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文档简介

文档半二复习笔记1.1 MOS结构费米势：禁带中心能级(EFi)与费米能级(EF)之差的电势表示2. 表面势：半导体表面电势与体电势之差，体 EFi和表面EFi之差的电势表示金半功函数差P沟道阈值电压文档注意faifn是个负值1.3MOS原理1.MOSFET非饱和区IV公式跨导定义：VDS一定时，漏电流ID随VGS变化率，反映了VGS对ID的控制能力提高饱和区跨导途径文档衬底偏置电压VSB>0，其影响背栅定义：衬底能起到栅极的作用。VSB变化，使耗尽层宽度变化，耗尽层电荷变化；若VGS不变，则反型沟道电荷变化，漏电流变化1.4频率特性MOSFET频率限制因素：①沟道载流子的沟道运输时间（通常不是主要的限制因素）②栅电容充放电需要时间截止频率：器件电流增益为1时的频率高频等效模型如下：文档栅极总电容 CG看题目所给条件。若为理想，CgdT为0，CgsT约等于Cox，即CG=Cox；非理想情况即栅源、栅漏之间有交叠，产生寄生电容：①

CgdT的

L为交叠部分长度②CgsT的L为L+交叠部分长度（ CgsT=Cgs

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