电鱼机超级群开关功率mos扫盲篇_第1页
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文档简介

1、开关功率MOS扫盲篇 2007-03-15 开关功率MOS扫盲篇 2007-03-15 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全 MOSFET管是FET 的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或N 沟道共4 种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P 沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者 PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS 管，不建议刨根问底对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以

2、NMOS NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（压达到 4V 或 10V 就可以了。PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC 时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中， 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的M OS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC4V10V。如果在同一个 应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管速

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