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第八章场效应管，场效应管类型阈值电压DC输出特性跨导击穿高频特性开关特性逆变器二次效应，场效应管结构示意图，左图为场效应管结构示意图。有两种类型的场效应晶体管，增强型和耗尽型，如左下图所示。金属氧化物半导体场效应晶体管类型和符号，金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压，其中，功函数差，N沟道金属氧化物半导体(NMOS)，p沟道金属氧化物半导体(PMOS)，表面固定电荷，忽略氧化物层中的电荷(X)，金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压控制，1。金属功函数Wm的影响，2。衬底杂质浓度NA、NA的影响增加一个数量级，VB增加60mV。

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