模拟电子技术与实践

1、模拟电子技术与实践第1页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四1.1 电子技术的发展简介模拟电子技术电子元器件电子电路及应用电子管晶体管集成电路放大滤波电源第2页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四1904年电子管问世1947年晶体管诞生1958年集成电路研制成功电子管、晶体管、集成电路比较 “无孔不入”，应用广泛；从电子管半导体管集成电路，半导体器件发展迅速。集成电路的出现，标志着人类进入了微电子时代。从此，无线电通信、电视、广播、雷达、导航电子设备和计算机等开始问世，并得到迅速发展。 1948 年贝尔（ Bell ）实验室发明晶体管后，使电子技术进入晶

2、体管时代，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。晶体管的广泛应用，开创了电子设备朝小型化、微型化发展的新局面。 1958年，德克萨斯仪器公司发明了集成电路，使电子技术进入集成电路时代。集成电路芯片是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，实现特定的电路或系统功能。 第3页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四半导体元器件的发展1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管1958年 集成电路1969年 大规模集成电路1975年 超大规模集成电路 第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路中有

3、40亿个晶体管。20世纪末有科学家预测，集成度还将按10倍/6年的速度增长，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展！第4页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四电子信息系统的组成模拟电子电路数字电子电路（系统）传感器接收器隔离、滤波、放大运算、转换、比较功放模拟-数字混合电子电路模拟电子系统执行机构第5页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四1.2 现代电子技术的相关职业 电子技术的应用，以信息科学技术为中心的包括计算机技术、生物基因工程、光电子技术、军事电子技术、生物电子学、新型材料、新型能源、海洋开发工程技术等高新

4、技术群的兴起，已经引起人类从生产到生活各个方面巨大变革。 从电子玩具到家用电器，从数控机床到机器人，从邮电管理到卫星通信，从资源调查到天气预报，从水路交通到航空航天，从雷达警戒到卫星侦察，从火炮自动控制到导弹精确制导可以说电子技术几乎渗透到国民经济的各个领域，在经济建设中起到了举足轻重的作用。第6页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 毕业初期阶段适合的岗位: 企业或研究所的工程师助理、绘图员、生产车间的产品调试员、维修员、检验员、销售部门的业务员、售后服务维修人员等。第7页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（一）、模拟电子技术基础课的特点 1、工程性

5、 实际工程需要证明其可行性。强调定性分析。 实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存 在一定的误差范围的。 定量分析为“估算”。 近似分析要“合理”。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。 电子电路归根结底是电路。不同条件下构造不同模型。2. 实践性 常用电子仪器的使用方法 电子电路的测试方法 故障的判断与排除方法 EWB软件的应用方法1.3 如何学习这门课程第8页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（二）如何学习这门课程1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法 基本概念：概念是不变的，应用是灵活的， “万变不离其宗”。 基本电路：构成的原则是不变的，具体电路是多种多样的。正

6、确识别电路是分析电路的基础。 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标和描述方法，因而有不同的分析方法。2. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题，学会发现问题。3. 需要选用一两本辅助教材4. 多动手，多实践。第9页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 通过本课程的理论教学和实验、课程设计等实践教学，使学生获得电子元器件和功能电路及其应用的基本知识，掌握电子技术基本技能，培养学生创新意识和实践能力，以适应电子技术发展的形势，为后续课程的学习和形成职业能力打好基础。 通过本课程及实践环节的教学使学生获得以下知识和能力：第10页，共73页，2022年，5月20日，23点3

7、6分，星期四 1.熟悉常用电子元器件的性能特点及其应用常识，具有查阅手册、合理选用、测试常用电子元器件的能力。2.掌握常见功能电路的组成、工作原理、性能特点及其分析计算方法，具有常见电路读图能力。3.熟悉常见电路的调试方法，具有电路简单故障分析、排除能力。4.了解EWB基本操作方法，会用软件进行电路仿真。第11页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四1.4 常用电子元器件的基本特性1.4.1 半导体二极管1.4.2 半导体二极管1.4.3 半导体场效应管1.4.4 其他半导体器件第12页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四1.4.1 半导体二极管一、本征半

8、导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应第13页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。无杂质稳定的结构第14页，共73页

9、，2022年，5月20日，23点36分，星期四2、本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子，其带负电。自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴，其带正电。 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。动态平衡第15页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四两种载流子 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子

10、。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。第16页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四二、杂质半导体 1. N型半导体磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？第17页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四2. P型半导体硼（B）多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强。 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？第18页，共73页，202

11、2年，5月20日，23点36分，星期四三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。扩散运动P区空穴浓度远高于N区。N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。第19页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四PN 结的形成 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P

12、区向N 区运动。第20页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。PN 结的单向导电性第21页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四PN结加正向电压动画演示第22页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四PN结加反向电压动画演示第23页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四四、二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，

13、就构成了二极管。小功率二极管大功率二极管稳压二极管发光二极管第24页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四五、半导体二极管伏安特性曲线测量晶体二极管伏安特性(a)正向特性1.正向特性（1）不导通区OA段 当二极管两端的电压为零时，电流也为零。当电压开始升高时，电流很小且基本不变。这一段称作不导通区或死区。与它相对应的电压叫死区电压（或门槛电压），一般硅二极管约0.5V，锗二极管约0.1V。（2）导通区AB段 通过二极管的电流随加在两端的电压微小的增大而急剧增大，这一段称作导通区，一般硅二极管约为0.60.8V，锗二极管约为0.20.3V。硅二极管伏安特性第25页，共73页，2

14、022年，5月20日，23点36分，星期四2.反向特性（1）反向截止区OC段。反向电压开始增加时，反向电流略有增加，随后在一定范围内不随反向电压增加而增大，通常称为反向饱和电流。（2）反向击穿区CD段 当反向电压增大到超过某个值时（图中C点），反向电流急剧加大，这种现象叫反向击穿。C点对应的电压叫反向击穿电压UBR，其特点是：反向电流变化很大，相对应的反向电压变化却很小。测量晶体二极管伏安特性(b)反向特性硅二极管伏安特性第26页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四硅二极管和锗二极管的伏安特性之间有一定的差异： (1) 锗二极管的死区较小，正向电阻也小，导通电压低（约0.2

15、V）。但受温度影响大，反向电流也较大。击穿以后，锗管两端电压变化较大，无稳压特性。（2）硅二极管的死区较大，正向电阻也较大，导通电压较高（约0.7V）。但受温度影响小，反向电流也很小。击穿后，硅管两端电压基本不变，有稳压作用。硅二极管伏安特性锗二极管的伏安特性曲线第27页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四六. 二极管的主要参数（1）最大整流电流IF： IF是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。（2）最高反向工作电压UR： UR是二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。（3）反向电流IR：

16、IR是二极管未击穿时的反向电流。其值越小表明二极管的质量越好。（4）最高工作频率fM： fM是二极管工作的最高上限频率。第28页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 点接触型：结面积小，故结允许的电流小，最高工作频率高。面接触型：结面积大，故结允许的电流大，最高工作频率低。平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。1、按材料分为硅二极管和锗二极管。2、按制造工艺可分为点接触型、面接触型和平面型二极管。七、半导体二极管的类型第29页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四半波整流电路（a）电路 （b）波形利用二极管的单向导电特性将交流电变成

17、单方向脉动直流电。 （1）整流二极管重要的参数：最大反向工作电压（选容量为2倍以上余量的二极管） 最大整流电流（选择同上）第30页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（2）检波二极管图1-20 二极管检波器 在电视、广播及通讯中，为了能实现远距离传送，需要将图像、声音等低频电信号装载（调制）到高频信号（叫载波信号）上，以便从天线上发射出去。检波就是将低频信号从已调制信号（高频信号）中取出。已调信号 检波二极管VD将已调幅信号的负半周去掉 电容器将高频信号滤去，留下低频信号，经过放大后送给负载扬声器或显像管，还原成声音或图像。 因对高频波整流，二极管的结电容要小，所以选用点接

18、触型二极管第31页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四二、特种二极管及其应用1. 硅稳压二极管稳压管工作于反向电击穿状态。正向特性与普通管类似流过管子的电流在较大范围内变化时，管子两端电压变化很小，即它具有稳定直流电压的功能。 反向击穿特性很陡。（3）稳压二极管 利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。第32页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（4）发光二极管（a）结构 （b）电路符号 发光二极管是一种将电能直接转换成光能的固体器件，简称LED（ Light Emitting Diode ）。使用时给发光二极管加上正向电压。 质量检测 ： 在不发

19、光时，正、反向电阻均较大且无明显差别，姑要 通电加以判断，并且其发光时的端电压约为2V，而不是0.7V。特点：消耗功率小，在低电压下可工作，发热少，响应快，寿命长 。第33页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四发光二极管实物图片第34页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 变容二极管利用PN结的结电容随外加反向电压U的变化而变化的特点制成的二极管。符号：注意：使用时，应加反向电压（5）变容二极管反向偏压越小，结电容越大；反向偏压越大，结电容越小。用于电视机和收音机的电子调谐。第35页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四3. 发光二极管

20、（LED） （6）光电二极管4. 光电二极管 光电二极管又称光敏二极管，是将光能转换为电能的半导体器件。其外形右图所示。PN结受光照后，正向电阻变小，电流会随光通量成线性关系变化，光照条件变化时，两端会产生相应变化的电信号。图1-34 光电二极管的外形 管壳上有一个能透过光线的窗口 注意： 光电二极管在反向电压下工作常用于CD唱机、VCD、DVD影碟机等，以及利用光检测的自动控制电路的设备和仪器中。第36页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四光电二极管实物图片第37页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（7）开关二极管开关二极管具有开关速度快、体积小、寿

21、命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、 检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。（8）肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而工作电流可达几千安。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。 第38页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四八、晶体二极管的极性与好坏的判别晶体

22、二极管的正、负极可按下列方法来判别：1 看外壳上的符号标记通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，标有三角形箭头的一端为正极，另一端为负极。2 看外壳上标记的色点在点接触二极管的外壳上，通常标有色点（白色或红色）。除少数二极管（如2AP9、2AP10等）外，一般标记色点的这端为正极。第39页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四3 透过玻璃看触针对于点接触型玻璃外壳二极管，如果标记已磨掉，则可将外壳上的漆层（黑色或白色）轻轻刮掉一点，透过玻璃看那头是金属触针，那头是N型锗片。有金属触针的那头就是正极。4. 看外壳上的色圈现在常用的表示方法是在二极管的外壳上标有一个色圈，通常此色

23、圈靠近的一端为负极，另一端为正极。第40页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四5 用万用表测量 用万用表R*100或R*1K档，任意测量二极管的两根引线，如果量出的电阻只有几百欧姆（正向电阻），则黑表笔（既万用表内电池正极）所接引线为正极，红表笔（既万用表内电源负极）所接引线为负极。第41页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四一、晶体管的放大作用二、半导体三极管的种类三、半导体三极管的主要参数四、半导体三极管的正确使用1.4.2 晶体三极管第42页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 (1)晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低，且

24、很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？第43页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四(2)晶体管的放大原理 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大第44页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四电流分配： IEIBIC IE扩散

25、运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流穿透电流集电结反向电流直流电流放大系数交流电流放大系数第45页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四晶体管的特性1.4. 输入特性（1）输入特性是非线性的， 有死区。（2）当UCE 1V，输入特性曲线几乎重合在一起，即UCE对输入特性几乎无影响。死区电压:硅管约为0.5V;锗管约为0.1V 第46页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 2. 输出特性曲线 （1）截止区IB=0曲线以下的区域： IC=ICEO0，两结均反偏，各电极电流均约等于0， UCEUCC ；三极管相当于开关断开；（2）放大区

26、在输出特性曲线上IB 0和UCE 1V的曲线平坦区域 ： IC基本不随UCE变化仅受IB控制，IC=IB，发射结正偏、集电结反偏，相当于受控电流源。 （3）饱和区输出特性曲线近似直线上升部分： UCB U(BR)CEO U(BR)EBO第51页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（四）特征频率 指三极管的值下降到1时所对应的工作频率。（频率越高， 越小。）第52页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四四、半导体三极管的正确使用（1）半导体三极管的管脚判别三极管的型号命名规则国家标准对三极管型号的命名方法 例如，3DG130C是NPN硅高频小功率三极管的C档

27、， 3AX52B是PNP锗低频小功率三极管的B档。第53页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四用普通万用表判定三极管的管脚 基极的判别 判别管极时应首先确认基极。对于NPN管，用万用表R1k或R100档，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极,若测得电阻都小，约为几百欧几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极。实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法

28、一样)，又可确认管型。第54页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 集电极和发射极的判别 确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e,用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时,将万用表两表笔分别与c、e接触,若被测管为NPN,则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反),观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极,重复以上过程,比较两次测量指针的偏转角度大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确。第55页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 （2）半导体三极管性能测试 在三极管安装前首先要对其性能进行测

29、试。条件允许可以使用晶体管图示仪，亦可以使用普通万用表对晶体管进行粗略测量。 1）估测穿透电流ICEO。用万用表R1k档，对于PNP型管，红表笔接集电极，黑表笔接发射极（对于NPN型管则相反），此时测得阻值在几十到几百千欧以上。若阻值很小，说明穿透电流大，已接近击穿，稳定性差；若阻值为零，表示管子已经击穿；若阻值无穷大，表示管子内部断路；若阻值不稳定或阻值逐渐下降，表示管子噪声大、不稳定，不宜采用。第56页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四2）估测电流放大系数。用万用表的R1k（或R100W）档。如果测PNP型管若是测NPN型管，则黑表笔接集电极，红表笔接发射极，用潮湿的

30、手指捏住集电极和基极，对比手指断开和捏住时的电阻值，两个读数相差越大，表示该晶体管的值越高；如果相差很小或不动，则表示该管已失去放大作用。如果测PNP型管，红黑表笔对调。如果使用数字万用表，可直接将三极管插入测量管座中，三极管的值可直接显示出来。第57页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（3）使用半导体三极管应注意的事项 1）使用三极管时，不得有两项以上的参数同时达到极限值。 2）焊接时，应使用低熔点焊锡。管脚引线不应短于10mm，焊接动作要快，每根引脚焊接时间不应超过两秒。 3）三极管在焊入电路时，应先接通基极，再接入发射极，最后接入集电极。拆下时，应按相反次序，以免烧

31、坏管子。在电路通电的情况下，不得断开基极引线，以免损坏管子。 4）使用三极管时，要固定好，以免因振动而发生短路或接触不良，并且不应靠近发热元件。 5）功率三极管应加装有足够大的散热器。第58页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四其他半导体器件1、光电导器件半导体的光电导特性：受到一定波长光线的照射时，具有电阻率明显减小的特性。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管、光电三极管。第59页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（1）光敏电阻光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电

32、阻属半导体光敏器件，灵敏度高，反应速度快，在高温多湿的恶劣环境下，还能保持高度的稳定性和可靠性，可广泛应用于照相机，草坪灯，验钞机，光声控开关，路灯自动开关以及各种光控玩具，灯具等光自动开关控制领域。 第60页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四 （2）光电二极管 光电二极管的管芯也是一个PN结，只是结面积比普通二极管大，便于接收光线。但和普通二极管不同，光电二极管是在反向电压下工作的。它的暗电流很小，只有0 1微安左右。在光线照射下产生的电子-空穴对叫光生载流子，它们参加导电会增大反向饱和电流。光生载流子的数量与光强度有关，因此，反向饱和电流会随着光强的变化而变化，从而可

33、以把光信号的变化转为电流及电压的变化。 第61页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四（2）光电三极管 又称光敏三极管。光电三极管的结构与普通三极度管相同，但基区面积较大，便函于接收更多的入射光线。入射光在基区激发出电子-空穴时，形成基极电流，而集电极电流是基极电流倍，因此光照便能有效地控制集电极电流。图13 光电三极管外形、符号及等效光电三极管比光电二极管有更高的灵敏度。外形、电路符号和等效电路如图所示。它可看作集电结上并联了一个光电二极管的普通三极管。在光照的作用下，光电二极管将光信号转换成电信号，并经三极管放大。 第62页，共73页，2022年，5月20日，23点36分

34、，星期四2.光伏器件硅光电池1839年，贝克雷尔（法）发现光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差光伏效应。1954年，恰宾和皮尔松在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，诞生了将太阳光能转换为电能的实用光伏发电技术。太阳能工作原理的基础是半导体PN结的光伏效应。硅光电池是利用光伏效应将光能直接转换为电能的半导体器件。第63页，共73页，2022年，5月20日，23点36分，星期四硅光电池的用途极度为广泛。主要用于下述几个方面： 能源-硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造成卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源；也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。 光电检测器件-用作近红外探测器、光电