内存条的发展

1、内存条的发展在计算机诞生初期并不存在内存条的概念，最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上，每个磁芯与晶体管组成的一个双稳态电路作为一比特（BIT)的存储器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一间的机房只能装下不超过百k字节左右的容量。后来才出线现了焊接在主板上集成内存芯片，以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。那时的内存芯片容量都特别小，最常见的莫过于256K1bit、1M4bit，虽然如此，但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰有余了。 内存条条的诞生生 内存芯芯片的状状态一直直沿用到到2866初期，鉴鉴于它存存在着无无法拆卸卸更换的的弊病，这这对于计计算机的的发展造造成了现现实的阻阻碍

2、。有有鉴于此此，内存存条便应应运而生生了。将将内存芯芯片焊接接到事先先设计好好的印刷刷线路板板上，而而电脑主主板上也也改用内内存插槽槽。这样样就把内内存难以以安装和和更换的的问题彻彻底解决决了。 在8002866主板发发布之前前，内存存并没有有被世人人所重视视，这个个时候的的内存是是直接固固化在主主板上，而而且容量量只有664 2566KB，对对于当时时PC所所运行的的工作程程序来说说，这种种内存的的性能以以及容量量足以满满足当时时软件程程序的处处理需要要。不过过随着软软件程序序和新一一代8002866硬件平平台的出出现，程程序和硬硬件对内内存性能能提出了了更高要要求，为为了提高高速度并并扩大

3、容容量，内内存必须须以独立立的封装装形式出出现，因因而诞生生了“内内存条”概概念。 在8002866主板刚刚推出的的时候，内内存条采采用了SSIMMM（Siinglle IIn-llineeMemmoryy Moodulles，单单边接触触内存模模组）接接口，容容量为330piin、 2566kb，必必须是由由8 片片数据位位和1 片校验验位组成成1 个个bannk，正正因如此此，我们们见到的的30ppin SIMMM一般般是四条条一起使使用。自自19882年PPC进入入民用市市场一直直到现在在，搭配配802286处处理器的的30ppin SIMMM 内内存是内内存领域域的开山山鼻祖。 随后，

4、在在19888 19990 年年当中，PPC 技技术迎来来另一个个发展高高峰，也也就是3386和和4866时代，此此时CPPU 已已经向116biit 发发展，所所以300pinn SIIMM 内存再再也无法法满足需需求，其其较低的的内存带带宽已经经成为急急待解决决的瓶颈颈，所以以此时772piin SSIMMM 内存存出现了了，722pinn SIIMM支支持322bitt快速页页模式内内存，内内存带宽宽得以大大幅度提提升。772piin SSIMMM内存单单条容量量一般为为5122KB 2MMB，而而且仅要要求两条条同时使使用，由由于其与与30ppin SIMMM 内内存无法法兼容，因因此

5、这个个时候PPC业界界毅然将将30ppin SIMMM 内内存淘汰汰出局了了。 EDOO DRRAM（EExteendeed DDatee Ouut RRAM 外扩充充数据模模式存储储器）内内存，这这是19991 年到119955 年之之间盛行行的内存存条，EEDO DRAAM同FFPM DRAAM（FFastt Paage Modde RRAM 快速页页面模式式存储器器）极其其相似，它它取消了了扩展数数据输出出内存与与传输内内存两个个存储周周期之间间的时间间间隔，在在把数据据发送给给CPUU 的同同时去访访问下一一个页面面，故而而速度要要比普通通DRAAM快115330%。工工作电压压为一般

6、般为5VV，带宽宽32bbit，速速度在440nss以上，其其主要应应用在当当时的 4866及早期期的Peentiium电电脑上。 在19991 年到119955 年中中，让我我们看到到一个尴尴尬的情情况，那那就是这这几年内内存技术术发展比比较缓慢慢，几乎乎停滞不不前，所所以我们们看到此此时EDDO DDRAMM有722 piin和1168 pinn并存的的情况，事事实上EEDO 内存也也属于772piin SSIMMM 内存存的范畴畴，不过过它采用用了全新新的寻址址方式。EEDO 在成本本和容量量上有所所突破，凭凭借着制制作工艺艺的飞速速发展，此此时单条条EDOO 内存存的容量量已经达达到4

7、 166MB 。由于于Penntiuum及更更高级别别的CPPU数据据总线宽宽度都是是64bbit甚甚至更高高，所以以EDOO DRRAM与与FPMM DRRAM都都必须成成对使用用。 SDRRAM时时代 自Inntell Ceelerron系系列以及及AMDD K66处理器器以及相相关的主主板芯片片组推出出后，EEDO DRAAM内存存性能再再也无法法满足需需要了，内内存技术术必须彻彻底得到到个革新新才能满满足新一一代CPPU架构构的需求求，此时时内存开开始进入入比较经经典的SSDRAAM时代代。 第一代代SDRRAM 内存为为PC666 规规范，但但很快由由于Inntell 和AAMD的的

8、频率之之争将CCPU外外频提升升到了1100MMHz，所所以PCC66内内存很快快就被PPC1000内存存取代，接接着1333MHHz 外外频的PPIIII以及KK7时代代的来临临，PCC1333规范也也以相同同的方式式进一步步提升SSDRAAM 的的整体性性能，带带宽提高高到1GGB/ssec以以上。由由于SDDRAMM 的带带宽为664biit，正正好对应应CPUU 的664biit 数数据总线线宽度，因因此它只只需要一一条内存存便可工工作，便便捷性进进一步提提高。在在性能方方面，由由于其输输入输出出信号保保持与系系统外频频同步，因因此速度度明显超超越EDDO 内内存。 不可否否认的是是，

9、SDDRAMM 内存存由早期期的666MHzz，发展展后来的的1000MHzz、1333MHHz，尽尽管没能能彻底解解决内存存带宽的的瓶颈问问题，但但此时CCPU超超频已经经成为DDIY用用户永恒恒的话题题，所以以不少用用户将品品牌好的的PC1100品品牌内存存超频到到1333MHzz使用以以获得CCPU超超频成功功，值得得一提的的是，为为了方便便一些超超频用户户需求，市市场上出出现了一一些PCC1500、PCC1666规范的的内存。 尽管SSDRAAM PPC1333内存存的带宽宽可提高高带宽到到10664MBB/S，加加上Inntell已经开开始着手手最新的的Penntiuum 44计划，

10、所所以SDDRAMM PCC1333内存不不能满足足日后的的发展需需求，此此时，IInteel为了了达到独独占市场场的目的的，与RRambbus联联合在PPC市场场推广RRambbus DRAAM内存存（称为为RDRRAM内内存）。与与SDRRAM不不同的是是，其采采用了新新一代高高速简单单内存架架构，基基于一种种类RIISC(Redduceed IInsttrucctioon SSet Commputtingg，精简简指令集集计算机机)理论论，这个个理论可可以减少少数据的的复杂性性，使得得整个系系统性能能得到提提高。 在AMMD与IInteel的竞竞争中，这这个时候候是属于于频率竞竞备时代代

11、，所以以这个时时候CPPU的主主频在不不断提升升，Inntell为了盖盖过AMMD，推推出高频频Penntiuum以及PPenttiumm 4 处理器器，因此此Rammbuss DRRAM内内存是被被Inttel看看着是未未来自己己的竞争争杀手锏锏，Raambuus DDRAMM内存以以高时钟钟频率来来简化每每个时钟钟周期的的数据量量，因此此内存带带宽相当当出色，如如PC 10666 110666 MHHz 332 bbitss带宽可可达到44.2GG Byyte/secc，Raambuus DDRAMM曾一度度被认为为是Peentiium 4 的的绝配。 尽管如如此，RRambbus RDR

12、RAM 内存生生不逢时时，后来来依然要要被更高高速度的的DDRR“掠夺夺”其宝宝座地位位，在当当时，PPC6000、PPC7000的RRambbus RDRRAM 内存因因出现IInteel8220 芯芯片组“失失误事件件”、PPC8000 RRambbus RDRRAM因因成本过过高而让让Penntiuum 44平台高高高在上上，无法法获得大大众用户户拥戴，种种种问题题让Raambuus RRDRAAM胎死死腹中，RRambbus曾曾希望具具有更高高频率的的PC110666 规范范RDRRAM来来力挽狂狂澜，但但最终也也是拜倒倒在DDDR 内内存面前前。 DDRR时代 DDRR SDDRAM

13、M(Dooublle DDataa Raate SDRRAM)简称DDDR，也也就是“双双倍速率率SDRRAM”的的意思。DDDR可可以说是是SDRRAM的的升级版版本， DDRR在时钟钟信号上上升沿与与下降沿沿各传输输一次数数据，这这使得DDDR的的数据传传输速度度为传统统SDRRAM的的两倍。由由于仅多多采用了了下降缘缘信号，因因此并不不会造成成能耗增增加。至至于定址址与控制制信号则则与传统统SDRRAM相相同，仅仅在时钟钟上升缘缘传输。 DDRR 内存存是作为为一种在在性能与与成本之之间折中中的解决决方案，其其目的是是迅速建建立起牢牢固的市市场空间间，继而而一步步步在频率率上高歌歌猛进，

14、最最终弥补补内存带带宽上的的不足。第第一代 DDRR2000 规范范并没有有得到普普及，第第二代PPC2666 DDDR SRAAM（1133MMHz时时钟22倍数据据传输2666MHzz带宽）是是由PCC1333 SDDRAMM内存所所衍生出出的，它它将DDDR 内内存带向向第一个个高潮，目目前还有有不少赛赛扬和AAMD K7处处理器都都在采用用DDRR2666规格的的内存，其其后来的的DDRR3333内存也也属于一一种过度度，而DDDR4400内内存成为为目前的的主流平平台选配配，双通通道DDDR4000 内内存已经经成为8800FFSB处处理器搭搭配的基基本标准准，随后后的DDDR533

15、3 规规范则成成为超频频用户的的选择对对象。 DDRR2时代代 随着CCPU 性能不不断提高高，我们们对内存存性能的的要求也也逐步升升级。不不可否认认，紧紧紧依高频频率提升升带宽的的DDRR迟早会会力不从从心，因因此JEEDECC 组织织很早就就开始酝酝酿DDDR2 标准，加加上LGGA7775接口口的9115/9925以以及最新新的9445等新新平台开开始对DDDR22内存的的支持，所所以DDDR2内内存将开开始演义义内存领领域的今今天。 DDRR2 能能够在1100MMHz 的发信信频率基基础上提提供每插插脚最少少4000MB/s 的的带宽，而而且其接接口将运运行于11.8VV 电压压上，

16、从从而进一一步降低低发热量量，以便便提高频频率。此此外，DDDR22 将融融入CAAS、OOCD、OODT 等新性性能指标标和中断断指令，提提升内存存带宽的的利用率率。从JJEDEEC组织织者阐述述的DDDR2标标准来看看，针对对PC等等市场的的DDRR2内存存将拥有有4000、5333、 6677MHzz等不同同的时钟钟频率。高高端的DDDR22内存将将拥有8800、110000MHzz两种频频率。DDDR-II内内存将采采用2000-、2220-、2440-针针脚的FFBGAA封装形形式。最最初的DDDR22内存将将采用00.133微米的的生产工工艺，内内存颗粒粒的电压压为1.8V，容容量

17、密度度为5112MBB。 内存技技术在220055年将会会毫无悬悬念，SSDRAAM为代代表的静静态内存存在五年年内不会会普及。QQBM与与 RDDRAMM内存也也难以挽挽回颓势势，因此此DDRR与DDDR2共共存时代代将是铁铁定的事事实。 PC-1000的“接接班人”除除了PCC一1333以外外，VCCM(VVirXXuall Chhannnel Memmoryy)也是是很重 要的一一员。VVCM即即“虚拟拟通道存存储器”，这这也是目目前大多多数较新新的芯片片组支持持的一种种内存标标准，VVCM内内存主要要根据由由NECC公司开开发的一一种“缓缓存式DDRAMM”技术术制造而而成，它它集成了

18、了“通道道缓存”，由由高速寄寄存器进进行配置置和控制制。在实实现高速速数据传传输的同同时，VVCM还还维持着着对传统统SDRRAM的的高度兼兼容性，所所以通常常也把VVCM内内存称为为VCMM SDDRAMM。VCCM与SSDRAAM的差差别在于于不论是是否经过过CPUU处理的的数据，都都可先交交于VCCM进行行处理，而而普通的的SDRRAM就就只能处处理经CCPU处处理以后后的数据据，所以以VCMM要比SSDRAAM处理理数据的的速度快快20以上。目目前可以以支持VVCM SDRRAM的的芯片组组很多，包包括：IInteel的8815EE、VIIA的6694XX等。 3RRDRAAM Int

19、tel在在推出：PC-1000后，由由于技术术的发展展，PCC-1000内存存的8000MBBs带带宽已经经不能满满足需求求，而PPC-1133的的带宽提提高并不不大(110644MBs)，同同样不能能满足日日后的发发展需求求。Inntell为了达达到独占占市场的的目的，与与Rammbuss 公司司联合在在PC市市场推广广Rammbuss DRRAM(DirrecttRammbuss DRRAM)。 Rammbuss DRRAM是是：Raambuus公司司最早提提出的一一种内存存规格，采采用了新新一代高高速简单单内存架架构，基基于一种种RISSC(RReduucedd Innstrructti

20、onn Seet CCompputiing，精精简指令令集计算算机)理理论，从从而可以以减少数数据的复复杂性，使使得整个个系统性性能得到到提高。RRambbus使使用4000MHHz的116biit总线线，在一一个时钟钟周期内内，可以以在上升升沿和下下降沿的的同时传传输数据据，这样样它的实实际速度度就为4400MMHz28800MMHz，理理论带宽宽为 (16bbit24400MMHz8)11.6GGBss，相当当于PCC-1000的两两倍。另另外，RRambbus也也可以储储存9bbit字字节，额额外的一一比特是是属于保保留比特特，可能能以后会会作为：ECCC(ErrroIIChheckkingg annd CCorrrecttionn，错误误检查修修正)校校验位。RRambbu