TrackConfiguration及功能简介

1、課程名稱:Track Configuration 及功能簡介欲達之目標:期使新進同仁熟悉了解 Track Configuration 及功能撰寫者:白昆明 最後修訂者: 版本:1.0 編號:T-1內容：TRACK機台在黃光區最主要功能是將WAFER(晶片)作光阻覆蓋,以備STEPPER(對準機)曝光. 接著將已曝光後之WAFER予以DEVELOPER顯影,使圖型能完全定義出.TEL MARK 7, MARK 8: TEL之TRACK機台在黃光區可分為兩種型式,MK-8, MK-7兩種,主要差異在MK-8上層有加裝FILTER(過濾器),所以各個CONTROLLER(控制器)可放在機台上方,以節

2、省空間.至於MK-7機台上方為開放式空間,所以各個CONTROLLER(控制器)需放在機台下方.IN LINE與OFF LINE: 黃光TRACK機台又依是否和STEPPER連線,可分IN-LINE及OFF-LINE兩種.OFF-LINE又可再分COATER(光阻覆蓋機),DEVELOPER(顯影機),ADI REWORK SCRUBBER(工程用刷洗機),及POLYIMIDE(聚乙醯韽).IN-LINE基本上可看成COATER與DEVELOPER合併.主機依功能區分: IN-LINE TRACK可分CARRIER STATION, PROCESS STATION, INTERFACE STA

3、TION三部份. OFF LINE TRACK可分CARRIER STATION, PROCESS STATION兩部份. CARRIER STATION:收放WAFER用.計有四個STAGE可下材料,及一組CARRIER STATION ARM用以傳送晶片. PROCESS STATION:1.IN LINE可分COATER UNIT (冷熱板,HMDS,COATER陷阱槽,MAIN ARM).DEVELOPER UNIT (冷熱板,DEVELOPER陷阱槽,WEE週邊曝光,MAIN RMM). 2.OFF LINE COATER只有冷熱板,HMDS,COATER陷阱槽,MAIN ARM.O

4、FF LINE DEVELOPER只有冷熱板,DEVELOPER陷阱槽,MAIN ARM.POLYIMIDE有冷熱板,PI COATER, PI DEVELOPER, MAIN ARM.SCRUBBER有冷熱板,反轉機構,晶背刷洗(噴洗),正面刷洗(超音波震盪),MAIN ARM. INTERFACE STATION:為TRACK與STEPPER之介面,可分:冷板,BUFFER STAGE(暫存區),INTERFACE ARM. RAP附屬設施: IN LINE: CHEMICAL BOX (EBR及DEVELOPER自動供應系統), TEMPERATURE/HUMIDITY CONTROLL

5、ER(溫濕度控制器),MULTI CONTROLLER(冷板,CIRCULATOR控溫)TRANSFORMER(變壓器). OFF LINE COATER: CHEMICAL BOX (EBR自動供應系統), TEMPERATURE/HUMIDITY CONTROLLER(溫濕度控制器),MULTI CONTROLLER(冷板,CIRCULATOR控溫), TRANSFORMER(變壓器). OFF LINE DEVELOPER: HEMICAL BOX (DEVELOPER自動供應系統),MULTI CONTROLLER(冷板,CIRCULATOR控溫),TRANSFORMER(變壓器).

6、ADI REWORK SCRUBBER: MULTI CONTROLLER,(冷板,CIRCULATOR控溫), TRANSFORMER(變壓器).至於CHEMICAL BOX則併在機台尾. POLYIMIDE: 只有TRANSFORMER(變壓器).至於CHEMICAL BOX則併在機台尾) 各UNIT之細部區分: CARRIER STATION(簡稱C/S): 1. 過濾器: 過濾PARTICLE. 2. POWER SWITCH, WEE SWITCH: 機台電源開關,週邊曝光電源開關. 3. RESIST AIR VENT OPERATION PANEL(光阻排氣泡操作面板): MOD

7、E: 可選OFF, MANUAL, AUTO. A. 在OFF MODE時可依選定管路設定排氣泡時間.由UP DOWN設定.一般設10秒. B. 在MANUAL MODE時,可依選定管路直接壓START鍵作排氣泡,不受設定排氣泡時間影響,若手不一直壓START鍵則結束排氣泡動作. C.在AUTO MODE時,按一次START鍵時,可依選定管路依設定時間排氣泡.按STOP鍵可立即停指排氣泡. NOZZLE SEL: 可選定要排氣泡之管路.可依COATER 2-1或COATER 2-2選擇 RESIST 1-1(光阻第一管第一瓶), RESIST 2-1(光阻第二管第一瓶),RESIST3.(第三

8、管光阻).RESIST 1-2(光阻第一管第二瓶), RESIST 2-(光阻第二管第二瓶),RESIST3.(第三管光阻). START STOP鍵: 可執行/停止排氣泡. 4. STAGE 1-1到1-4可放四個CASSETTE,有CASSETTE SENSOR可偵測是否放CASSETTE. 5. CARRIER STATION ARM: A. 可Y,X,Z三方向移動. B. MAPPING SENSOR可偵測CASSETTE內WAFER位置. 掃瞄時MAPPING SENSOR可伸出,結束時收回. C. WAFER SENSOR可偵測WAFER是否存在. D. 陶磁PINCETTE進出C

9、ASSETTE內以便撈取或存放WAFER.為非真空式吸取,可降低PARTICLE. E. 陶磁PINCETTE部份接觸晶背,降低PARTICLE. F. 四隻PIN可上下以利傳送WAFER. 6. WAFER EXTRUDE SENSOR: 可偵測WAFER是否突出CASSETTE.可偵測陶磁PINCETTE是否正確傳送及接收WAFER. 7. EMO SWITCH: 緊急停止鍵. 8. CARRIER STAGE SWITCH: 可START及STOP CASSETTE的處理.放CASSETTE時,CARRIER亮燈,STANDBY閃燈.接著STANDBY亮燈時, MAPPING SENSO

10、R開始動作.等MAPPING結束後,RUNNING亮燈.STANDBY熄燈.整個作完時,RUNNING熄燈,FINISHED亮燈. 9. ARM POUSE: 可暫停C/S ARM的傳送. 10. LED燈: 供AGV定位用. 11. 操作面板.稍後再介紹. 12. 光阻瓶存放位置:可放四種光阻,或三種光阻及一種ARC.光阻一可兩瓶自動切換,光阻二可兩瓶自動切換.光阻三不可互換. 13. P I/O: PHOTO I/O 供AGV與TRACK COMMUNICATION用. 14. 指示燈 COATER UNIT簡介: 1. 環境控制: 由溫濕度控制器控制溫度23度C,濕度45%,風速0.3米

11、/秒的空氣,經過濾氣予以過濾.各有溫度計,濕度計,風速計可偵測其值.已經過二樓RAP溫濕度控制器控制之空氣由導管接至機台,再經由手動DAMPER可控制其風速大小.經過濾氣過濾PARTICLE後到陷阱槽上方.環境之溫度,濕度,風速均會影響光阻膜厚大小. 2. EBR: 清起晶邊.使用溶劑OK82.由ARM2移到晶邊位置再依程式內設定作晶邊清洗.一般約2MM寬. 3. BACK RINSE 1. BACK RINSE 2: 用以清洗晶背.使用溶劑OK82,防止晶背PARTICLE. 4. SPIN CHUCK: 利用真空以吸住晶片,避免晶片在旋轉中掉片.溝槽大接觸面小可減少晶背PARTICLE.

12、5. 陷阱槽: 防止晶片在高速旋轉時揚起PARTICLE.(須有抽風). 6. 馬達: 帶動CHUCK旋轉.在馬達上方有FLANGE,有冷卻水循環,可避免馬達因高速旋轉產生熱量,經由馬達心軸傳至CHUCK再傳至晶片,進而影響光阻膜厚. 7. 光阻管路: PR1, PR2, PR3.可依程式內設定抓取指定之光阻管.有循環水可控制光阻溫度.光阻溫度不同會影響膜厚.一般約23-24度C.依程式內光阻溫度設定不同而改變.故在不同程式中可能因不同溫度設定會ALARM,但會自動升或降至設定溫度而繼續執行. 8. ARM 1: 可依程式內設定抓取指定之光阻管,並移到晶片正中心以利上光阻.也可依程式內設定位置

13、之不同而定位在不同位置. 9. SOLVENT NOZZLE: 利用RRC功能可降低光阻消耗量.ARM 1將NOZZLE移至晶片正中心,上OK82預濕晶片,接著再上光阻. 10. SOLVENT BATH: 噴OK82在NOZZLE TIP下方.產生飽和蒸氣可避免光阻噴頭乾掉.會伴隨光阻DUMMY DISPENSE的執行作DISPENSE可防止DRAIN阻塞. 11. DRAIN: 排光阻廢液至一樓廢液桶. 12. MASS FLOW CONTROLLER: 在高架地板下方,用以控制並穩定抽風.一般控制開度為50%. 13. SPIN CUP EXH PRESSURE: 用以監測抽風值的大小,

14、COATER一般為4.0MMH20,可由手動DAMPER調整大小. 14. EXH ERROR RESET SW.: 若廠務係抽風有異常時可待系統恢復正常後按此鍵,此時在陷阱槽內之產品需作修改. 15. SPINNER VAC: 用以測真空值的大小,可防止因真空度不足時,造成破片.一般在650以上. 16. DUMMY DISPENSE PANEL: 光阻預噴控制器.預防光阻噴嘴乾掉,觀查DISPENSE狀況. A. AUTO MODE: 依DUMMY DISPENSE設定時間執行預噴(一般約30分鐘),或每批的第一片預噴. B. OFF MODE: 不執行預噴. C. PR: 依現在的程式內

15、設定管路及DISPENSE的時間,可執行預噴. D. P1, P2, P3即光阻1,2,3管. E. TIMER: DISPENSE次數.0次無法執行PR預噴,最多999次. F. START, STOP: 執行/停止預噴. G. MEASURE: 噴量量測.一般依RECIPE內容執行,以檢查噴量. H. NOZZLE UP: 將選定之噴嘴予以升起以便檢查DISPENSE狀況.若生產產品前作預噴,且忘記將NOZZLE DOWN則MAIN ARM會停在冷板前不動作,且不會ALARM. I. RECIPE燈: 表示有RECIPE.若無RECIPE則選PR時無法執行預噴.一般選PR,設定001次,

16、NOZZLE UP再按START執行預噴.檢查有無氣泡,回吸狀況.回吸高度2MM,有無光阻殘留在噴嘴旁,噴嘴是否有撞歪,損傷. 17. ARM POUSE鍵: 暫停ARM之移動.勿任意使用,尤其MAIN ARM在高速運動時,會折損皮帶. 18. SPIN STOP: 強制停止晶片之旋轉,當晶片有嚴重偏心旋轉時.可用此鍵強制停止,可避免破片.但該晶片需作修改. 19. INTERLOCK: 門有保護開關,若在生產產品中任意開啟會緊急停止,產品需修改. 20. RESIST 1, RESIST 2 AUTO CHANGE OPERATION PANEL: 光阻自動更換選擇.由指撥開關可選BOTTL

17、E 1, AUTO, BOTTLE 2, 一般選在AUTO位置,以利自動更換.若只選BOTTLE 1或BOTTLE 2表示只一直使用該瓶,而無法執行自動切換.L/E 量燈表示該瓶光阻已用光,需更換. SUPPLY量燈表示正在使用該瓶光阻. 21. HMDS AUTO SUPPLY PANEL: A. MODE可切換OFF, MANUAL, AUTO. 一般在AUTO可執行自動供應.在MANUAL MODE時,按SUPPLY可由HMDS瓶供應HMDS至BUBBLING TANK.按多久可補充多久,當EMPTY或HMDS HIGH亮燈時則不再補充. B. DRAIN: 強制將HMDS由BUBBLI

18、NG TANK排至DRAIN TANK. C. STOP: 可停止HMDS供應. D. 各指示燈及意義. HMDS SUPPLY: HMDS供應中. BUBBLING: 正在作BUBBLING(冒泡) BUBBLER HIGH: 表液位已補充至高點,自動停止HMDS補充. BUBBLER LOW: 表液位已低,須補充HMDS. LIQUID EMPTY: CAPACITY SENSOR偵測到BUFFER TANK已空,需換HMDS新瓶. OVER FLOW: 表示DRAIN TANK廢液已滿. E. TIMER 1: (AIR VENT TIME)表HMDSE供應至BUBBLING TANK結

19、束後需再排氣時間. F. TIMER 2: 22. AD 2-3, 2-7 HMDS PRESSURE GAGE: HMDS瓶N2加壓壓力, 0.5KG/CM2. 23. AD 2-3, 2-7 HMDS BUBBLING PRESSURE GAGE: BUBBLING瓶內作BUBBLING(冒泡)及DILLUTION(稀釋用)N2壓力, 1KG/CM2. 24. 流量計: EBR: 10ML/MIN. SOVLENT NOZZLE: 一般為OFF.(有RRC功能時才使用). BACK RINSE 1, BACK RINSE 2: 50ML/MIN. SOLVENT BATH: 一般為OFF.

20、 2-3, 2-7 HMDS BUBBLING (N2): 3NL/MIN. 2-3, 2-7 HMDS DILLUTION: 4NL/MIN. 2-3, 2-7 HMDS VAPOR LINE: 7NL/MIN. 25: 光阻管路: 光阻瓶-BUFFER TANK-PUMP-FILTER-開關及回吸調整閥-NOZZLE. BUFFER TANK: 暫存光阻,避免氣泡直接進入管線中,造成MICRO BUBBLE.裝有CAPACITYSENSOR可偵測光阻是否用光.上方有自動排氣泡系統可方便光阻瓶排氣泡. PUMP: DISPENSE時擠壓光阻至FILTER,回程時將光阻瓶內光阻吸出,以備下次D

21、ISPENSE.可精確控制噴量及噴速,為馬達驅動方式. FILTER: 過濾光阻PARTICLE.有排氣泡閥. 開關及回吸調整閥: 開時可DISPENSE光阻,關時結束DISPENSE,開關速度可調整.回吸調整閥可調整回吸速度及回吸高度. NOZZLE: 前端有溫度控制. 26: HMDS管路: HMDS瓶-BUFFER TANK-FILTER-BUBBLING TANK-流量計-HMDS熱板.- BUFFER TANK: 暫存HMDS,避免氣泡直接進入管線中,造成MICRO BUBBLE.裝有CAPACITY SENSOR可偵測HMDS是否用光.上方有手動排氣泡閥可方便排氣泡. FILTER

22、: 過濾HMDS PARTICLE.有手動排氣泡閥可排氣泡. BUBBLING TANK: A. 液位計(浮球式)可知液位高低,當偵測到BUBBLING LOW時可自動補充. B. BUBBLING管: N2加壓在液位下方作冒泡以產生HMDS蒸氣. C. DILLUTION: N2稀釋HMDS蒸氣濃度. D. HMDS SUPPLY: 補充HMDS到BUBBLING TANK. E. HMDS VAPOR: 供應HMDS蒸氣至HMDS熱板. DRAIN TANK: 容納HMDS廢液(由BUFFER TANK及FILTER排氣泡時之廢HMDS液.)有液位浮球SENSOR可偵測是否廢液滿. 27.

23、 EBR, BACK RINSE, SOLVENT BATH管路: CSS-EBR PUMP-FILTER-流量計-開關閥-NOZZLE. CSS: CHEMICAL SUPPLY SYSTEM: 由廠務提供之自動供應系統. EBR PUMP: 由RAP將OK82供應至機台. FILTER: 過濾PARTICLE. 開關閥: 決定EBR, BACK RINSE等是否作清洗動作. MAIN ARM簡介:COATER及DEVELOPER架構相同 A. 可X,Y,Z,TH四軸運動. B. 手臂有三隻由上而下分別是ARM3, ARM1, ARM2.採用撈取方式抓或放晶片.非真空吸取方式. C. ARM

24、3為由冷板抓晶片至COATER或DEVELOPER專用,可避免ARM將熱量傳到冷晶片上,造成OATING時膜候不均,或DEVELOPING時CD不穩. D. ARM3與ARM1間有鐵盤隔開,可避免ARM1或ARM2之熱的晶片將熱量傳至ARM3的冷晶片上,造成COATING時膜候不均,或DEVELOPING時CD不穩. E. MAIN ARM前端有SENSOR可偵測WAFER是否存在.用以檢查MAIN ARM上的晶片,是否正確送出正確傳回. F. MAIN ARM傳送WAFER位置要非常精確,否則會造成RBR清洗大小邊,或在冷熱板上掉片,疊片. DEVELOPER UNIT簡介: 1. 環境控制

25、: 受FAB溫濕度控制溫度23度C,濕度40%,經過濾氣予以過濾. 環境之溫度,濕度,風速均會影響CD大小,但變化不大. 2. DI RINSE: 由ARM2移到晶片正中心位置再依程式內設定作預濕或清洗. 3. BACK RINSE: 用DI水清洗晶背,防止晶背PARTICLE及將滲到晶背的顯影液清洗乾淨.避免污染晶片,MAIN ARM及冷熱板. 4. SPIN CHUCK: 利用真空以吸住晶片,避免晶片在旋轉中掉片.溝槽大接觸面小可減少晶背PARTICLE. 5. 陷阱槽: 防止晶片在高速旋轉時揚起PARTICLE.(須有抽風). 6. 馬達: 帶動CHUCK旋轉.在馬達上方有FLANGE,

26、有冷卻水循環,可避免馬達因高速旋轉產生熱量,經由馬達心軸傳至CHUCK再傳至晶片,進而影響CD. 7. E2 NOZZLE: 可同時由一百多個小孔噴在晶片上,達到均勻覆蓋目地.有循環水可控制顯影液溫度.顯影液溫度不同會影響CD.一般約23度C. 顯影液同時由E2 NOZZLE兩端兩管補充,由中央一管排氣泡. 8. E2 NOZZLE: HOME位置有N2作密氣防止顯影液長時間下滴落,造成氣泡. 9. ARM 1: 可依程式內容將E2 NOZZLE移到晶片正中心以利上顯影液.也可依 程式內設定之不同而定位在不同位置. 10. DRAIN: 排廢顯影液至廠務廢水處理. 11. SPIN CUP E

27、XH PRESSURE: 用以監測抽風值的大小,DEVELOPER一般為7.0MMH20,可由手動DAMPER調整大小. 12. EXH ERROR RESET SW.: 若廠務係抽風有異常時可待系統恢復正常後按此鍵,此時在陷阱槽內之產品需作修改. 13. SPINNER VAC: 用以測真空值的大小,可防止因真空度不足時,造成破片.一般在650以上. 14. DUMMY DISPENSE PANEL: 顯影液預噴控制器.可防止噴嘴乾掉,觀查DISPENSE狀況. A. AUTO MODE: 依DUMMY DISPENSE設定時間執行預噴(一般約30分鐘),或每批的第一片預噴. B. OFF

28、MODE: 不執行預噴. C. PR: 依現在的程式內設定DISPENSE的時間,執行預噴. D. S1, S2即顯影液1,2管,S3為RINSE管,S4未指定. E. TIME: DISPENSE時間,最多999秒. F. START, STOP: 執行/停止預噴. G. NOZZLE UP/DOWN: 將E2 NOZZLE予以升起以便檢查DISPENSE狀況.若生產產品前作預噴,且忘記將NOZZLE DOWN則MAIN ARM會停在冷板前不動作,且不會ALARM. H. NOZZLE IN/OUT: E2 NOZZLE會移到CHUCK中心,且CHUCK會下降,CHUCK真空會動作.可利設備

29、檢查E2 NOZZLE與晶片間隙 1.0MM. I. RECIPE燈: 表示有RECIPE.若無RECIPE則選PR時無法執行E2 NOAZZLE預噴. J. AIR VENT STOP SW: 作預噴時可同時將AIR VENT閥關起不作排氣泡.一般選PR,設定002秒, NOZZLE UP再按START執行預噴.檢查有無氣泡,回吸狀況.顯影液是否正常而一致地簾狀噴出,且不會打結.若選S1時,設定之時間不要超出002秒,否責噴量會不足,無法正常補充顯影液,且噴的狀況會很奇怪造成誤判. 15. ARM POUSE鍵: 暫停ARM之移動.勿任意使用,尤其MAIN ARM在高速運動時,會折損皮帶.

30、16. SPIN STOP: 強制停止晶片之旋轉,當晶片有嚴重偏心旋轉時.可用此鍵強制停止,可避免破片.但該晶片需作修改. 17. INTERLOCK: 門有保護開關,若在生產產品中任意開啟會緊急停止,產品需修改. 18. COATER WIND VELOCITY: COATER陷阱槽風速顯示器. 19. SUB TANK AUTO SUPPLY OPERATION PANEL: 可作SUB TANK顯影液補充. REST鍵: 當SUB TANK出現EMPTY時,可按此鍵再作SUPPLY的嘗試. STOP鍵: 停止. SUPPLY燈: 顯示正在供給狀態. FULL燈: 表示已補充至滿的狀態.

31、OVERFLOW: 表示未在指定的時間內補充滿液位,或OVERFLOW SENSOR動作. EMPTY: 表示未補充到滿的位置. 20. SUB TANK DRAIN SW: 勿使用.強制加壓N2至SUB TANK以排顯影液至DRAIN. 會造成OVERFLOW SENSOR動作. 21. LEAK MONITOR PANEL: 用以指示漏液位置.一般其LEAK SENSOR正常為綠燈,偵測到有漏時轉為紅色燈. A. C/S亮燈表示CARRIER STATION有漏光阻. B. P/S HMDS CART亮燈: HMDS有漏. C. P/S COATER 1亮燈: 2-1 COATER陷阱槽有

32、漏. D. P/S COATER 2亮燈: 2-2 COATER陷阱槽有漏. E. P/S DEV 1亮燈: 3-2 DEVELOPER陷阱槽有漏. F. P/S DEV 2亮燈: 3-3 DEVELOPER陷阱槽有漏. G. TEMP HUMID CONT亮燈: 二樓的溫濕度控制器有漏. H. EXTERNAL CABINET亮燈: 二樓的CSS系統有漏. 22. 流量計及壓力表: A. E2 NOZZLE: 1.2L/MIN.顯影液流量. B. E2 NOZZLE BLOW: 20ML/MIN.吹N2防止顯影液滴落. C. RINSE NOZZLE: 0.9L/MIN. DI RINSE.

33、 D. BACK RINSE: 100ML/MIN. 晶背DI水清洗. E. 顯影液補充至SUB TANK之壓力計表: 調整會改變顯影液補充速度. F. E2 NOZZLE BLOW壓力表: 1.0KG/CM2. G. RINSE NOZZLE壓力表:1.0KG/CM2. H. BACK RINSE壓力表: 1.0KG/CM2. 23. SUB TANK及HIGH LOW LEVEL SENSOR: 顯影液暫存桶及液位偵測器. 24. JACKET: 顯影液溫度控制器(熱交換氣).由CIRCULATOR流出之冷卻水在此與顯影液作低一次熱交換.注意: 由CIRCULATOR流出之冷卻水在E2 N

34、OZZLE時仍會有溫控. 25. 顯影液管路:CSS-DEVELOPER PUMP-SUB TANK-流量計-FILTER-開關閥-E2 NOZZLE. CSS: CHEMICAL SUPPLY SYSTEM: 由廠務提供之顯影液自動供應系統. DEVELOPER PUMP: 由RAP將DEVELOPER供應至機台. SUB TANK: 顯影液暫存桶,利用N2加壓以便供應至E2 NOZZLE FILTER: 過濾PARTICLE. 開關閥: 決定DEVELOPER開關及回吸調整. E2 NOZZLE: 均勻的將顯影液噴出. 26. RINSE及BACK RINSE管路: 廠務DI水-流量計-F

35、ILTER-開關閥-NOZZLE. FILTER: 過濾PARTICLE. 開關閥: 決定DI水開關及回吸調整. NOZZLE: 穩定的將DI水噴出. FLOW METER AMP: 機台所有的流量偵測器的放大器: 一般流量偵測器未偵測到流量時(浮球未升起)亮綠燈,偵測到流量時(浮球升起時)亮紅綠燈. COATER: BACK RINSE 1,2, HMDS, EBR. DEVELOPER: E2 NOZZLE, RINSE NOZZLE, BACK RINSE. INTERFACE簡介: A. 4-1可作PICK UP(PILOT用),也可作為顯影暫存區.生產用晶舟. B. 4-2, 4-3

36、: STEPPER暫存區.鐵晶舟. C. 4-6: FIX COOLING PLATE,實際上只是DEVELOPER及INTERFACE的MAIN ARM交換晶片未置. D. 4-4: COOLING PLATE: 冷板,有PIN可UP/DOWN. E. 4-5: STEPPER. F. MAIN ARM: 同CARRIER STATION ARM,但多了TH軸可旋轉. G. ARM POUSE: 同C/S ARM. H. WAFER EXTRUDE SENSOR: 同C/S ARM. I. INTERLOCK: 同C/S ARM. J. 操作面板: 同C/S. 機台後方機構: 冷熱板簡介:

37、A. 可經由程式中設定不同加熱及冷卻溫度及時間. B. 採用PROXIMITY TPYE近接式加熱或冷卻,而不是採用接觸式加熱或冷卻, 可避免造成晶背污染. C. PROXIMITY GAPE: 0.1MM陶瓷薄片,在晶邊位置,計六點. D. 防滑裝置: 2.0MM陶瓷,避免晶片位移. E. PIN UP/DOWN: 三隻PIN用以接晶片.由氣壓缸作傳動. F. BEFORE BAKE, AFTER BAKE: BEFORE BAKE: 三隻PIN接晶片後不直接下降至熱板加熱,依程式內時間作預熱後,PIN下降再加熱晶片. AFTER BAKE: 三隻PIN接晶片後直接下降至熱板加熱,依程式內時

38、間加熱後,PIN上升在熱板上方等待. G. COVER UP/DOWN: HMDS蓋板需密氣抽真空及上HMDS蒸氣再排廢氣,需有COVER及密封環作密氣.由氣壓缸作傳動. H. SHUTTER UP/DOWN: 一般熱板不必完全密氣作加熱,需有通風及抽氣.作成環狀,由氣壓缸作傳動.I.冷板蓋板: 純冷卻,不鏽鋼蓋板,可直接抽出,不必作UP/DOWN. WEE簡介: A. WAFER EDGE EXPOSURE: 晶邊曝光.約3MM大小. B. 水銀燈光源經過光纖傳至聚焦鏡作FOCUS控制,再由SHUTTER控制光的通過,可對晶片做外週園圈狀曝光,或線狀曝光(可曝平邊). C. 水銀燈壽命2000小時. D. 水銀燈降溫抽風: 11MM/H2O.廠務若抽風停止超出7分鐘以