稽纳二极体的参数为

1、電子學 第2章<答案及詳解再最後面>選擇題 共350題 (共1分)( )1.圖中、，稽納二極體的參數為、及，若忽略其稽納電阻，且二極體D1之膝點電壓（knee voltage）為0.7V，則可讓稽納二極體正常運作之最低負載電阻為：(A)959 (B)1.11k (C)1.98k (D)2.5k( )2.未外加偏壓時，空乏區可(A)增加漂移電流 (B)遏制漂移電流 (C)增加擴散電流 (D)遏制擴散電流( )3.某矽二極體=2，熱電壓（thermal voltage）。若其順向電流為10mA，則其動態電阻值為何？(A)5 (B)10 (C)15 (D)20( )4.振盪電路最好使用下

2、列何種二極體？(A)透納二極體 (B)稽納二極體 (C)變容二極體 (D)發光二極體( )5.有關半導體的特性敘述，下列何者正確？(A)導體的導電性介於半導體與絕緣體之間 (B)在能階與能階之間的能隙內仍有電子存在 (C)價電子脫離共價鍵所留下的空缺，稱為電洞 (D)在原子中，每一層軌道上的電子數目為2n（n為軌道層次）( )6.矽製二極體25°C時的切入電壓為0.6V，試求65°C時切入電壓為何？(A)0.7V (B)0.6V (C)0.5V (D)0.4V( )7.某矽質二極體在溫度20°C時的逆向飽和電流為5nA，若溫度上升至40°C時，逆向飽和電

3、流變為(A)5nA (B)10nA (C)20nA (D)40nA( )8.下圖之二極體在流通1mA電流時，兩端的電壓差為0.7V，若=1且，則為（計算時可參考以下的自然對數表）：(A)0.7V (B)0.73V (C)0.76V (D)0.79V( )9.二極體為P型材料與N型材料接合而成，當二極體被反偏時的電流稱為反向飽和電流，反向飽和電流的大小主要與下列何者有關？(A)二極體所在環境的溫度 (B)反向偏壓的大小 (C)加反向偏壓的時間 (D)與反向偏壓的大小、加反向偏壓的時間同時有關( )10.如下圖，通過Zener二極體之電流為(A)0mA (B)4mA (C)5mA (D)9mA(

4、)11.下列何種二極體的空乏區最窄？(A)發光二極體 (B)透納二極體 (C)變容二極體 (D)稽納二極體( )12.一般PN二極體兩端的順向偏壓，隨溫度的變化量約為(A)2.5mV/ °C (B)25mV/ °C (C)+2.5mV/ °C (D)+25mV/ °C( )13.如下圖所示之電路，則在哪一個範圍，可使二極體發揮穩壓作用？(A)0.11k0.2k (B)0.05k0.2k (C)0.05k0.1k (D)0.22k0.3k( )14.的稽納二極體，當變化2mA時有40mV的變化，則當流過5mA電流時，跨於二極體兩端的電壓為(A)4.6V (

5、B)4.7V (C)4.8V (D)4.9V( )15.某矽二極體在溫度20°C時的逆向飽和電流為5nA，若溫度上升至50°C時，則逆向飽和電流變為(A)20nA (B)30nA (C)40nA (D)60nA( )16.下列IV特性曲線中，何者代表理想二極體（為切入電壓）？(A) (B) (C) (D)( )17.在本質半導體中，摻入硼（B）原子之後的電性為何？(A)帶正電 (B)帶負電 (C)電中性 (D)視濃度而定( )18.如下圖中之穩壓電路，若負載電流在0至200mA之間變化時，須保持在12V，則稽納二極體之最高功率額定為(A)5.2W (B)3.3W (C)2.

6、4W (D)0W( )19.下列有關對矽、鍺二極體之敘述，何者錯誤？(A)矽的原子較小 (B)矽的漏電流較小 (C)矽的溫度穩定性較佳 (D)矽的能隙較大，導電性較佳( )20.如下圖之I-V特性曲線為(A) (B) (C) (D)( )21.如下圖所示為一稽納二極體電路，若負載時，其輸出電壓為(A)15V (B)9V (C)6V (D)0V( )22.下列哪一項不做為半導體元件的材料？(A)鍺 (B)雲母 (C)矽 (D)砷化鎵( )23.下列有關二極體PN接面之電容的敘述，何者錯誤？(A)過渡電容之電容量與逆向偏壓成反比 (B)過渡電容之電容量與PN接面之截面積成正比 (C)擴散電容之電容

7、量與順向偏壓成正比 (D)擴散電容量之電容與電洞之平均壽命無關( )24.純矽在絕對零度時，其導電性質如同(A)導體 (B)絕緣體 (C)半導體 (D)超導體( )25.如下圖所示，欲使稽納（Zener）二極體正常工作，其最小值為何？(A)500 (B)1k (C)2k (D)4k( )26.有關外質（extrinsic）半導體之敘述，下列何者錯誤？(A)將三價雜質元素摻入純半導體中，以形成P型半導體 (B)將五價雜質元素摻入純半導體中，以形成N型半導體 (C)N型半導體之多數載子為自由電子 (D)P型半導體之少數載子為電洞( )27.如下圖所示，流過稽納（Zener）二極體之電流約為(A)3

8、.7mA (B)3.1mA (C)1.5mA (D)0.63mA( )28.如下圖所示電路，若LED工作電壓為2V，內阻為180，下列敘述何者錯誤？(A)流經LED的電流I=10mA (B)電阻R愈小，LED愈亮，但愈容易燒壞 (C)電壓E愈小，LED愈不亮 (D)LED發光的顏色與電壓E有關( )29.如下圖所示，若稽納二極體、，則達到正常穩壓時之最大值為多少？(A)100 (B)250 (C)500 (D)1000( )30.有關二極體的特性，下列何者錯誤？(A)在順向偏壓時，漂移電流效應大於擴散電流 (B)擴散電流是由多數載子所產生 (C)漂移電流是由少數載子所產生 (D)順向電流與順向

9、電壓的關係式為( )31.下列何者不是變容二極體的主要應用範圍？(A)調諧電路 (B)電壓控制振盪器（VCO） (C)自動頻率控制（AFC） (D)穩壓電路( )32.有一5.1V稽納（Zener）二極體，若加上順向偏壓時，以三用電表量測，電表上讀值約為多少？(A)0.3V (B)0.6V (C)5.1V (D)10.2V( )33.如下圖所示電路，假設二極體切入電壓，順向電阻，逆向電阻，若V1=V2=5V，求約為多少？(A)1.96V (B)3.91V (C)4.17V (D)4.54V( )34.N型半導體內的電洞為(A)少數載子，由熱所產生 (B)少數載子，由摻雜所產生 (C)多數載子，

10、由摻雜所產生 (D)多數載子，由熱所產生( )35.在本質半導體中的電子濃度n與電洞濃度p的關係為何？（為本質濃度）(A) (B) (C) (D)( )36.如下圖所示，欲使稽納二極體正常工作，其最小值應為多少？(A)2k (B)500 (C)4k (D)1k( )37.如下圖所示電路，若，則為(A)0.2V (B)0.7V (C)6.8V (D)8V( )38.半導體材料的導電性隨溫度的下降而(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)成為超導體( )39.二極體中的逆向漏電流（reverse leakage current）對溫度極為敏感，通常在PN接面的溫度每遞增1°C ，可使逆

11、向漏電流(A)增加7% (B)減少7% (C)增加100% (D)減少100%( )40.如下圖所示電路，若二極體為理想的，求電流I為多少？(A)0.9mA (B)0.7mA (C)0.5mA (D)0( )41.如下圖所示，假設稽納二極體的崩潰電壓為15V，則其通過的電流等於(A)2.5A (B)5A (C)7.5A (D)10A( )42.對於二極體，下列敘述何者正確？(A)用在檢波時，要工作在非線性區 (B)串聯可增加最大電流 (C)並聯可增加最大逆向電壓 (D)施加逆向偏壓愈大，則空乏區寬度變小( )43.在一矽質二極體的兩端外加一順向偏壓1V，並測得順向電流為10mA，則二極體的分佈

12、電阻為(A)10 (B)30 (C)70 (D)100( )44.蕭基二極體是由金、銀等金屬與何者結合而成？(A)高摻雜P型半導體 (B)高摻雜N型半導體 (C)低摻雜P型半導體 (D)低摻雜N型半導體( )45.稽納二極體應用於穩壓電路時，其工作區域為(A)崩潰區 (B)負電阻區 (C)順向區 (D)以上皆非( )46.所謂理想二極體，下列敘述何者錯誤？(A)順向時視為短路，逆向時視為開路 (B)順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C)無順向電壓降，無逆向電流 (D)順向電壓等於零，逆向電流無限大( )47.如下圖中之穩壓電路，若負載電流在0至200mA之間變化時，須保持在12V，則的值在(A

13、)10 (B)20 (C)30 (D)40( )48.如下圖電路中之二極體為理想二極體，則此電路之輸出電壓為(A)2V (B)5V (C)8V (D)10V( )49.如下圖所示，若D為理想二極體，試求流經3k上的電流為多少？(A)3mA (B)0mA (C)2mA (D)1mA( )50.有一崩潰電壓為16V的稽納二極體，若20mA的稽納電流變化，對應有0.2V的稽納電壓改變，則稽納電阻為何？(A)10 (B)1 (C)20 (D)2( )51.下列敘述，何者錯誤？(A)當溫度昇高時，一般金屬導體電阻增加 (B)半導體在溫度上昇時，其電阻下降 (C)在P型半導體裡，導電的載子主要是電洞 (D

14、)在N型半導體裡，電洞的濃度將隨溫度的昇高而減少( )52.下列敘述何者錯誤？(A)脫離原子核束縛而能自由移動的電子，稱為自由電子 (B)位於價電帶內，在原子最外層軌道上的電子，稱為價電子 (C)價電子脫離原子核的束縛形成自由電子的過程，稱為游離 (D)原子失去電子將形成負離子( )53.請使用二極體近似模型計算下圖中之電路，假設二極體D1與D2之切入電壓、順向電阻、及逆向電阻，電路中之及，當V1=V2=2V，請問？(A)0.15V (B)1.8V (C)0.1V (D)1.2V( )54.在本質半導體中，由於載子濃度不均勻而產生的電流，稱為(A)漏電流 (B)漂移電流 (C)擴散電流 (D)

15、電子流( )55.如下圖所示電路，輸出為幾伏特？(A)0伏特 (B)10伏特 (C)15伏特 (D)5伏特( )56.稽納二極體的符號為(A) (B) (C) (D)( )57.一稽納二極體，逆向崩潰電壓為10V，動態電阻，與一電阻（1k）及電源連接成如下圖，試求時，輸出電壓？(A)10V (B)10.3V (C)10.6V (D)11.2V( )58.N型半導體的多數載子是(A)電洞 (B)電子 (C)施體離子 (D)受體離子( )59.如下圖之電路使用矽二極體，則為(A)11.53V (B)10.65V (C)9.62V (D)8.63V( )60.如下圖所示電路，？(A)5.3V (B)

16、16V (C)0V (D)9.3V( )61.一原子失去電子後，其游離後將變成(A)不帶電 (B)帶正電的離子 (C)帶負電的離子 (D)可能帶正電亦可能帶負電( )62.二極體施以逆向電壓時，仍然會有小量電流產生，這是由於(A)多數載子之流動所導致 (B)少數載子之流動所導致 (C)主、副載子同時流動所導致 (D)以上皆非( )63.如下圖所示符號為何種元件？(A)隧道二極體 (B)稽納二極體 (C)變容二極體 (D)PN二極體( )64.如下圖，若，則達到穩壓15V工作的最大值為若干？(A)1k (B)800 (C)600 (D)400( )65.純半導體內若摻入銦（In）元素的原子則形成

17、(A)N型半導體 (B)P型半導體 (C)本質半導體 (D)二極體( )66.一純矽半導體，本質濃度，原子密度為5×1020/cm3，若每108個矽原子摻入一個硼（B）原子，則其自由電子的濃度為多少？(A)4.5×105/cm3 (B)4.5×106/cm3 (C)4.5×107/cm3 (D)4.5×108/cm3( )67.如下圖，R=25k，假設二極體的切入電壓為0.6V，順向電阻，當時，等於(A)0V (B)4.27V (C)2.81V (D)5V( )68.如下圖所示，若稽納二極體之崩潰電壓，則此稽納二極體的消耗功率為何？(A)16m

18、W (B)64mW (C)24mW (D)0W( )69.稽納二極體（Zener diode）的稽納電壓(A)呈負溫度係數 (B)呈正溫度係數 (C)稽納電壓在6V以上呈正溫度係數，6V以下呈負溫度係數 (D)與溫度無關( )70.如圖所示，若稽納二極體的崩潰電壓為9V，則輸出電壓V0為何？(A)12V (B)9V (C)6V (D)1V( )71.變容二極體之電容，常用下列何者來調變？(A)順向電流 (B)反向電壓 (C)順向電壓 (D)溫度( )72.如下圖所示電路，假設稽納二極體在與間能維持固定電壓且，求的範圍約為何？(A)26 50 (B)51 100 (C)76 100 (D)100

19、 150( )73.二極體的障壁電位，即為其電壓-電流特性曲線上的(A)切入電壓 (B)逆向電壓 (C)崩潰電壓 (D)以上皆非( )74.在PN接面兩側外加一順向偏壓，下列敘述何者錯誤？(A)在P型區的電洞受電源正極排斥而移向接面附近 (B)在N型區的電子受電源負極排斥而移向接面附近 (C)空乏區的寬度增加 (D)順向電流增加( )75.在下圖之理想二極體電路中，若，則流經此電阻的電流為何？(A)1mA (B)3mA (C)5mA (D)9mA( )76.電路如右圖所示，假設稽納二極體在與間維持固定電壓且，則的最小值約為(A)300 (B)400 (C)500 (D)600( )77.有關發

20、光二極體的特性，下列何者為錯誤？(A)在室溫低電流下可連續使用 (B)發出的光幾乎為單色光 (C)反應時間很快，可高速切換 (D)只能在直流脈衝下工作( )78.純矽在絕對零度時(A)其性能如同導體 (B)其性能如同絕緣體 (C)其性能如同半導體 (D)以上皆非( )79.對二極體接面電容量的敘述，在逆向偏壓愈大時，下列何者為正確？(A)空乏區寬度增加，電容量增加 (B)空乏區寬度增加，電容量減少 (C)空乏區寬度減少，電容量減少 (D)空乏區寬度與電容量無關( )80.二極體之反向飽和電流隨溫度上升而(A)減小 (B)上升 (C)不變 (D)不一定( )81.在N型半導體中，導體的多數載子為

21、(A)離子 (B)電子 (C)中子 (D)電洞( )82.二極體不具下列何種功用？(A)放大 (B)整流 (C)檢波 (D)截波( )83.如下圖所示，D1、D2為理想二極體，？(A)2V (B)3V (C)4V (D)5V( )84.如圖所示，若將稽納二極體反接，則輸出電壓V0約為(A)10V (B)5.5V (C)4.5V (D)0.7V( )85.矽製二極體65°C時的逆向飽和電流為48，試求於25°C時的逆向飽和電流大小為何？(A)3 (B)6 (C)12 (D)24( )86.PN二極體接面附近所形成之接觸電勢的極性是(A)視偏壓而定 (B)視溫度而定 (C)P端

22、為負，N端為正 (D)P端為正，N端為負( )87.在本質半導體中，由於外加電壓而產生的電流，稱為(A)漏電流 (B)漂移電流 (C)擴散電流 (D)電子流( )88.如下圖所示，若、 ，求使稽納二極體能正常工作之輸入電壓的範圍為何？(A)20V30V (B)21V30V (C)20V31V (D)21V31V( )89.矽、鍺半導體材料的導電性，隨溫度上升而產生何種變化？(A)成為絕緣體 (B)減少 (C)不變 (D)增加( )90.如下圖所示電路，二極體為理想二極體，C點電壓約為(A)0伏特 (B)+30伏特 (C)+15伏特 (D)15伏特( )91.有一PN接面的二極體，試問在N型半導

23、體接面附近的總電荷極性為何？(A)正 (B)負 (C)中性 (D)資料太少，無法決定( )92.下列有關二極體的敘述，何者錯誤？(A)使用三用電表可以判別二極體的材質（矽或鍺） (B)1N4001為矽質二極體，1N60為鍺質二極體 (C)發光二極體工作於順向偏壓，光二極體工作於逆向偏壓 (D)變容二極體之電容量以順向電壓來調變( )93.如下圖所示，發光二極體（LED）之狀態為何？(A)亮 (B)不亮但不會燒壞 (C)不亮且燒壞 (D)持續閃爍( )94.關於變容二極體之敘述，下列何者正確？(A)可做電壓控制式可變電阻 (B)可用於自動頻率控制電路 (C)可用於自動增益控制電路 (D)通常用於

24、順向偏壓( )95.有一崩潰電壓為10V的稽納二極體，若40mA的稽納電流變化，對應有0.2V的稽納電壓改變，則稽納電阻為何？(A)5 (B)8 (C)20 (D)25( )96.如下圖所示，設二極體之順向電阻為300，切入電壓（cut in）為0.6V，若輸入端、，則輸出端之電壓為多少？(A)0V (B)0.72V (C)0.85V (D)5V( )97.利用三用電表歐姆檔來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針均大幅偏轉，表示該二極體(A)正常 (B)斷路 (C)短路 (D)無法判斷( )98.N型半導體，要在本質半導體中加入少量(A)二價元素 (B)三價元素 (C)四價元素 (D)五價元素

25、( )99.有一PN二極體逆向飽和電流於300°K時為1A，於350°K時應為(A)32A (B)50A (C)64A (D)100A( )100.二極體的空乏區，隨著逆偏電壓的增加而產生何種變化？(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)先減後增( )101.如下圖所示電路，二極體逆偏時，流過二極體的電流大小與下列何者有關？(A)環境溫度 (B)逆向偏壓V (C)電阻R (D)逆向偏壓V及電阻R兩者( )102.二極體串聯可增加(A)交換時間 (B)最大逆向電壓 (C)最大電流 (D)以上皆正確( )103.如下圖為二極體順向偏壓曲線，B點的內阻約為多少歐姆？(A)10

26、(B)15 (C)20 (D)25( )104.下列何種元素摻入純質半導體材料中，可使純質半導體的電性轉變為P型半導體？(A)磷 (B)砷 (C)銻 (D)硼( )105.當二極體的順向偏壓增加時，擴散電容的大小會(A)增加 (B)減少 (C)無影響 (D)不一定( )106.如下圖所示之電路，D為理想二極體，則電流I為何？(A)3mA (B)4mA (C)5mA (D)6mA( )107.如下圖，若D為一般矽質二極體，切入電壓為0.6V，試求流經3k上的電流為多少?(A)0mA (B)3mA (C)1mA (D)0.2mA( )108.P型半導體中之少數載子為(A)電子 (B)電洞 (C)正

27、離子 (D)負離子( )109.有關矽二極體與鍺二極體的比較，下列敘述何者錯誤？(A)矽二極體逆向耐電壓，高於鍺二極體 (B)矽二極體工作溫度高於鍺二極體 (C)鍺二極體切入電壓高於矽二極體 (D)鍺二極體逆向飽和電流高於矽二極體( )110.如下圖所示電路，已知稽納（Zener）二極體電壓，若要使負載電阻兩端電壓維持在10V，則下列那一個值無法達到要求？(A)300 (B)350 (C)400 (D)550( )111.鍺元素為多少價的元素？(A)4 (B)3 (C)2 (D)1( )112.下列何者不是五價原子？(A)磷 (B)銻 (C)砷 (D)硼( )113.如下圖所示，已知稽納二極體

28、內阻，稽納崩潰電壓，若輸入電壓在12V至20V間變動，則輸出電壓的變動為多少？(A)0.04V (B)0.08V (C)4V (D)8V( )114.下列敘述何者正確？(A)空乏區中沒有電場的存在 (B)順向偏壓時，空乏區加大 (C)順向偏壓時，空乏區變小 (D)逆向偏壓時，PN接面不會有電流存在( )115.如下圖的稽納（Zener），若要維持電壓在10伏特，必須維持在多少歐姆之間？(A)250 1250 (B)100 1000 (C)300 1200 (D)200 1000( )116.有關二極體（diode）特性的敘述，下列何者錯誤？(A)靜態電阻，又稱為直流電阻， (B)動態電阻，又稱

29、為交流電阻， (C)過渡電容，又稱為空乏電容， (D)擴散電容，又稱為空間電荷電容，( )117.PN二極體，欲加入順向偏壓，則應在(A)P加正極，N加正極 (B)P加負極，N加正極 (C)P加正極，N加負極 (D)P加負極，N加負極( )118.P型半導體與N型半導體結合時，在PN接合面上會形成空乏區，此空乏區內(A)電場方向由P指向N (B)沒有任何電荷 (C)接面的電場強度最弱 (D)只有不可移動的離子( )119.二極體施加逆向偏壓後，仍有微小電流流過接合面，其電流是為(A)電子流 (B)電洞流 (C)少數載子形成之電流 (D)以上皆非( )120.某二極體在溫度t°C時，逆

30、向飽和電流為10nA，在溫度30°C時，逆向飽和電流為20nA，則在溫度60°C時，逆向飽和電流為多少？溫度t為多少？(A)0.16A，10°C (B)0.16A，20°C (C)0.32A，10°C (D)0.32A，20°C( )121.在室溫下，一般矽質二極體導通時，兩端的電位差為多少V？(A)1.2V (B)0.9V (C)0.7V (D)0.3V( )122.下列有關半導體之敘述何者錯誤？(A)N型半導體是在本質半導體中摻雜3價的元素 (B)N型半導體中的多數載子為電子 (C)當PN接面外加順向偏壓時，空乏區會變窄 (D)當

31、PN接面外加逆向偏壓時，仍有少數載子的流動，稱之為逆向飽和電流( )123.一N型半導體受熱影響，所產生的新電子或電洞數何者為多？(A)不會產生新電子或電洞數 (B)電子數 (C)電洞數 (D)電子和電洞數一樣多( )124.二極體順向偏壓時，空乏區（depletion region）寬度(A)不變 (B)變大 (C)變小 (D)不一定( )125.鍺二極體的導通電壓為多少V？(A)1.2V (B)0.9V (C)0.7V (D)0.3V( )126.對於半導體之敘述何者錯誤？(A)所謂N型半導體是在本質半導體中摻雜三價的元素 (B)N型半導體中的多數載子為電子 (C)當加以順向偏壓於PN接面

32、時，空乏區會變窄 (D)當PN接面加以逆向偏壓時，仍有少數載子的流動，稱之為逆向飽和電流( )127.下列有關實際二極體的敘述何者錯誤？(A)順向偏壓時，有切入電壓存在 (B)逆向偏壓不大時，會有小量的逆向飽和電流 (C)無論逆向偏壓多大，二極體仍然不能導通 (D)矽二極體的工作溫上限約為150至200( )128.一3V稽納二極體，試問下列何者可能為其崩潰電壓的溫度係數？(A) (B) (C) (D)( )129.電子的移動速度比電洞(A)慢 (B)快 (C)相同 (D)不一定( )130.下列有關理想二極體之敘述，何者正確？(A)順向偏壓時，其順向電阻為零 (B)順向偏壓時，其切入電壓為無

33、窮大 (C)逆向偏壓時，其逆向電阻為零 (D)逆向偏壓時，其逆向電流為無窮大( )131.矽製二極體可做下列何者工作？(A)放大 (B)截波 (C)發光 (D)以上皆是( )132.如下圖所示電路，若D1D3二極體皆在順向壓降0.7V時導通，則其為何？(A)0mA (B)1.25mA (C)2.1mA (D)2.5mA( )133.如下圖所示電路，若，則為(A)0.2V (B)5V (C)6.8V (D)10V( )134.如右圖所示為何種元件？(A)隧道二極體 (B)稽納二極體 (C)變容二極體 (D)PN二極體( )135.下列有關外質半導體之敘述，何者錯誤？(A)將三價雜質元素摻入純半導

34、體中，以形成P型半導體 (B)外質半導體本身之電性仍屬電中性 (C)N型半導體之多數載子為自由電子 (D)P型半導體之少數載子為電洞( )136.在矽晶體中，欲使電子在室溫下由共價鍵中釋放出來而成自由電子，至少需要多少能量？(A)0.45eV (B)0.72eV (C)1.1eV (D)1.6eV( )137.LED發光的顏色與下列何者有關？(A)工作電壓 (B)順向電流 (C)製造材料 (D)外加電壓( )138.當P型及N型半導體接觸時，即會產生一空乏層（depletion layer），而P型半導體之空乏層內應有(A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子( )139.如下圖中，若

35、LED電壓為2V，內阻為300，則流過LED的電流為(A)5.2mA (B)6.2mA (C)7.2mA (D)9.2mA( )140.如下圖所示，若二極體切入電壓，則為多少？(A)0V (B)3.1V (C)4.65V (D)9.3V( )141.如下圖之二極體在流通1mA電流時，兩端的電壓差為0.7V，若=1且，則為(計算時可參考底下的自然對數表)：(A)0.7V (B)0.73V (C)0.76V (D)0.79V( )142.當P型和N型半導體接觸時，即會產生一空乏層，而P型半導體之空乏層內應有(A)電洞 (B)電子 (C)正離子 (D)負離子( )143.理想二極體接上逆向偏壓後，其

36、性質如同(A)超導體 (B)良導體 (C)半導體 (D)絕緣體( )144.下列敘述何者不正確？(A)Si及Ge的原子序皆為14 (B)Si的障壁電壓約為0.7 V (C)Ge的障壁電壓約為0.3V (D)Si及Ge皆是4價元素( )145.如下圖所示電路中，流過二極體的電流為21.5mA，則電路中的電阻值R為(A)200 (B)265 (C)2k (D)2.65k( )146.N型矽材料中，有較多的自由電子，因此其所帶電性為(A)帶有正電 (B)帶有負電 (C)偶有帶電 (D)不帶電( )147.如下圖所示電路中，若二極體切入電壓為0.7V，則的電壓為(A)6.14V (B)7.5V (C)

37、3.07V (D)12.5V( )148.下列有關半導體之敘述，何者錯誤？(A)外質半導體的導電性較本質半導體好 (B)N型半導體的多數載子為電洞 (C)P型半導體加入的雜質為受體 (D)N型半導體加入的雜質為五價元素( )149.在P型半導體中有較多的電洞，其帶(A)正電 (B)負電 (C)電中性 (D)正負電( )150.半導體PN接合面出現空乏區（depletion region）在何種情況下更明顯？(A)斷路時 (B)短路時 (C)順向偏壓時 (D)逆向偏壓時( )151.荷電載子在半導體內的漂移（drift）運動，是源自於下列何者？(A)熱效應 (B)外加電壓 (C)載子濃度不均勻

38、(D)光線照射( )152.二極體無法做到下列哪一項工作？(A)整流 (B)開關 (C)放大 (D)截波( )153.如下圖所示，稽納電壓為7.5V，逆向膝點電流為2mA，逆向最大電流為30mA，稽納電阻為10，當由20V變至60V時，變動最接近下列何者？(A)0V (B)0.2V (C)0.4V (D)0.6V( )154.對於透納（tunnel）二極體的敘述，下列何者錯誤？(A)高摻入雜質二極體 (B)具有負電阻特性 (C)可使用於微波電路 (D)可應用於音頻放大電路( )155.電洞即為(A)帶負電荷的粒子 (B)帶有靜電的山洞 (C)質子脫離原子軌導後所留下的空位 (D)價電子脫離原子

39、軌導所留下的空位( )156.二極體在順向偏壓時，下列敘述何者正確？(A)有大電阻 (B)有大電壓降 (C)截止電流 (D)導通電流( )157.N型半導體於鍺或矽中加入之雜質為(A)三價 (B)四價 (C)五價 (D)以上均有可能( )158.使用三用電表之電阻檔來測量二極體，假設二極體的順向電阻為R1、逆向電阻為R2，若二極體為良好，則下列敘述何者正確？(A)R1的值非常小，R2的值非常大 (B)R1及R2的值都非常小 (C)R1的值非常大，R2的值非常小 (D)R1及R2的值都非常大( )159.有關半導體的特性敘述，下列何者錯誤？(A)半導體的導電性介於導體與絕緣體之間 (B)在半導體

40、原子間的價電子，彼此之間結合成共價鍵 (C)在原子最內層軌道上的電子，稱為價電子 (D)價電子脫離共價鍵所留下的空缺，稱為電洞( )160.下列敘述何者正確？(A)矽（Si）在絕對零度（0K）下，破壞共價鍵所須能量為1.1eV (B)在室溫下，破壞共價鍵所須能量為0.72eV (C)鍺（Ge）在絕對零度（0K）下，破壞共價鍵所須能量為0.785eV (D)鍺（Ge）在室溫下，破壞共價鍵所須能量為0.2eV( )161.變容二極體，是利用下列何者來調變其電容量？(A)電壓 (B)電流 (C)負電阻 (D)頻率( )162.如下圖所示，當開關接通，則(A)LED永遠不亮 (B)LED亮度漸增 (C

41、)LED立即亮且保持不變 (D)LED立即亮，然後亮度漸弱至熄滅( )163.如下圖中，使稽納產生最大功率的值為(A)500 (B)750 (C)1000 (D)1250( )164.已知在溫度25°C時，某一個二極體的逆向飽和電流為20nA，求該二極體在55°C時之逆向飽和電流為多少？(A)0.16A (B)0.32A (C)0.64A (D)1.28A( )165.Zener二極體之特性是(A)穩壓 (B)發光 (C)光感測 (D)相位控制( )166.矽二極體電路，若二極體之順向偏壓小於0.5V時，則二極體工作於(A)飽和區 (B)工作區 (C)截止區 (D)飽和區與

42、工作區之間( )167.如下圖所示電路，二極體切入電壓為0.7V，求電流I約為多少？(A)0 (B)1mA (C)1.11mA (D)10mA( )168.如下圖所示電路，若，則使稽納二極體正常工作之最大值為多少？(A)0.5k (B)2k (C)3k (D)4k( )169.對PN接面二極體而言，在接面附近靠P型側只有(A)自由電子 (B)電洞 (C)正離子 (D)負離子( )170.有一矽二極體，在25°C時的逆向飽和電流為2nA，當溫度升高至65°C時，逆向飽和電流為(A)8nA (B)16nA (C)32nA (D)64nA( )171.在矽半導體材料中，摻入三價的

43、雜質，請問此半導體形成何種型式？半導體內部的多數載子為何？此塊半導體之電性為何？(A)N型半導體；電子；電中性 (B)N型半導體；電子；負電 (C)P型半導體；電洞；電中性 (D)P型半導體；電洞；正電( )172.定電壓模型之二極體，其I-V特性曲線為：(A) (B) (C) (D)( )173.發光二極體（LED）所發出光的顏色與下列何者有關？(A)外加電壓之頻率有關 (B)外加電流有關 (C)二極體之材料有關 (D)外加電壓有關( )174.如下圖所示之電路，稽納（Zener）二極體之，最大額定功率為400mW。若負載電阻兩端電壓要維持在10V，則之範圍為何？(A)125250 (B)2

44、00450 (C)350450 (D)4501200( )175.如下圖所示的符號為何種元件？(A)隧道二極體 (B)稽納二極體 (C)變容二極體 (D)PN二極體( )176.純矽半導體本質濃度ni=1.5×1010原子/cm3，其密度為5×1022原子/cm3，若108個矽原子加入一個硼原子，則將成為何種類型半導體，又電子濃度為多少？(A)N型，4.5×105原子/cm3 (B)N型，5×1014原子/cm3 (C)P型，4.5×105原子/cm3 (D)P型，5×1014原子/cm3( )177.稽納二極體之逆向崩潰電壓較一般二

45、極體之逆向崩潰電壓小的主要原因為何？(A)製造材料不同 (B)摻雜濃度不同 (C)編號不同 (D)體積不同( )178.有關於矽與鍺二極體（diode）的敘述，下列何者錯誤？(A)兩者皆具有雙向導通的特性 (B)編號1N4001為矽二極體，主要用於整流 (C)編號1N60為鍺二極體，主要用於檢波 (D)矽二極體的導通電壓為0.6V，鍺二極體的導通電壓為0.2V( )179.下列何者為蕭特基（Schottky）二極體的典型順向電壓降？(A)0.2V0.5V (B)0.5V2V (C)2V2.4V (D)2.5V3V( )180.一稽納二極體在25°C時的崩潰電壓為10V，其溫度係數為，

46、試求55°C時的稽納電壓為多少？(A)8.5V (B)9.85V (C)10.15V (D)11.5V( )181.已知在溫度25°C時，某一個二極體的逆向飽和電流為10nA，請問該二極體在75°C時，逆向飽和電流為(A)0.16A (B)0.32A (C)0.64A (D)1.28A( )182.溫度每升高1°C時二極體的順向電壓約降低(A)1.5mV (B)1.7mV (C)2.0mV (D)2.5mV( )183.發光二極體（LED）經常必須串接電阻R，下列敘述何者不正確？(A)R太小則LED容易燒壞 (B)流經LED的電流較大時，LED較亮 (C

47、)流經LED的電流越小，則LED越不容易燒壞 (D)R越大LED越亮。( )184.一般二極體可應用在下列何種功能？(A)整流 (B)截波 (C)箝位 (D)以上皆是( )185.下列有關二極體特性的敘述，何者錯誤？(A)溫度上升時，切入電壓隨之降低 (B)逆向飽和電流隨溫度上升而增加 (C)擴散電容效應主要發生在逆向偏壓時 (D)逆向偏壓越大時，則空乏區電容越小( )186.下列何種二極體較適合高頻作用(A)稽納二極體 (B)蕭特基二極體 (C)變容二極體 (D)發光二極體( )187.如下圖所示，若稽納（Zener）二極體崩潰電壓為10V，且，則稽納二極體消耗的最大功率為(A)0.5W (

48、B)0.4W (C)20.3W (D)0.2W( )188.如下圖所示電路，D1、D2為矽二極體，則I2約為何值？(A)2.7mA (B)3.1mA (C)3mA (D)3.9mA( )189.下列有關稽納二極體的敘述，何者錯誤？(A)可作為限壓裝置 (B)崩潰電壓與摻雜濃度無關 (C)一般二極體之崩潰可分成累增崩潰、稽納崩潰 (D)又稱為崩潰二極體( )190.下列何種二極體通常工作於逆向偏壓？(A)變容二極體 (B)透納二極體 (C)發光二極體 (D)蕭特基二極體( )191.下列敘述何者不正確？(A)Si及Ge皆為本質半導體（intrinsic semiconductor） (B)將磷（

49、P）或砷（As）加入一本質半導體可以將此半導體變為P型外質半導體（extrinsic semiconductor） (C)在P型半導體中之多數載子（majority carrier）為電洞 (D)在摻有銻（Sb）的半導體中，Sb扮演的角色是施體（donor）( )192.如下圖所示，若，求通過稽納二極體之電流為多少？(A)3mA (B)5mA (C)7mA (D)10mA( )193.如下圖所示電路，二極體為理想的，求電流I及分別為多少？(A)I=0.5mA， (B)I=0.5mA， (C)I=1mA， (D)I=1mA，( )194.如下圖所示電路，若，稽納電壓，則流過稽納二極體的電流為(A)0mA (B)1.5mA (C)2mA (D)3mA( )195.在下列何種情況時，PN接面出現的空乏區會更顯著？(A)短路時 (B)斷路時 (C)外加順向偏壓時 (D)外加逆向偏壓時( )196.本質半導體在絕對零