（MEMS）结构加工时提供指导。该标准适用于以单晶硅作为基材的MEMS器件制造过程中涉及到的湿法刻蚀工艺，特别是当需要利用各向异性腐蚀特性来形成特定几何形状或图案时。

根据文档内容，其涵盖了以下几个方面：

  • 范围：明确指出本标准适用的具体场景和技术条件。
  • 术语和定义：对关键概念如“各向异性腐蚀”、“掩模层”等给出了清晰定义。
  • 原理：介绍了氢氧化钾溶液与硅材料之间化学反应的基本原理，以及这种反应如何导致不同晶面方向上的选择性溶解。
  • 设备及材料要求：列出了执行KOH腐蚀所需的主要设备、化学品及其规格要求，包括但不限于腐蚀槽、加热装置、纯净水、氢氧化钾固体等。
  • 操作步骤：详细描述了从准备阶段到实际腐蚀过程再到后续处理的一系列具体操作流程。这包括配制KOH溶液的方法、设定适当的温度与时间参数、确保均匀搅拌等内容。
  • 安全注意事项：强调了在使用强碱性物质如KOH时必须遵守的安全规则，比如佩戴防护眼镜和手套、保持良好通风等措施。
  • 质量控制：提供了评估腐蚀效果的方法，通过检查腐蚀深度、表面平整度等因素来判断是否达到预期目标，并给出了一些常见问题及其解决办法。

这份文件对于从事相关领域研究开发的技术人员来说是非常有价值的参考资料，它不仅能够帮助他们更好地理解并掌握KOH腐蚀技术的应用方法，还能够在一定程度上保证实验结果的一致性和可靠性。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2012-05-11 颁布
  • 2012-12-01 实施
©正版授权
GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技术氢氧化钾腐蚀工艺规范_第1页
GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技术氢氧化钾腐蚀工艺规范_第2页
GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技术氢氧化钾腐蚀工艺规范_第3页
GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技术氢氧化钾腐蚀工艺规范_第4页
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文档简介

ICS31200

L55.

中华人民共和国国家标准

GB/T28275—2012

硅基MEMS制造技术

氢氧化钾腐蚀工艺规范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

SpecificationforKOHetchprocess

2012-05-11发布2012-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

硅基MEMS制造技术

氢氧化钾腐蚀工艺规范

GB/T28275—2012

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100013)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

/p>

年月第一版

201210

*

书号

:155066·1-45572

版权专有侵权必究

GB/T28275—2012

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本标准起草单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所重庆大学东南大学中国电子科技集

:、、、

团第四十九研究所中机生产力促进中心

、。

本标准主要起草人夏伟锋熊斌冯飞戈肖鸿周再发李玉玲贺学锋田雷刘伟

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T28275—2012

硅基MEMS制造技术

氢氧化钾腐蚀工艺规范

1范围

本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行器件加工时应遵循的工艺要求

MEMS。

本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

微机电系统技术术语

GB/T26111—2010(MEMS)

产品几何技术规范表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值

GB/T1031—2009(GPS)

洁净厂房设计规范

GB50073—2001

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T26111—2010。

31

.

洁净度cleanliness

以单位体积空气某粒径粒子的数量来区分的洁净程度

。

32

.

洁净室cleanroom

空气悬浮粒子浓度受控的房间它的建造和使用应减少室内诱入产生及滞留粒子室内其他有

。、。

关参数如温度湿度压力等按要求进行控制

、、。

33

.

湿法刻蚀wetetching

利用与待刻材料可产生化学反应的溶液对薄膜或器件结构进行腐蚀的技术

。

注在进行湿法刻蚀时将不需要腐蚀的一部分掩模暴露其余的部分然后将材料浸入反应溶液中可分为各向

:,,,。

同性刻蚀和各向异性刻蚀

。

定义

[GB/T26111—2010,3.5.17]

34

.

腐蚀剂escharotic

有腐

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