晶闸管技术术语

1、晶闸管、二极管Thyristors andDiodesV DRM断态重复峰值电压Repetitive peak off-state voltage(50Hz,10ms)V RRM反向重复峰值电压Repetitive peak reverse voltage(50Hz,10ms)Idrm断态重复峰值电流Peak off-state currentIrrm反向重复峰值电流Peak reverse recovery currentdv/dt断态电压临界上升率Critical rate of rise of off-state voltageIt（av）逋态平均电流Mean on-state curr

2、entITRMS通态电流启效值RMS on-state currentItsm逋态浪71电流（不重复）Surge on-state current12t电流平方时间积I 2t valuedi/dt逋态电流临界上升率Critical rate of rise of on-state currentVtm逋态峰值电压Peak on-state voltageVto逋态门槛电压Threshold voltageIgt门极触发电流Gate trigger currentVgt门极触发电压Gate trigger voltageIh维持电流Holding currentrT斜率电阻slop resist

3、anceTc壳温Case temperaturetrr反向恢复时间Reverse recovery timetq关断时间Circuit commutated turn-off timeTjm最大结温Max. junction temperatureITM通态峰值电流Peak on-state currentIf（av）正向平均电流Mean forward currentIF(RMS)正向电流启效值RMS forward currentIFSM正向浪涌电流（不重复）surge forward currentVfm正向峰值电压Peak forward voltagerF正向斜率电阻Forward

4、slop resistanceIFM正向峰值电流Peak forward currentF安装力矩Mounting TorqueVov过载电压Overload currentIo额定整流电流Rated rectifiers currentVd额定直流输出电压Rated continuous(direct) output voltage技术术语 ? ? Schedule of letters symbols符号央文单词参数中文参数说明单位IT(AV)AVERAGEON-STATECURRENT通态平均电流?838电子国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为 40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不

5、超过额定 结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平 均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二 极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件 本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使 用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流 所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来 选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般空工其通态平均电流为按此原则所得计算结 果的1.5-2倍。AVTMPeak on-state voltage drop通态峰值电压指器件通过规定正向峰值电流IFM（整流管）或通态峰值电流ITM（晶闸管）时的峰值电压也称峰值 压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响 着器件的通

6、态电流额定能力。VIDRMMaximum forward or reverse leakage current断态重复峰值漏 电流为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDr标口反向重复峰值电压 XrM寸流过元件的正反 向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温 Tjm下测出。mAIRRMMaximum reverseleakage current反向重复峰值漏 电流mAIDSM断态不重复平均 电流门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰 值电压下的平均漏电流。AVTOOn state threshold voltage门槛电压一VIT(RMS)?On-State RMS Current

7、(full sine wave)通态电流均方值ab126计算公式大全AITSM?Non-RepetitivePeak on-stateCurrent通态浪涌电流（通 态不重复峰值电 流）浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超 过额定结温的不重复性最大正向过载电流。浪涌 电流有上卜两个级，这个参数可用来作为设计保 护电路的依据。AIGM?Forward Peak GateCurrent门极峰值电流一AI2T?Circuit FusingConsideration周期电流平方时 间积一A2sesdIT/dt?Repetitive rate of rise of on-state current

8、 after triggering (IGT1IGT3)通态临界电流上升率当双向可控硅或闸流管在门极电流触发卜导通， 门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效 面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上 升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。 因此， 假如双向可控硅的 VDRM在严重的、异常的电源 瞬间过程中后可能被超出或导通时的dIT/dt有A/八可能被超出，可在负载上串联一个儿aH的不饱和（空心）电感。VDRM?Repetitive peak off-state voltage断态重复峰值电

9、压?断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定 值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为 50H,每次持续时间不超高 10ms。 规定断态重复峰值电压UDR幽断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM勺90%.断态不重复峰值电压应彳氐于正向转折电压Ubo,所留裕量大小由生产厂家自行规定。VVRRM反向重复峰值电压在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器 件上的反向峰值电压。VPPNon repetitive line peak pulse voltage最图小重复线路 峰值电压-vVisolheatsink引脚到外壳最大绝缘电压-VPG(AV)?Average gate

10、 power dissipation门极平均散耗功 率一WPGM?Peak gate power门极最大峰值功 率一WPG(AV)Average GatePower门极平均功率一WTj?Operating JunctionTemperature Range工作结温为了长期可靠工作，应保证Rth j-a?足够低，维持Tj不高于80%Tjmax ,其值 相应于可能的最局环境温度。CTstg?StorageTemperature Range贮存温度一CTL?Max.LeadTemperature forSoldering Purposes引脚承受焊锡极 限温度一CRth(j-mb)?Thermal

11、Resistance Junction to mounting base热阻-结到外壳一C/WRth(j-a)?Thermal ResistanceJunction-to-ambient热阻-结到环境一C/WIGTTriggering gate current门极触发电流为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选才I 25度时max值的a倍，a为门极触发电流 一结温 特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低 工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特 殊需要，通常选型时a取大于1.5倍即可。mAIH?Holding Current维持电流维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与 结温有关，结温

12、越高，则 IH越小。mAIL?Latching Current (IGT3)接入电流（第三象 限）/擎住电流擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发 信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶mA闸管来说，通常IL约为IH的2-4倍。ID?Off-state leakagecurrent断态漏电流一mAVGTTriggering gate voltage门极触发电压一可以选择 Vgt 25度时max值的0倍。0为门 极触发电压一结温特性系数，查数据手册可得， 取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件 工作环境温度无特殊需要，通常选择时0取11.2 倍即可。VVGDNon-triggerin

13、g gate voltage门极不触发电压一VVFGMPeak Forward GateVoltage门极正向峰值电压一VVRGMPeak Reverse GateVoltage门极反向峰值电压一VIFGMPeak Forward GateCurrent门极正向峰值电 流一AVTM?Peak ForwardOn-State Voltage通态峰值电压它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值 压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅VdV/dt?Critical Rate of Rise of Off-state Voltage断态临界电压上 升率dv/dt指的是在关断状态下电

14、压的上升斜率，这 是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能 导致可控硅出现误导通的现象。由十可控硅的制 造工艺决定了 A2与G之间会存在寄生电容，如 图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端 会出现等效电流，这个电流就会成为Ig ,也就是出现了触发电流，导致误触发V/uS(dI/dt)cCritical rate of decrease of commutating on-state current通态电流临界上 升率指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的 最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶 闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附 近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸

15、管损 坏。A/msdVCOM/dtCritical rate of change of commutating voltage临界转换电压上 升率切换电压上升率 dVCOM/dt 。驱动高电抗性的负 载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性 的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生 切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控 硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率(dVCOM/dt )若超过允许值，会迫使双向可控 硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自 结上撤出。V/uSdICOM/dt切换时负载电流 下降率dICOM/dt 高，则dVCOM/dt 承受能力下降。 结 面温度Tj越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。 假如双向可控硅的 dVCOM/dt 的允许值后可能 被超过，为避免发生假触发，可在T1和T2间A/mS装置RC缓冲电路，以此限制电压上升率。通常 选用47100Q的能承受浪涌电流的碳膜电阻，0.01心F0.47心