二极管三极管资料讲诉

1、二极管 二极管是由一个单向导电的PN结成。实物如图第1页/共57页 PN PN结及其单向导电性结及其单向导电性第2页/共57页共价健 Si Si Si Si价电子第3页/共57页 Si Si Si Si价电子这一现象称为本征激发。空穴自由电子第4页/共57页第5页/共57页 Si Si Si Sip+多多余余电电子子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子动画第6页/共57页 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴动画第7页/共57页第8页/共57页载流子的两种运动载流子的两种运动扩散运动和漂移运动扩散运动和漂移运动扩散运动

2、：电中性的半导体中，载流子从浓扩散运动：电中性的半导体中，载流子从浓 度高的区域向浓度较低区域的运动。度高的区域向浓度较低区域的运动。漂移运动：在电场作用下，载流子有规则的漂移运动：在电场作用下，载流子有规则的 定向运动。定向运动。第9页/共57页多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差 扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称 PN 结 +动画形成空间电荷区第10页/共57页PN 结变窄 P接正、N接负 外电场外电场IF内电场内电场PN+动画+第11页/共57页动画+第12页/共57页 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电

3、流。IR动画+第13页/共57页第14页/共57页第15页/共57页阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅( c ) 平面型金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳( a ) 点接触型铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线( b ) 面接触型图图 1 12 半导体二极管的结构和符号半导体二极管的结构和符号 阴极阳极( d ) 符号D第16页/共57页反向击穿电压U(BR)反向特性UIPN+PN+第17页/共57页第18页/共57页定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止 若二极管是理想的，第19页/共57页UZIZIZM UZ IZ _+UIO第

4、20页/共57页二极管的符号二极管的主要参数二 极 管二极管的特性二极管的检测半导体器件的命名方式第21页/共57页半导体器件的命名方式半导体器件的命名方式第一部分第一部分数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号2 二极管3 三极管第二部分第二部分第三部分第三部分A 锗材料 N 型B 锗材料 P 型C 硅材料 N 型D 硅材料 P 型A 锗材料 PNPB 锗材料 NPNC 硅材料 PNPD 硅材料 NPNP 普通管普通管W 稳压管Z 整流管K 开关管U 光电管X 低频小功率管G 高频小功率管D 低频大功率管A 高频大功率管第四部分第四部分第五部分

5、第五部分例：例： 2CP 2AP 2CZ 2CW 普通硅二极管 普通锗二极管 硅整流二极管 硅稳压二极管 第22页/共57页二极管的一般符号 二极管的符号二极管的符号发光二极管 稳压二极管 光电二极管 变容二极管 隧道二极管 温度效应二极管 t 双向击穿二极管 磁敏二极管 体效应二极管 双向二极管 交流开关二极管第23页/共57页二极管的识别和检测二极管的识别和检测1. 目测判别极性目测判别极性2. 用万用表检测二极管( (1) )用指针式万用表检测。( (2) ) 用数字式万用表检测。3. 用万用表检测稳压二极管第24页/共57页1. 目测判别极性目测判别极性触丝触丝半导体片第25页/共57

6、页2. 用万用表检测二极管在 R 100或 R 1 k 挡测量红表笔是( (表内电源) )负极，黑表笔是( (表内电源) )正极。 正反向电阻各测量一次， 测量时手不要接触引脚。( (1) ) 用指针式万用表检测一般硅管正向电阻为几千欧，锗一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧；反向电阻为管正向电阻为几百欧；反向电阻为几百千欧。几百千欧。 正反向电阻相差不大为劣质管。正反向电阻相差不大为劣质管。正反向电阻都是无穷大或零则正反向电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路。二极管内部断路或短路。 1k 0 0 0第26页/共57页( (2) ) 用数字式万用表检测红表笔是( (表内电源) )

7、正极，黑表笔是( (表内电源) )负极。2k20k200k2M20M200 在 挡进行测量，当 PN 结完好且正偏时，显示值为PN 结两端的正向压降 ( (V) )。反偏时，显示 。第27页/共57页3. 用万用表检测稳压二极管 稳压二极管的外型与普通二极管相似，极性判断方法与普通二极管相同。稳压值的判断：030V连续可调直流稳压电源 v1.5 k 被测管被测管+-+-第28页/共57页二极管的特性二极管的特性1. 普通二极管的特性普通二极管的特性2. 稳压二极管的特性3. 发光二极管的特性4. 光电二极管的特性5. 变容二极管的特性第29页/共57页604020 0.02 0.0400.40

8、.82550iD / mAuD / ViD / mAuD / V0.2 0.4 25 50510150.010.020硅二极管的特性 锗二极管的特性 604020 0.0200.42550iD / mAuD / V20 C90 C温度对二极管特性的影响 第30页/共57页iZ /mAuZ/VO UZ IZmin IZmax UZ IZ IZ稳压二极管的特性稳压二极管的特性 工作条件：反向击穿第31页/共57页发光二极管的特性发光二极管的特性 u /Vi /mAO2工作条件：正向偏置工作电流 : 几毫安 几十 毫安导通电压 : ( 1 2) V第32页/共57页uiO暗电流暗电流E = 200

9、lxE = 400 lx工作条件： 反向偏置光敏二极管的特性光敏二极管的特性 第33页/共57页uC j O )1(Bj0jUuCC PN 结势垒电位差变容指数突变结 1/2缓变结 1/3超突变结 1/2 6工作条件： 反向偏置变容二极管的特性变容二极管的特性 第34页/共57页常用二极管的主要参数常用二极管的主要参数1. 常用国产常用国产2AP系列检波系列检波二极管的主要参数二极管的主要参数 部分进口检波二极管的主要参数2. 部分常用整流二极管的主要参数3. 部分常用1N系列二极管的主要参数4. 部分常用稳压二极管的主要参数5. 部分常用开关二极管的主要参数第35页/共57页第36页/共57

10、页型号型号反向电压反向电压最小正向电最小正向电流流/mA最小反向最小反向电流电流/ A平均整流平均整流电流电流/ mA浪涌电流浪涌电流 /A最小正向最小正向电压电压/V1N346050.5500.511N34A6050.5500.511N6400.40.5500.30.51S347540.5300.311S34A7550.5300.31部分进口检波二极管主要参数第37页/共57页第38页/共57页第39页/共57页第40页/共57页半导体三极管图片半导体三极管图片第41页/共57页第42页/共57页 半导体三极管使用基本知识一、外型及引脚排列EBCEB CEBCBEC第2章 第43页/共57页

11、二、万用表检测晶体三极管的方法1. 根据外观判断极性3. 用万用表电阻挡测量三极管的好坏PN结正偏时电阻值较小(几千欧以下)反偏时电阻值较大(几百千欧以上) 指针式万用表指针式万用表在 R 1k 挡进行测量红表笔是(表内)负极 , 黑表笔是(表内)正极注意事项:测量时手不要接触引脚 1kBEC 1kBEC2. 插入三极管挡(hFE)，测量 值或判断管型及管脚第二章第二章 半导体三极管半导体三极管第44页/共57页三、晶体三极管的选用1. 根据电路工作要求选择高、低频管2. 根据电路工作要求选择PCM、 ICM 、 U(BR)CEO 应保证：3. 一般三极管的 值在40100之间为好, 9013

12、、9014等低噪声、高 的管子不受此限制.4. 穿透电流 ICEO越小越好，硅管比锗管的小数字万用表数字万用表1. 可直接用电阻挡的PN结挡分别测量判断两个结 的好坏注意事项:红表笔是(表内)正极 , 黑表笔是(表内)负极NPN和PNP管分别按EBC排列插入不同的孔需要准确测量 值时，应先进行校正2. 插入三极管挡(hFE)，测量 值或判断管型及管脚PC PC ICM C U（BR）CEO C第二章第二章 半导体三极管半导体三极管第45页/共57页三极管的电流分配关系动画演示三极管的电流分配关系动画演示第46页/共57页人有了知识，就会具备各种分析能力，明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书，广泛

13、阅读，古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，培养逻辑思维能力；通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，培养文学情趣；通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。有许多书籍还能培养我们的道德情操，给我们巨大的精神力量，鼓舞我们前进。第47页/共57页第48页/共57页第49页/共57页多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差 扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称 PN 结 +动画形成空间电荷区第50页/共57页PN 结变窄 P接正、N接负 外电场外电场IF内电场内电场PN+动画+第51页/共57页二极管的特性二极管的特性1. 普通二极管的特性普通二极管的特性2. 稳压二极管的特性3. 发光二极管的特性4. 光电二极管的特性5. 变容二极管的特性第52页/共57页发光二极管的特性发光二极管的特性 u /Vi /mAO2工作条件：正向偏置工作电流 : 几毫安 几十 毫安导通电压 : ( 1 2) V第53页/共57页第54页/共57页三、晶体三极管的选用1. 根据电路工作要求选择高、低频管2. 根据电路工作要求选择PCM、 ICM 、 U(BR)CEO 应保证：3. 一般三极管的 值在40100之间为好, 9013、9014等低噪声、高 的管子不受此限制.4. 穿透电流 IC