模拟集成电路中的直流偏置技术

1、6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术模拟集成电路中的直流偏置技术6.3 差分式放大电路的传输特性差分式放大电路的传输特性6.4 集成电路运算放大器集成电路运算放大器6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路 的影响的影响6.2 差分式放大电路差分式放大电路6.6 变跨导式模拟乘法器变跨导式模拟乘法器6.7 放大器中的噪声和干扰放大器中的噪声和干扰6.1 模拟集成电路中的模拟集成电路中的直流偏置技术直流偏置技术6.1.1 BJT电流源电路电流源电路6.1.2 FET电流源电流源1. 基本（比例）电流源基本（比例）电流源3. 微电流源微电流源4. 组合

2、电流源组合电流源1. MOSFET镜像电流源镜像电流源2. MOSFET多路电流源多路电流源3. JFET电流源电流源2. 镜像电流源镜像电流源电流源在静态时电流源在静态时为电路提供偏置为电路提供偏置电流，动态时作为电流，动态时作为电路的有源负载。电路的有源负载。 Rb1Rb2ICReroVCCRL1 1、比例电流源（基本电流源、比例电流源（基本电流源）当当VCC、Rb1、Rb2、Re确定后，确定后，RL在在一定范围内变化，一定范围内变化，IC基本不变基本不变恒流。恒流。6.1.1 BJT电流源电路电流源电路ro12(1)(1) : /eOcebebecebbbRRrrRRrRRR其中ro动态

3、（交流）电阻很大，直流电阻很小。动态（交流）电阻很大，直流电阻很小。利用二极管补偿利用二极管补偿BJT发射结电压发射结电压的温度误差的温度误差集成电路的二极管集成电路的二极管通常用三极管构成通常用三极管构成RRVVVRRIRRIIRIRREFOREFO1212112)(EEBECC6.1.1 BJT电流源电路电流源电路2、 镜像电流源镜像电流源BE1BE2=VVE1E2= IIC1C2= II T T1 1、T T2 2两管特性相同，基两管特性相同，基极电位也相同极电位也相同 当当BJT的的较大时，基极电流较大时，基极电流IB可以忽略可以忽略 IoIC2IREF RVVRVVVEECCEEBE

4、CC)( 代表符号代表符号IO可与可与IREF成镜像关系。成镜像关系。 由于有由于有T3存在，存在，IB3比镜象电流比镜象电流源的源的2IB小小3倍。因此倍。因此IC2和和IR更加接近。更加接近。精密镜象电流源和精密镜象电流源和普通镜象电流源相比，其精度提高了普通镜象电流源相比，其精度提高了 3 3倍。倍。精密镜象电流源精密镜象电流源3112331-12-CRBRBRCIIIIIIIRCCIII2313112RL6.1.1 BJT电流源电路电流源电路3、 微电流源微电流源e2BE2BE1RVV E2C2OIII e2BERV 由于由于很小，很小，BEV rorce2（1 ） 非常大。非常大。e

5、2be2e2RrR 所以所以IC2也很小。也很小。6.1.1 BJT电流源电路电流源电路4. 组合电流源组合电流源T1、R1 和和T4支路产生基准电流支路产生基准电流IREF1EB4BE1EECCREFRVVVVI T1和和T2、T4和和T5构成镜像电流源构成镜像电流源T1和和T3，T4和和T6构成了微电流源构成了微电流源6.1.2 FET电流源电流源1. MOSFET镜像电流源镜像电流源RVVVIIIGSSSDDREFD2O ro= rds2 MOSFET基本镜像电路流基本镜像电路流 T1、T2为为NMOS增强型对管，增强型对管，电路结构与电路结构与BJT镜像电流源类似。镜像电流源类似。 由

6、于由于T1的漏、栅极短接，只要的漏、栅极短接，只要VDDVT，沟道开启，管子就处于，沟道开启，管子就处于饱和区（夹断存在）。饱和区（夹断存在）。6.1.2 FET电流源电流源1. MOSFET镜像电流源镜像电流源2T2GS22n2T2GS22n2D2)( )()/(VVKVVKLWI 用用T3代替代替R，T1T3特性相同，特性相同，且工作在放大区（即饱和区、恒流且工作在放大区（即饱和区、恒流区），当区），当 =0时时，输出电流为，输出电流为 常用的镜像电流源常用的镜像电流源 6.1.2 FET电流源电流源2. MOSFET多路电流源多路电流源（略）（略）REF1122D2/ILWLWI REF1133D3/ILWLWI REF1144D4/ILWLWI 2T0GS0n0D0RE