钟建模电2所示在圆圈中画出管子并分别说明它们是硅管还是锗管

1、P1.9所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图解题思路与分析：（1）硅管和锗管主要区别：处于放大状态时，硅管发射结电压约为0.7V；锗管发射结电压约为0.2V；（2）电位相差为0.7V或0.2V的两个极分别为发射极和基极，另一极可确定为集电极。（3）NPN与PNP晶体管各极电压区别为：NPN:VcVbVe(集电极电压最高);PNP:VeVbVc（集电极电压最低）P1.9所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图答案：注意晶体管标准符号的画法T1,T2,T3为硅管，T4,T5,

2、T6为锗管=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳压电压Uz=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问：当uI=0时uo=?当uI=-5V时uo=?1.11 电路如图P1.11所示，晶体管的=50,|UBE|解题思路与分析：先分析稳压管可能处于那种工作状态，PN结反偏：截止和稳压。（uo输出负电压）取决于三极管的工作状态（截止、放大、饱和）。降|UCES|=0.1V;稳压管的稳压电压Uz=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问：当uI=0时uo=?当uI=-5V时uo=?1.11 电路如图P1.11所示，晶体管的=50,|UBE| =0.2V,饱和管压解题过程：当uI=0时，晶体

3、管截止，稳压管击穿，uo=-Uz=-5V;当uI=-5V时,三极管可处于饱和或放大状态。假设三极管处于放大状态。降|UCES|=0.1V;稳压管的稳压电压Uz=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问：当uI=0时uo=?当uI=-5V时uo=?1.11 电路如图P1.11所示，晶体管的=50,|UBE| =0.2V,饱和管压解题过程：故流过Rc上的电流至少24mARc上的压降至少24VVcc所以假设不成立，三极管处于饱和状态，故uo=-0.1V。也可以先假设三极管处于饱和状态，验证IC/IBVsVgN沟道增强型：VdVgVsN沟道耗尽型：Vd最高，Vg可大于也可小于还可等于Vs、的电位分别为4

4、V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是那种管子（结型管、增强型MOS管、耗尽型MOS管），并说明、与g、s、d的对应关系。1.13 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极管分别工作在什么区域。1.15 分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应解题思路及分析：判断T为何种类型管子：N沟道增强型MOS管；管分别工作在什么区域。1.15 分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应解题思路及分析：截止区：uGSUGS(th)且uGDuGS-UGS(th)可变电阻区：uGSUGS(th)且uGDUGS(th)(即uDSuGS-UGS(th)关键是从输出特性曲线中得出开启电压UGS(

5、th)。管分别工作在什么区域。1.15 分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应解题过程：根据T的输出特性可知：电路中管子T的开启电压UGS(th）为5V当uI=4V时，uGS=4V, 小于开启电压，故T截止。 当uI8V时，设T工作在恒流区，根据 输出特性可知iD0.6mA，管压降 uDSVDDiDRd10V 因此，uGDuGSuDS2V，小于开启电压,说明假设成立，即T工作在恒流区。 管分别工作在什么区域。1.15 分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应解题过程：当uI12V时，大于开启电压，T可能工作在恒流区或者可变电阻区，设T工作在恒流区，根据 输出特性可知iD4mA，管

6、压降 uDSVDDiDRd-1.2V 0因此，假设不成立，即T工作在可变电阻区。 恒流区。1.16 分析各电路中的场效应管是否有可能工作在解题思路及分析：关键是对各种场效应管夹断开启电压的理解。可以参照教材P49页。(a)图T为N沟道结型场效应管，其夹断电压UGS(off)0,其栅-源电压有可能在UGS(off)0的某值。且VDD有可能使UGD0因为它们的栅极电位均为0，栅-源电压不可能大于UGS(th) ，所以不可能工作在恒流区。(d)图T为P沟道结型场效应管，夹断电压UGS(off)0。 因为其栅-源电压有可能是0 UGS(off)的某值，且VDD有可能使UGDUGS(off),所以T有可

7、能工作在恒流区。2.4 放大电路静态工作点的稳定设置静态工作点的电路称放大器的偏置电路。 对偏置电路的要求 提供合适的Q点，保证器件工作在放大模式。例如：偏置电路须保证三极管E结正偏、C结反偏。 当环境温度等因素变化时，能稳定电路的Q点。例如：温度升高，三极管参数、ICBO、VBE(on)而这些参数的变化将直接引起Q点发生变化。当Q点过高或过低时，输出波形有可能产生饱和或截止失真。 三极管偏置电路(介绍两种基本偏置电路)（一） 固定（稳）基流电路（最简单的偏置电路）VCCRCRBIBIC 静态工作点Q点估算（注意保证放大的条件） 电路优点：电路简单，IBQ随温度变化小； Q点设计方便，计算简单

8、。 电路缺点：工作点Q随温度变化大，不具有稳定Q点的功能。 基本稳定温度对工作点的影响1. 温度变化对输出特性曲线的影响2. 温度变化对输入特性曲线的影响温度T 输出特性曲线上移温度T 输入特性曲线左移3. 温度变化对 的影响温度每升高1 C ， 要增加0.5%1.0%温度T 输出特性曲线族间距增大 我们知道这三个参数均与温度有关。随温度每升高1，相对值增加（0.51.0）%（间距加大）。所以讨论偏置电路热稳定性实际上就是讨论这三个参数随温度变化而引起ICQ变化的特性。 UCEQ=UCC-ICQRCT时 ICQQ点升高例1. 固定基流偏置电路如图所示。已知： BJT的(1)计算静态工作点Q，并

9、分析Q点设置的是否合适。(2)当和BJT不变时，要使，可以改变哪些参数?VCCRCRBIBIC解：（1） 由于偏小，Q点靠近饱和区，因此Q点设置的不合适。解： （2)若RB保持不变，仅改变RC，则IB和IC保持不变。若RC保持不变，仅改变RB，则VCCRCRBIBIC图解法：例2 在稳基流偏置电路中， 假设晶体管为锗NPN管， 室温时=50，UBE=0.25V，ICBO=1A, 偏置电路的UCC=6 V，RB=180k，RC=2k。试计算Q及温度由室温升高30时ICQ和UCEQ的变化情况。 VCCRCRBIBIC 解: 室温时可求得 IBQ=32A，ICQ=1.6mA, UCEQ=2.7V =

10、50，UBE=0.25V，ICBO=1A, 偏置电路的VCC=6 V，RB=180k，RC=2kVCCRCRBIBIC 基本稳定 解: 室温时可求得 IBQ=32A，ICQ=1.6mA, UCEQ=2.7V 当温度升高30后，=65, 那么 ICQ=2.08 mA集电极静态电流变化的相对值为随温度每升高1，相对值增加（0.51.0）%（间距加大）。 由上例可以知道， 温度升高30后，ICQ将明显增大， 而UCEQ则明显减小。原本处于放大区中心的静态工作点如图所示，将沿直流负载线上升到靠近饱和区。 这时，加上基极输入正弦信号电流，当它变化到正半周期间，晶体三极管就会进入饱和区， 使得集电极电流I

11、CQ 和电压UCE的波形产生严重的失真。 由上例可以知道， 温度升高30后，ICQ将明显增大， 而UCEQ则明显减小。原本处于放大区中心的静态工作点如图所示，将沿直流负载线上升到靠近饱和区。 这时，加上基极输入正弦信号电流，当它变化到正半周期间，晶体三极管就会进入饱和区， 使得集电极电流ICQ 和电压UCE的波形产生严重的失真。 因此， 为了保证放大器在很宽的温度范围内正常工作，就必须采用热稳定性高的偏置电路。 提高偏置电路热稳定性有许多措施，常采用分压式偏置电路和恒流源偏置电路(第六章介绍)。小结：TIC 固定偏置电路的Q点是不稳定的。为此，需要改进偏置电路，当温度升高、 IC增加时，能够自

12、动减少IB，从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。常采用基极分压式偏置电路来稳定静态工作点。(二) 基极分压射极偏置电路静态工作点Q (ICQ,IBQ,UCEQ)(二) 基极分压射极偏置电路基极分压射极偏置电路稳Q条件：Ib1 Ib2IB工程上取 10倍。(二) 基极分压射极偏置电路1. 稳定工作点原理目标：温度变化时，使IC维持恒定。 如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态工作点的稳定。T 稳定原理： IC IEIC VE、VB不变 VBE IB（电流取样直流负反馈控制，见第七章）用估算法确定静态值的方法： 画放大电路的直流通路（原则：电容开路，电感短路） 列输入回路电压方程 列输

13、出回路电压方程 或 联解方程组得 、 和 I1I2IB静态工作点稳定的放大器(请同学画直流通路）I210IB I1 I2Rb1+VCCRCC1C2Rb2CeReRLuiuoBEC分压式偏置电路Ce :交流旁路电容ICIE直流通道及静态工作点Q估算IBQ=ICQ/VCEQ = VCC - ICRC - IEReICQ IEQ=UE/Re = （VB- VBE）/ Re(基本不变) UBE 0.7V +VCCRb1RCRb2ReICIEIBVCE电容开路,画出直流通路基极分压射极偏置电路稳Q条件：Ib1 Ib2IB基极分压射极偏置电路稳Q条件：I1 I2IB。电路条件：（1+）RE RB=RB1/

14、RB2 工程上取RE 10RB。特点：元件稍多。工作点Q随温度变化很小，稳定工作点的原理是电流取样电压求和直流负反馈。 I1I2IB分压式偏置电路RB1+VccRCC1C2RB2CERERLuiuo例 3 = 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。求：“Q” 。+VCCRCC1C2RLRE+CE+RB1RB2RS+us+uo直流分析+VCCRCRERB1RB2ICQIBQIEQI1+ VBEQ 要求：I1 (5 10)IBQVBQ (5 10)VBEQ估算法+VCEQ 稳定“Q”的原理：TICVEVBE IBIC 例 3 = 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。求：“Q” 。1)求“Q”+VCCRCC1C2RLRE+CE+RB1RB2RS+us+uo解例4. 用SiBJT设计一个基极分压式偏置电路。要求：试