第1章 半导体 概述_第1页
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文档简介

第一章概述一、集成电路的发展历程集成电路的由来摩尔定律之路二、集成电路的分类按器件导电类型分类按器件功能分类三、集成电路工艺基础集成电路的材料集成电路工艺基础四、集成电路的生产环境1集成电路

集成电路,就是在一块半导体单晶片上,通过一系列特定的加工工艺,制作出许多晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,并按照一定的电路互连关系“组装”起来,封装在一个外壳内,执行特定的电路或系统功能。这种新型电子器件在体积、重量、耗电、寿命、可靠性和电性能等方面均优于传统的半导体分立元件电路。21958年,以美国德克萨斯仪器公司的Kilby为首的研究小组研制成第一个集成电路。3摩尔定律

1965年,Intel公司的摩尔(Moore)通过对过去近十年集成电路发展的总结,提出了著名的摩尔定律,即集成电路芯片的集成度每18个月就会扩大一倍,特征尺寸缩小倍,价格每两年下降一半。4集成电路的发展趋势

特征尺寸越来越小;晶圆尺寸越来越大;芯片上的晶体管数越来越多;时钟频率越来越高;电源电压越来越低;布线层数越来越多;输入/输出(I/O)引脚越来越多。5发展阶段主要特征199019971999200120032006晶体管数/芯片106~10711×10621×10640×10676×106200×106线宽(μm)10.250.180.150.130.1时钟频率(MHz)757501200140016002000芯片面积(mm2)50~100300385430520620金属布线层次66~7777~8DRAM容量256M1G1~4G4G16G工作电压(V)1.8~2.51.2~1.81.2~1.51.2~1.50.9~1.2晶圆直径mm/英寸150/6200/8300/12300/12300/12300/12特征参数6集成电路的分类7类别数字集成电路模拟集成电路MOSIC双极ICSSI<100<100<30MSI100~1000100~50030~100LSI1000~100000500~2000100~300VLSI100000~10000000>2000>300ULSI10000000~1000000000GSI>1000000000按照集成度分类8集成电路的材料

1.半导体集成电路是制作在半导体衬底材料之上的,而且集成电路中的基本元件也是依据半导体材料的特性制成的:通过掺入杂质,可以显著改变半导体的导电性能;当半导体受到外界热刺激时,其导电能力将发生显著变化;光也可改变半导体的电导率,通常称之为半导体的光电效应。92.绝缘体绝缘材料也是不可缺少的,用于元件之间、有源层及导线层之间的绝缘,以实现它们之间的电气隔离;在MOS器件里,栅极与沟道之间的绝缘更是必不可少;充当离子注入及热扩散的掩膜,作为钝化层,保护器件不受外界影响等作用。集成电路中常用的绝缘材料有二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅等。103.金属金属材料在集成电路中主要用于形成器件内部的接触以及器件之间的互连线。某些金属和高度掺杂的半导体材料之间可以形成良好的接触,接触面的电阻远小于半导体材料本身的电阻,称为欧姆接触。集成电路中常用的金属材料有铝、金、钨、铜等。4.多晶硅(Polysilicon)多晶硅本身是半绝缘的,掺入杂质后可以变为导体。它可以用来制作栅极、源极与漏极(或基区与发射区)的电极、基本连线,也可以用来制作电阻。11集成电路工艺基础

从晶圆到集成电路成品大约需要经过数百道工序,这些工序可大致分为以下三类:1、图形转换:通过曝光(Lithography)和刻蚀(Etching),将掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。2、掺杂:通过扩散(Diffusion)或离子注入(Implantation),将各种杂质按照设计要求,注入到硅晶片的特定位置上,形成晶体管、接触等。123、制膜:通过氧化或汽相淀积的方法,制造各种材料的薄膜。这些工序要反复进行几十次,如Pentium4CPU要经过26道光刻工序,每次需要使用不同的掩膜,再加上掺杂以及金属镀膜等很多处理步骤,一个CPU制造工序达数百道。13晶圆通过氧化、淀积、外延生长形成新的膜层通过光刻形成设计图形通过离子注入、扩散掺入杂质晶圆检测封装测试使用掩膜集成电路制造工艺流程14集成电路的生产环境

在集成电路的生产过程中必须严格控制微粒的导入、产生和滞留。不同类型的产品,在不同的工序中,对洁净等级有不同的要求。洁净等级是按单位体积空气中,粒径在0.1~5μm范围的悬浮微粒数来划分的。15洁净等级每立方米(m3)中微粒的最大允许数≥0.1μm≥0.2μm≥0.3μm≥0.5μm≥1μm≥5μmISO1102ISO210026104ISO31000265106358ISO410,0002650106035383ISO5100,00026,50010,600353083229ISO61,000,000265,000106,00035,3008320293ISO7353,00083,2002930ISO83,530,000832,00029,300ISO935,300,0008,320,000293,000ISO14664-1标准对洁净等级作了如上规定16洁净室净化流程17芯片制造车间18为了营造合格的生产环境,除了空气洁净度要求外,还要采用很多相关的技术与管理办法:所有气流方向均以由上往下为主,尽量减少突兀的室内空间设计或机台摆放,使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度;所有材料均以不易产生静电的材质为主,并采用各种静电防护措施;

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