电子电路场效应管概要.ppt

1、21:41:49，1，电路和模拟电子技术原理，第六章半导体元件，21:41336049，2，第六章半导体元件，6.1从电子管到晶体管6.2半导体6.3半导体二极管6.4晶体管6.5场效应晶体管，3，6.5场效应晶体管，1:49控制电极称为栅极基极。漏极集电极源极发射极。漏极和源极之间的电流可以通过改变施加到场效应晶体管栅极的电压来控制，所以场效应晶体管是一种电压控制器件。相比之下，晶体管通常被认为是电流控制器件，它使用基极电流来控制集电极电流。21:41336049、4、6.5场效应晶体管，它们比晶体管具有更低的噪声、更好的热稳定性、更强的抗辐射能力和更高的输入阻抗。6.5.1结型场效应晶体管

2、6.5.2绝缘栅场效应晶体管6.5.3场效应晶体管6.5.4的特性场效应晶体管的应用，21:41336049，结型场效应晶体管的5.6.5.1基础，结型场效应晶体管和JFET 1结型场效应晶体管21336041336049，6，1结型场效应晶体管的基本结构，在场效应晶体管电路符号中的箭头方向与在晶体管电路符号中的方向相同，从P区指向N区，2133366的工作原理晶体管内部既有空穴又有电子，称为双极结型晶体管(BJT)，21:41:49，8，8，结型场效应晶体管的工作原理(续)，21336041336049，9，结型场效应晶体管的工作原理(续)。10，结型场效应晶体管的工作原理(续)，21:41

3、336049，11，3结型场效应晶体管的特性曲线，21:41336049，12，结型场效应晶体管的特性曲线(续)，可变电阻区、放大区或饱和区夹断区的恒流区特性，等等。6.5.1结型场效应晶体管6.5.2绝缘栅场效应晶体管6.5.3场效应晶体管的特性6.5.4场效应晶体管的应用，21:41336049，14，6.5.2绝缘栅场效应晶体管，其栅极是“绝缘的”，其栅极是“绝缘的”。由于功耗低，结构简单，在栅极(通常由金属铝制成)和半导体之间有一层薄的二氧化硅层，形成“金属氧化物半导体”结构，因此绝缘栅场效应晶体管通常称为金属氧化物半导体场效应晶体管。21:41336049，15，1。根据导电沟道的不

4、同特性，IGFET可分为N沟道P沟道增强型耗尽型和21:41336049、16绝缘栅场效应晶体管的基本结构(续)箭头总是从P区指向N区，所以箭头向内代表N沟道，箭头向外代表P沟道。绝缘栅场效应晶体管的工作原理和特性曲线是一个压控器件，栅极和源极之间的电压UGS是控制信号，漏极电流是控制信号。21:41:49，19，(1) N，(1)N沟道增强型IGFET，IGFET不能通过像JFET那样改变耗尽层的宽度来控制漏极和源极之间的沟道的导电性。21:41:49，20，UGS对身份证的控制，21:41336049，21，UGS对身份证的控制(续)，21:41336049，22，UDS对身份证的控制(续

5、)，213:49。n沟道增强型绝缘栅场效应晶体管在恒流区的传输特性，其中的导通状态称为导通状态漏极电流，它是第二个漏极电流的标识值。，21:41:49，24，N沟道增强型IGFET特性曲线(续)，21:41336049，25，(2) N沟道耗尽型IGFET，恒定电流区的传输特性，21:41:49，26，N沟道耗尽型IGFET特性曲线P沟道IGFET，增强型耗尽模式(分析省略)，21:4136049，221336049漏极输出特性曲线描述了场效应晶体管在不同UGS和偏微分方程作用下的本征值，而转移特性曲线特别描述了场效应晶体管工作在放大区UGS，21:41336049，31，场效应晶体管的特性曲

6、线(续)，改变UGS将改变导电沟道的宽度，从而改变漏极和源极之间的电导率。当UGS被改变以使沟道宽度为零时，场效应晶体管被关断。当沟道宽度不为零且偏微分方程很小时，其对沟道的影响可以忽略，场效应晶体管工作在可变电阻区(由UGS控制)。21:41336049，32，场效应晶体管的特性曲线(续)，当偏微分方程增加时，其对沟道的影响不能忽略。随着偏微分方程的增大，沟道将被预箝位，使场效应晶体管进入恒流区(放大区)；如果偏微分方程太大，场效应晶体管就会击穿。当场效应晶体管用作压控电流模式放大器时，UGS是输入(控制)信号，而内径是输出(控制)信号。21:41336049，33，2场效应晶体管的特性参数，导通电压UGS(th)(或UT)，夹断电压UGS(off)(或UP)，饱和漏极电流IDSS，输入电阻RGS，低频跨导(互导)gm，最大漏极功耗PDM，21:41:49，34，6.5.4