![第二章集成电路中的元器件及其寄生效应..ppt_第1页](http://file1.renrendoc.com/fileroot_temp2/2020-3/31/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b11/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b111.gif)
![第二章集成电路中的元器件及其寄生效应..ppt_第2页](http://file1.renrendoc.com/fileroot_temp2/2020-3/31/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b11/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b112.gif)
![第二章集成电路中的元器件及其寄生效应..ppt_第3页](http://file1.renrendoc.com/fileroot_temp2/2020-3/31/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b11/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b113.gif)
![第二章集成电路中的元器件及其寄生效应..ppt_第4页](http://file1.renrendoc.com/fileroot_temp2/2020-3/31/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b11/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b114.gif)
![第二章集成电路中的元器件及其寄生效应..ppt_第5页](http://file1.renrendoc.com/fileroot_temp2/2020-3/31/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b11/c63536a1-28f3-47b3-9937-ecfab3d84b115.gif)
已阅读5页,还剩79页未读, 继续免费阅读
版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领
文档简介
2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,1,第二章集成电路中的元器件及其寄生效应,元器件是组成集成电路的基本元素。元器件集成在一起后,其结构和性能发生了变化,直接影响着集成电路的性能。,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,2,2-1集成电路中的NPN晶体管(P1627),2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,3,思考题,1.集成NPN管与分立NPN管有什么不同?2.有源寄生效应有何影响?如何减小或消除?3.无源寄生有何影响?4.NPN管常用图形各自的特点是什么?,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,4,2.1.1集成NPN晶体管的结构,平面图,等效电路图,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,5,2.1.2集成NPN晶体管与分立NPN晶体管的差别,(1)四层三结结构,构成了一个寄生的PNP晶体管(有源寄生)(2)电极都从上表面引出,造成电极的串联电阻和电容增大(无源寄生),2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,6,2.1.3集成NPN晶体管的有源寄生效应(1)NPN晶体管正向有源时,VBCIH,寄生可控硅一旦被触发,电流巨增,将烧毁芯片。,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,68,2.7.4寄生可控硅闩锁效应2.消除闩锁效应措施版图设计,(1)减小RS和RW:均匀且充分设计阱和衬底的电源和地的欧姆接触,并用金属线连接,必要时采用环结构。,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,69,2.7.4寄生可控硅闩锁效应2.消除闩锁效应措施版图设计,(2)减小npn和pnp:加大MOS管源漏区距阱边界的距离,必要时采用伪收集极结构。,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,70,2.7.4寄生可控硅闩锁效应2.消除闩锁效应措施工艺、测试、应用,(1)增加阱的结深(2)采用外延衬底(3)采用外延衬底时,同时可采用埋层方法,增加阱的结深,型层减速场。,(4)电源退耦,稳定电源(5)输入信号不能过高(6)负载电容不易过大(7)电源限流,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,71,2.7.5习题,1.说明CMOS集成电路中的闩锁效应和抗闩锁措施。2.说明消除寄生MOS管影响的措施。,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,72,2-8电容器(P6062),2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,73,思考题,1.形成电容的方式有哪些?各自的特点是什么?2.各种结构电容的电容值如何计算?3.设计电容时应该考虑哪些因素?,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,74,2.8.1PN结电容,应考虑:1.单位面积电容容量2.电极的串联电阻3.工作电压及电压极性,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,75,2.8.2MOS电容,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,76,2-9电阻器(P5060),2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,77,思考题,1.形成电阻的方式有哪些?各自的特点是什么?2.各种结构电阻的电阻值如何计算?3.设计电阻时应该考虑哪些因素?,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,78,2.9.1基区硼扩散电阻,Weff=W+2mXj,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,79,2.9.2基区沟道电阻,阻值大,面积小,精度低。适合小电流、小电压情况。,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,80,2.9.3发射区磷扩散电阻,一般用来制作磷桥或小电阻,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,81,2.9.4外延层电阻和外延层沟道电阻,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,82,2.9.5离子注入电阻,一般用来制作精度高的大阻值电阻,2007年2月来逢昌,HITMicro-ElectronicsCenter,83,2.9.6薄膜电阻,一般用来制作精确电阻(激光调阻),2007年2月来逢昌,HITMicro-
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- 2024-2030年中国百叶窗和灯罩行业市场发展趋势与前景展望战略分析报告
- 2024-2030年中国癸二酸行业需求动态与投资前景预测研究报告
- 2024-2030年中国男性洗面奶行业市场运行分析及发展前景与投资风险研究报告
- 2024-2030年中国电解高纯铝行业发展战略及前景规划分析研究报告
- 2024-2030年中国电缆接头套件行业市场发展趋势与前景展望战略分析报告
- 2024-2030年中国电感耦合等离子体发射光谱法行业市场发展趋势与前景展望战略分析报告
- 北京市密云县市级名校2021-2022学年中考化学四模试卷含解析
- 2024年海南客运从业资格证考试题答案解析
- 2021-2022学年黄南市重点中学中考适应性考试化学试题含解析
- 2021-2022学年黑龙江省哈尔滨光华中学中考化学押题试卷含解析
- GB/T 27588-2011露酒
- 《人工智能技术在人力资源管理中的应用研究文献综述【3800字】》
- 新汉语水平考试HSK三级真题(附答案)
- 材料力学-材力实验
- 2022年上海杨浦城市建设投资(集团)有限公司招聘笔试试题及答案解析
- 《劳动合同法讲解》课件
- DB14-T 2511-2022研学旅行基地服务规范
- 期货与期权投资实务课件
- 临床路径与单病种质控评估细则-子宫平滑肌瘤
- 受伤一次性赔偿协议书
- 中医病因病机共78张课件
评论
0/150
提交评论