MOSFET功率器件项目招商方案_范文

1、泓域咨询/MOSFET功率器件项目招商方案目录第一章 绪论6一、 项目名称及投资人6二、 编制原则6三、 编制依据7四、 编制范围及内容7五、 项目建设背景8六、 结论分析9主要经济指标一览表11第二章 项目建设背景、必要性13一、 功率半导体行业概述13二、 MOSFET器件概述14三、 更加坚定创新驱动发展道路19四、 形成高层次的改革开放新格局20五、 项目实施的必要性20第三章 市场分析22一、 功率器件应用发展机遇22二、 功率MOSFET的行业发展趋势26第四章 选址分析29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 建设高标准的主城都市区重要战略支点基础设施网络31四、

2、项目选址综合评价32第五章 建筑技术方案说明33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标35建筑工程投资一览表35第六章 运营管理模式37一、 公司经营宗旨37二、 公司的目标、主要职责37三、 各部门职责及权限38四、 财务会计制度41第七章 SWOT分析48一、 优势分析（S）48二、 劣势分析（W）50三、 机会分析（O）50四、 威胁分析（T）51第八章 法人治理结构59一、 股东权利及义务59二、 董事62三、 高级管理人员67四、 监事70第九章 项目实施进度计划72一、 项目进度安排72项目实施进度计划一览表72二、 项目实施保障措施73第十章 原辅

3、材料分析74一、 项目建设期原辅材料供应情况74二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理74第十一章 项目节能说明76一、 项目节能概述76二、 能源消费种类和数量分析77能耗分析一览表77三、 项目节能措施78四、 节能综合评价78第十二章 投资计划方案80一、 投资估算的依据和说明80二、 建设投资估算81建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表85固定资产投资估算表87四、 流动资金87流动资金估算表88五、 项目总投资89总投资及构成一览表89六、 资金筹措与投资计划90项目投资计划与资金筹措一览表90第十三章 经济收益分析92一、 基本假设及基础参数选取92二、 经济评价

4、财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表94利润及利润分配表96三、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表98四、 财务生存能力分析100五、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101六、 经济评价结论102第十四章 招标方案103一、 项目招标依据103二、 项目招标范围103三、 招标要求103四、 招标组织方式106五、 招标信息发布109第十五章 项目综合评价110第十六章 附表112主要经济指标一览表112建设投资估算表113建设期利息估算表114固定资产投资估算表115流动资金估算表116总投资及构成一览表117项目投资计划与资金筹措一览表118营

5、业收入、税金及附加和增值税估算表119综合总成本费用估算表119固定资产折旧费估算表120无形资产和其他资产摊销估算表121利润及利润分配表122项目投资现金流量表123借款还本付息计划表124建筑工程投资一览表125项目实施进度计划一览表126主要设备购置一览表127能耗分析一览表127第一章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称MOSFET功率器件项目（二）项目投资人xx有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（待定）。二、 编制原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，

6、通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化

7、原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。三、 编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。四、 编制范围及内容根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析

8、；7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。五、 项目建设背景2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。“十四五”时期经济社会发展的奋斗目标是：加快打造“一点三区一地”，努力建好重庆“南大门”。综合经济实力显著增强，发展质量和效益稳步提升。战略支点城市建设初具规模，綦万创新经济走廊建设取得重大进展。成功创建国家高新区，基本建成区域性科技创新中心。重点领域改革取得重要成效，

9、全面融入成渝地区双城经济圈建设，深入对接国内国际双循环新格局，实现更高质量、更有效率、更加公平、更可持续、更为安全的发展。生态优先、绿色发展新路更加坚实，城乡公共服务更加优质均衡，社会保障体系更加健全，人民群众获得感、幸福感、安全感不断增强。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约98.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资44725.63万元，其中：建设投资35145

10、.45万元，占项目总投资的78.58%；建设期利息407.95万元，占项目总投资的0.91%；流动资金9172.23万元，占项目总投资的20.51%。（五）资金筹措项目总投资44725.63万元，根据资金筹措方案，xx有限公司计划自筹资金（资本金）28074.76万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额16650.87万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：78100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：62873.25万元。3、项目达产年净利润（NP）：11118.08万元。4、财务内部收益率（FIRR）：18.00%。5、全部投资回收期（Pt）：5.99年（

11、含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：33907.89万元（产值）。（七）社会效益经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定，构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好，项目的实施不但是可行而且是十分必要的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项

12、目单位指标备注1占地面积65333.00约98.00亩1.1总建筑面积119936.151.2基底面积37239.811.3投资强度万元/亩341.282总投资万元44725.632.1建设投资万元35145.452.1.1工程费用万元30472.782.1.2其他费用万元3738.142.1.3预备费万元934.532.2建设期利息万元407.952.3流动资金万元9172.233资金筹措万元44725.633.1自筹资金万元28074.763.2银行贷款万元16650.874营业收入万元78100.00正常运营年份5总成本费用万元62873.25""6利润总额万元148

13、24.11""7净利润万元11118.08""8所得税万元3706.03""9增值税万元3355.34""10税金及附加万元402.64""11纳税总额万元7464.01""12工业增加值万元25547.23""13盈亏平衡点万元33907.89产值14回收期年5.9915内部收益率18.00%所得税后16财务净现值万元7219.84所得税后第二章 项目建设背景、必要性一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心

14、，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面

15、世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性

16、能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，

17、是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬

18、杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前

19、景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速

20、增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压

21、VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基M

22、OSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求

23、增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在

24、中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 更加坚定创新驱动发展道路不断凸显科

25、技创新在现代化建设全局中的核心地位，坚持以创新驱动高质量发展。不断积聚创新资源。加大力度推进、确保成功创建国家高新区，新培育市级科技型企业400家以上、国家高新技术企业和市级以上创新平台各20家以上，争创国家级众创空间、孵化器。大力引进科技型人才，深化校地“产学研”合作，加紧推动重庆移通学院（綦江校区）和重庆信息学院建设。扶持战略性新兴产业拔节孕穗，围绕卫星核心部件、新能源汽车、高性能复合材料、网络信息安全服务等产业高端补链、终端延链、整体强链。加快转化创新成果。科技研发投入稳定增长，占地区生产总值比重达到2.5%。推进智能制造与工业互联网深度融合，指导旗能电铝、荆江半轴等企业打造“5G+工业

26、互联网”应用场景。引导企业实施智能化改造项目30个以上，打造市级数字化车间和智能工厂3个。加快建成重庆信息安全产业基地、创建国家信息安全产业基地，积极争取国家网络安全产业园落地綦江，形成西部乃至全国的网络安全产业高地。四、 形成高层次的改革开放新格局不断拓展改革深度。对标世界银行营商环境评价体系，扎实践行“事情不过夜、三天有着落”办事服务承诺，加强在线政务服务平台和区、街镇、村（社区）政务服务中心建设，推动政务服务信息化便利化规范化一体化。深化国有企业市场化经营机制改革，推动国有资本做大做优做强。实施统一的市场准入负面清单制度，持续优化市场环境。引导带动政策性银行、商业银行、民间资本等社会资本

27、参与重大基础设施建设。不断提升开放程度。积极融入以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局。全面融入成渝地区双城经济圈建设，积极参与打造川南渝西融合发展试验区，推动与自贡、攀枝花战略合作协议落地，谋划推动与成都天府新区在信息安全产业等领域开展密切合作。深度对接西部陆海新通道和中新（重庆）战略性互联互通示范项目，建设綦江¬¬万盛物流枢纽园区，打造重庆国际物流分拨中心的重要支点。加快渝南黔北片区基础设施互联互通，充分发挥渝黔合作先行示范区带动作用。推进与“一带一路”、长江经济带、成渝地区双城经济圈相关城市、企业的经贸合作，承接国内外产业转移。到“十四五”末，重点领域

28、改革取得重要成效，区域协调发展实现重大进展，开放型经济发展水平大幅提升。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 市场分析一、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要

29、性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务

30、对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件

31、迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功

32、率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右

33、。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观

34、察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构

35、成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和

36、接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。二、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升

37、级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有

38、禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培

39、育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增

40、速。第四章 选址分析一、 项目选址原则所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。二、 建设区基本情况綦江，是成渝地区双城经济圈建设和渝黔战略合作的联结点、重庆“南大门”、主城都市区重要支点、主城都市区人口和产业发展重要承载地，是西部陆海新通道“重庆门户”，幅员面积2747平方公里，辖31个街镇、总人口125万。这是一座历史悠久的文化之城。江以綦名，区以江名，已有1400多年的州县建制史。1926年重庆最早的党支部诞生于此，是中央主力红军长征过境重庆的唯一地方。是“中国农民版画

41、之乡”。这是一座风光旖旎的休闲之城。巍峨古剑山、雄奇老瀛山、秀美綦河水、咫尺横山巅，国家历史文化名镇东溪古镇、恐龙足迹化石国家地质公园、全国最美乡村永城中华村等闻名遐迩，处处皆景、步步入画，是重庆“后花园”。这是一座交通便捷的宜居之城。綦江是西部陆海新通道上的重要节点，长江一级支流綦江河贯穿南北，渝黔、綦万、三环高速，210、303国省道，渝黔、三南铁路纵横交错、通达四方，经渝贵铁路到重庆主城核心区仅需20分钟。綦江山水如诗、田园如歌，宜居、宜业、宜游。这是一座生机勃发的创业之城。綦江是中国西部齿轮城，曾创造了新中国生产第一辆军用越野车等“八个第一”，重庆老工业基地华丽转身为重庆市级高新区，装

42、备制造、新材料、新一代信息技术、节能环保、消费品工业等五大产业集群发展，汽摩整车及零部件、铝铜材料、高端复合材料、电子信息制造、大数据及信息安全、绿色食品、节能环保、新型建筑材料等八大产业链条发展，潜力巨大、前景广阔。迎难而上，逆势而进，经济运行快速企稳转好。随着新冠肺炎疫情从突然爆发到有效稳控，全区主要经济指标也经历了从承压低开到快速复苏的“V型”反弹，各项数据全面转正、逐季转好。地区生产总值实现714亿元，一般公共预算收入实现31.1亿元，分别增长2.8%、0.9%（含万盛经开区）。固定资产投资增长10%，其中工业投资增长30.1%，分别高出全市平均水平6.1和24.3个百分点；社会消费品

43、零售总额实现202.2亿元、增长3%。虽然个别数据低于年初既定目标，但考虑到疫情、洪水、淘汰煤炭落后产能等方面严重影响，取得的成绩殊为不易、难能可贵。经济实力大跃升，经济总量较2025年翻一番，人均地区生产总值达到全市平均水平。创新体系更加健全，建成渝南黔北科技创新中心。綦江万盛实现一体化同城化融合化，全面建成主城都市区重要战略支点。实现区域治理现代化，法治政府、法治社会和平安建设达到新高度。社会主义精神文明和物质文明全面协调发展，建成文化强区、教育强区、人才强区、体育强区、健康綦江。全面筑牢重庆南部重要生态屏障，基本建成山清水秀美丽綦江。形成对外开放新格局，实现与主城都市区中心城区一体化发展

44、，建成西部陆海新通道渝黔综合服务区、渝黔合作先行示范区、中新项目合作示范区和渝南改革开放新高地。人民生活更美好，中等收入群体显著扩大，人的全面发展、人民共同富裕取得更为明显的实质性进展，高品质生活充分彰显。到二三五年，与全国、全市一道基本实现社会主义现代化，全面建成经济强、百姓富、生态美、文化兴、治理好的重庆“南大门”。三、 建设高标准的主城都市区重要战略支点基础设施网络打造区域性综合交通枢纽。积极推动城轨快线等项目建设，构建“一横七纵”铁路网络，建设重庆南向铁路枢纽；全力推动“重庆主城綦江万盛”快速通道等项目建设，建成一批高速公路和农村公路，打造重庆南“多式零距离换乘”的综合客运枢纽，进一步

45、增强与中心城区的便捷联系，主动承接中心城区功能外溢。研究推动綦河航道综合开发利用。规划建设一批直升机起降点。加强水利网络建设。新建藻渡水库、福林水库等一批大中型水源工程，推进水源连通、城乡一体化供水和小型供水工程规范化建设及改造。完善水文监测预报预警系统，提高全区供水能力及城区防洪能力。严格执行水资源综合调配机制，推动高耗水行业节水增效，实行水循环梯级利用。完善能源保障体系。加强城乡电网改造，新建、改扩建一批变电设施，提升电力供应保障能力。推进天然气综合开发利用，实现内联外通和城乡供应全覆盖。推动页岩气综合勘探开发、安全高效利用，实现生产、供应市场化营运。布局一批CNG和LNG储备站。培育发展

46、风电、光伏发电和生物质发电等新能源产业。积极布局新型基础设施。加快5G网络设施、灾备数据中心、千兆网络宽带等信息基础设施建设。推进大数据、工业互联网与生产生活紧密结合，推动研发设施、重大科教基础设施以及区块链基础设施落地。到“十四五”末，建立起内畅外联、集约高效、经济适用、智能绿色、安全可靠的现代化基础设施体系。四、 项目选址综合评价项目选址区域地势平坦开阔，四周无污染源、自然景观及保护文物。供电、供水可靠，给、排水方便，而且，交通便利、通讯便捷、远离居民区，所以，从项目选址周围环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析，拟建工程的项目选址选择是科学合理的。第五章 建筑技术方案说明

47、一、 项目工程设计总体要求（一）总图布置原则1、强调“以人为本”的设计思想，处理好人与建筑、人与环境、人与交通、人与空间以及人与人之间的关系。从总体上统筹考虑建筑、道路、绿化空间之间的和谐，创造一个宜于生产的环境空间。2、合理配置自然资源，优化用地结构，配套建设各项目设施。3、工程内容、建筑面积和建筑结构应适应工艺布置要求，满足生产使用功能要求。4、因地制宜，充分利用地形地质条件，合理改造利用地形，减少土石方工程量，重视保护生态环境，增强景观效果。5、工程方案在满足使用功能、确保质量的前提下，力求降低造价，节约建设资金。6、建筑风格与区域建筑风格吻合，与周边各建筑色彩协调一致。7、贯彻环保、安

48、全、卫生、绿化、消防、节能、节约用地的设计原则。（二）总体规划原则1、总平面布置的指导原则是合理布局，节约用地，适当预留发展余地。厂区布置工艺物料流向顺畅，道路、管网连接顺畅。建筑物布局按建筑设计防火规范进行，满足生产、交通、防火的各种要求。2、本项目总图布置按功能分区，分为生产区、动力区和办公生活区。既满足生产工艺要求，又能美化环境。3、按照厂区整体规划，厂区围墙采用铁艺围墙。全厂设计两个出入口，厂区道路为环形，主干道宽度为9m，次干道宽度为6m，联系各出入口形成顺畅的运输和消防通道。4、本项目在厂区内道路两旁，建（构）筑物周围充分进行绿化，并在厂区空地及入口处重点绿化，种植适宜生长的树木和

49、花卉，创造文明生产环境。二、 建设方案1、本项目建构筑物完全按照现代化企业建设要求进行设计，采用轻钢结构、框架结构建设，并按建筑抗震设计规范（GB500112010）的规定及当地有关文件采取必要的抗震措施。整个厂房设计充分利用自然环境，强调丰富的空间关系，力求设计新颖、优美舒适。主要建筑物的围护结构及屋面，符合建筑节能和防渗漏的要求；车间厂房设有天窗进行采光和自然通风，应选用气密性和防水性良好的产品。.2、生产车间的建筑采用轻钢框架结构。在符合国家现行有关规范的前提下，做到结构整体性能好，有利于抗震防腐，并节省投资，施工方便。在设计上充分考虑了通风设计，避免火灾、爆炸的危险性。.3、建筑内部装

50、修设计防火规范，耐火等级为二级；屋面防水等级为三级，按照屋面工程技术规范要求施工。.4、根据地质条件及生产要求，对本装置土建结构设计初步定为：生产车间采用钢筋混凝土独立基础。.5、根据项目的自身情况及当地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产生间拟采用全钢结构。.6、本项目的抗震设防烈度为6度，设计基本地震加速度值为 0.05g，建筑抗震设防类别为丙类，抗震等级为三级。.7、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积119936.15，其中：生产工程75395.72，仓储工程21450.12，行政办公及生活服务设施9751.00，公共

51、工程13339.31。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程19737.1075395.729992.041.11#生产车间5921.1322618.722997.611.22#生产车间4934.2718848.932498.011.33#生产车间4736.9018094.972398.091.44#生产车间4144.7915833.102098.332仓储工程8937.5521450.122249.352.11#仓库2681.266435.04674.802.22#仓库2234.395362.53562.342.33#仓库2145.015148.03

52、539.842.44#仓库1876.894504.53472.363办公生活配套2014.679751.001465.063.1行政办公楼1309.546338.15952.293.2宿舍及食堂705.133412.85512.774公共工程6703.1713339.311207.58辅助用房等5绿化工程9532.08159.80绿化率14.59%6其他工程18561.1176.147合计65333.00119936.1515149.97第六章 运营管理模式一、 公司经营宗旨根据国家法律、行政法规的规定，依照诚实信用、勤勉尽责的原则，以专业经营的方式管理和经营公司资产，为全体股东创造满意的投资

53、回报。二、 公司的目标、主要职责（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。2、根据国家和

54、地方产业政策、MOSFET功率器件行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、根据国家法律、法规和MOSFET功率器件行业有关政策，优化配置经营要素，组织实施重大投资活动，对投入产出效果负责，增强市场竞争力，促进区域内MOSFET功率器件行业持续、快速、健康发展。4、深化企业改革，加快结构调整，转换企业经营机制，建立现代企业制度，强化内部管理，促进企业可持续发展。5、指导和加强企业思想政治工作和精神文明建设，统一管理公司的名称、商标、商誉等无形资产，搞好公司企业文化建设。6、在保证股东企业合法权益和自身发展需要的前提下，公司可依照公司法等有

55、关规定，集中资产收益，用于再投入和结构调整。三、 各部门职责及权限（一）销售部职责说明1、协助总经理制定和分解年度销售目标和销售成本控制指标，并负责具体落实。2、依据公司年度销售指标，明确营销策略，制定营销计划和拓展销售网络，并对任务进行分解，策划组织实施销售工作，确保实现预期目标。3、负责收集市场信息，分析市场动向、销售动态、市场竞争发展状况等，并定期将信息报送商务发展部。4、负责按产品销售合同规定收款和催收，并将相关收款情况报送商务发展部。5、定期不定期走访客户，整理和归纳客户资料，掌握客户情况，进行有效的客户管理。6、制定并组织填写各类销售统计报表，并将相关数据及时报送商务发展部总经理。

56、7、负责市场物资信息的收集和调查预测，建立起牢固可靠的物资供应网络，不断开辟和优化物资供应渠道。8、负责收集产品供应商信息，并对供应商进行质量、技术和供就能力进行评估，根据公司需求计划，编制与之相配套的采购计划，并进行采购谈判和产品采购，保证产品供应及时，确保产品价格合理、质量符合要求。9、建立发运流程，设计最佳运输路线、运输工具，选择合格的运输商，严格按公司下达的发运成本预算进行有效管理，定期分析费用开支，查找超支、节支原因并实施控制。10、负责对部门员工进行业务素质、产品知识培训和考核等工作，不断培养、挖掘、引进销售人才，建设高素质的销售队伍。（二）战略发展部主要职责1、围绕公司的经营目标，拟定项目发实施方案。2、负责市场信息的收集、整理和分析，定期编制信息分析报告，及时报送公司领导和相关部门；并对各部门信息的及时性和有效性进行考核。3、负责对产品供应商质量管理、技术、供应能力和财务评估情况