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文档简介

1、1. 以N型MOSFET为例，画出相应的I-V特性曲线，即IDS与 VDS,VGS的关系，并标出MOSFET的线性区和饱和区范围，给出各区域成立的条件 第一页，编辑于星期五：十四点 三十五分。2. 画出一个典型P阱CMOS工艺反向器的垂直剖面示意图，要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地电位第二页，编辑于星期五：十四点 三十五分。3. 什么是MOSFET小信号跨导，给出饱和区MOSFET小信号跨导的三种表达形式 第三页，编辑于星期五：十四点 三十五分。4. 什么是 MOSFET的亚阈区，指出亚阈区的电流与栅源电压的关系第四页，编辑于星期五：十四点 三十五分。1.解释什么是体效应？在

2、初步分析MOSFET的时候我们假设衬底和源级是接到地的。而实际上当VBVS时，器件仍能正常工作，但是随着VSB的增加，阈值电压VTH会随之增加，这种体电位（相对于源）的变化影响阈值电压的效应称为体效应，也称为“背栅效应”2.解释什么是沟道长度调制效应？当沟道发生夹断后，如果VDS继续增大，有效沟道长度L会随之减小，导致漏源电流 Id的大小略有上升。这一效应成为“沟道”第五页，编辑于星期五：十四点 三十五分。4. 图(a)是什么结构？图(b)忽略了沟道调制效应和体效应。如果体效应不能忽略，请画出Vin和Vout的关系曲线，并作出解释。第六页，编辑于星期五：十四点 三十五分。第七页，编辑于星期五：十四点 三十五分。5. 图中MOS管的作用是什么？应该工作在什么工作区？第八页，编辑于星期五：十四点 三十五分。即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关相对的，PMOS开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关第九页，编辑于星期五：十四点 三十五分。第十页，编辑于星期五：十四点 三十五分。6. 计算电路的小信号增益第十一页，编辑于星期五：十四点 三十五分。7. 画出下图的小信号等效电路，推导Rin的表达式 第十二页，编辑于星期五：十四点 三十五分。8.第十三页，编辑于星期五：十四点 三十五分。第十四页

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