电子元器件有效贮存期、超期复验及装机前的筛选要求

11/11电子元器件有效贮存期、超期复验及装机前筛选要求范围本要求规定了XXX有限公司型号产品用电气、电子、机电元器件（以下简称元器件）在规定环境条件下的贮存期限（有效贮存期）及超过有效贮存期的复验方法和条件，并在装机前应通过筛选试验。本要求适用于XXX有限公司型号产品用元器件，对于未列入本要求的元器件可参照与该类元器件有相同或相似特征（如制造工艺、结构特点等）的列入要求准元器件执行。规范性引用文件下列文件中的条款通过本要求的引用而成为本要求的条款。凡是注明日期的的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本要求，然而，鼓励根据本要求达成协议的各方面研究是否可使用这些文件最新版本。凡是注明日期的引用文件，其最新版本适用于要求。GJB128A─1997半导体分立器件试验方法GJB360A─1996电子及电气元件试验方法GJB548A─1996微电子器件件试验方法和程序QJ1693─1989电子元器件防静电要求Q/N446─2008电子元器件有效贮存期和超期复验要求Q/N465元器件外观检验要求Q/N466型号产品电子元器件筛选通用规范术语和定义3．1贮存期元器件从生产完成并在生产厂检验合格后至装机前在一定的环境条件下存放的时间。贮存期的计算按4.2的规定。注：本要求中的贮存期，均以月计算。3．2有效贮存期一定质量等级的元器件在规定的贮存环境下存放，装机前其批质量能满足要求的期限。3．3基本有效贮存期未考虑元器件质量等级的有效贮存期。3．4贮存质量等级根据元器件在制造、检验过程中质量控制严格程度，对元器件贮存后性能的影响而确定的等级。在本要求中规定了四个贮存质量等级，分别以Q1、Q2、Q3、Q4表示。3．5贮存期调整系数根据元器件不同的质量等级和用途，对基本有效贮存期调整的系数。3．6超期复验超过有效贮存期的元器件，应进行的一系列检验。3．7继续有效期超期复验合格的元器件在规定的贮存环境条件下存放，其批质量能满足规定要求的期限。3．8筛选在有效贮存期及继续有效期的元器件，在装机前应进行的检验。一般要求4．1贮存环境条件4．1．1通用贮存环境条件元器件应贮存在清洁、通风、无腐蚀性气体并有温度和相对湿度控制的场所。通用贮存环境条件的分类见表1。表1通用贮存环境条件的分类分类代号温度（℃）相对湿度（%）Ⅰ10~2525~70Ⅱ-5~3020~75注：中心库须满足Ⅰ类存储环境条件，各使用单位库房须满足Ⅱ贮存环境条件。4．1．2特殊贮存环境条件某些元器件的存放应满足以下特殊要求：对静电放电敏感的元器件（如MOS器件、微波器件等），应按QJ1693的规定，采取静电放电防护措施；非密封片状元器件应存放在充有惰性气体的密封容器内，或存放在采取有效防氧化措施（如加稀释剂、防氧化剂等）的密封容器内；微电机等机电元器件的油封及单元包装应保持完整。4．2贮存期的计算从贮存起始日期至预定装机日期之间的时间为元器件的贮存期。贮存期的起始日期按下列优先顺序确定：按照元器件生产日期进行计算。若元器件的生产日期为日期或星期代码，则凡仅有年月无日期的均按该月15日计算；若元器件的生产日期为星期代号，则按该星期的星期四计算；按产品合格证上的检验日期计算；按包装容器上的包装日期提前一个月计算；按到货日期提前一个月计算。4．3超过有效贮存期元器件的复验4．3．1复验批凡在相同类别的贮存环境条件下存放的元器件，同生产厂家、同型号、同批次，且复验类别相同，构成同一复验批。除非另有说明，以下的批均为复验批。4．3．2复验元器件的失效分析在复验过程中发现致命缺陷（功能失效）或严重缺陷的元器件，应进行失效分析，如果分析结果表明失效或缺陷为批次性的，则该批的元器件不得用于型号产品试（正）样上；如果分析结果表明失效或缺陷为个别缺陷，复验合格率符合要求，则复验后合格产品允许使用于型号产品试（正）样上。4．3．3复验报告和复验合格的标志可委托复验，但应提供复验报告，对元器件复验的结果做出结论。对复验合格的元器件应开具合格证，作为允许装机的凭证。复验报告、合格证上应注明质量等级、复验类型、有效贮存期的起止时间、继续有效期。4．4第一次超期复验的分类贮存期超过有效期贮存期的元器件应按本要求的规定进行复验，复验通过的元器件，才能作为合格品用于型号产品试（正）样上。元器件的超期复验按超过有效贮存期时间的长短分为A1、B1、C1三类：贮存期已超过有效贮存期，但未超过1.3倍的为A1类；贮存期已超过有效贮存期1.3倍，但未超过1.7倍的为B1类；贮存期已超过有效贮存期1.7倍，但未超过2.0倍的为C1类。4．5第二次超期复验的分类通过第一次超期复验的合格元器件，如果其预定装机的时间将超过继续有效期，但不能超过继续有效期的2.0倍，允许进行第二次超期复验。元器件第二次超期复验按超过继续有效期时间的长短分为A2、B2、C2三类：贮存期已超过继续有效期，但未超过1.3倍的为A2类；贮存期已超过继续有效期1.3倍，但未超过1.7倍的为B2类；贮存期已超过继续有效期1.7倍，但未超过2.0倍的为C2类。第二次超期复验元器件贮存期的起始日期为通过第一次超期复验的日期（以月为日期计算单位）。第二次超期复验的分类与第一次超期复验的分类虽有差别，但规定的超期复验要求和继续有效期两者是一致的，所以统称为A、B、C类。除非另有规定，通过第二次超期复验合格的元器件应在规定的继续有效期内使用，贮存期超过继续有效期的元器件不允许在型号产品试（正）样上使用。详细要求5．1基本有效贮存期元器件的基本有效贮存期与元器件的品种、材料、结构和贮存的环境有关。根据表1对贮存条件的分类，分别规定不同种类元器件的基本有效贮存期，如表2规定。表2国产元器件基本有效贮存期单位：月元器件类别贮存环境类别说明ⅠⅡ塑料封装半导体分立器件1812可变电阻器（电位器）、电容器、电感器2420非固体电解质钽电容（银外壳）吕电解质电容器金属或陶瓷封装半导体分立器件3024金属或陶瓷封装半导体集成电路金属气密封装混合集成电路全密封固体电解质钽电容非固体电解质钽电容（钽外壳）密封石英振荡器开关固定电阻器、固定电感器3630电连接器5．2贮存期调整系数元器件的有效贮存期是在基本有效贮存期的基础上，根据元器件不同的质量等级，按照一定的调整系数计算得出。有效贮存期调整系数CSA如表3所示。表3有效贮存器调整系数贮存质量等级质量保证要求及补充说明CSAQ1已通过元器件产品国家军用标准质量认证，并列入合格产品目录（QPL）或合格制造厂目录（QML）的元器件；或已通过可靠性增长工程检定合格的元器件。1.50Q2按元器件产品国家军用标准进行质量控制，但未列入合格品目录（QPL）或合格制造厂目录（QML）的元器件；或已按“七专”技术条件及航天用户质量控制补充协议组织生产的元器件。1.25Q3按国家标准进行质量控制的元器件（或按照国军标制定并满足型号产品的企业军标，并以此标准检定、供货，经航天系统用户多年使用证明质量尚属可靠地产品），或按“七专”技术协议或技术条件组织生产的元器件。1.00Q4按其他标准进行质量控制或质量控制情况不明的器件0.75注：贮存期调整系数仅适用于有效贮存期的调整，对于继续有效期不再按调整系数调整（维持不变）。5．3有效贮存期的计算元器件的有效贮存期tVS按公式（1）计算：tVS=CSAxtbvs…………(1)试中：tVS──—元器件有效贮存期，单位为月；CSA──—元器件贮存期调整系数；tbvs──—元器件基本有效贮存期，单位为月。5．4元器件超期复验要求5．4．1A类超期复验要求5．4．1．1外观质量检查5．4．1．1．1抽样方案元器件应100%进行外观质量检查。5．4．1．1．2检查方法按Q/N465规定执行。5．4．1．2电特性测试5．4．1．2．1抽样方案元器件样本大小应不小于5个，有特殊要求时可100%进行电特性测试。5．4．1．2．2检查方法除非另有规定，元器件仅要求在室温下按Q/N466要求进行电特性测试。5．4．1．3高温电老化或高温负荷（适用于电容器）5．4．1．3．1抽样方案元器件样本大小应不小于5个，有特殊要求时可100%进行电特性测试。5．4．1．3．2检查方法a）非电解电容器按照Q/N466.5中规定的高温负荷应力条件做12h的高温负荷试验。b）电解质电容器按照Q/N466.4中规定的高温电老化应力条件做12h的电老化试验，无极性电容器试验6h后换向再做6h。试验结束放置2h后测试产品的常温电参数应满足产品规范要求。5．4．1．4密封性检查5．4．1．4．1抽样方案元器件样本大小应不小于5个，有特殊要求时可100%进行电特性测试。5．4．1．4．2检查方法按Q/N466中规定的密封性检查要求进行。5．4．1．5A类超期复验的结论通过5．4．1．1~5．4．1．4检验的元器件，批次复验淘汰率未超过拒收标准的，剔除不合格品后，合格品可用于型号产品试（正）样上。5．4．2B类超期复验要求5．4．2．1外观质量检查按5．4．1．1的要求进行外观质量检查。5．4．2．2电特性测试按5．4．1．2要求在室温下测试电特性。Q/N466中规定有高低温测试要求的，还应按产品规范要求在高、低温下测试元器件的电特性。5．4．2．3高温电老化或高温负荷（适用于电容器）按照5．4．1．3规定执行。5．4．2．4密封性检查按照5．4．1．4规定执行。5．4．2．5B类超期复验的结论通过5．4．2．1~5．4．2．4检验的元器件，批次复验淘汰率未超过拒收标准的，剔除不合格品后，合格品可用于型号产品试（正）样上。5．4．3C类超期复验要求5．4．3．1通则C类超期元器件除按5．4．2．1~5．4．2．4要求进行各项检验外，对部分元器件还应增加引出端可焊性试验、引出端强度试验、破坏性物理分析（DPA）检验项目。5．4．3．2引出端可焊性试验引出端可焊性试验的样品应从外观检查合格的元器件中抽取，若无其它规定允许抽取电参数不合格的元器件作为样品。引出端可焊性试验要求按表4的规定进行。表4引出端可焊性试验要求元器件类别试验方法试验条件样本大小b/（合格判定数）小功率分立器件aGJB128A-1997方法2026245±5℃或按详细规范规定15/（0）大功率分析器件a6/（0）集成电路GJB548-1996方法2003A245±5℃或按详细规范规定15/（0）电位器、电容器、电感器GJB360A-1996方法208235±5℃或按详细规范规定10/（0）石英谐振器、振荡器6/（0）电连接器、微动开关15/（0）注：引出端数量不大于14的集成电路样品至少为3个；引出端数量大于14但不大于48的集成电路样品至少为2个；引出端数量大于48的集成电路样品为1个。当复验批总数小于10时，可抽取1只样品。a额定耗散功率不小于1W的为大功率分立器件；小于1W的为小功率分立器件；b样本大小指引出端的数量。5．4．3．3引出端强度试验引出端强度试验的样品应从外观检查合格的元器件中抽取，若无其它规定允许抽取电参数不合格或已做过可焊性试验的元器件作为样品。引出端强度试验要求按表5的规定进行。表5引出端强度试验要求元器件类别试验方法试验条件样本大小b/（合格判定数）小功率分立器件aGJB128A-1997方法2036AE或按详细规范规定15/（0）大功率分析器件a6/（0）集成电路GJB548-1996方法2004AAB2或按详细规范规定15/（0）电位器、电容器、电感器GJB360A-1996方法211AC或按详细规范规定10/（0）石英谐振器、振荡器6/（0）电连接器、微动开关15/（0）注1：引出端强度试验仅适用于线状引出端，其它形状的引出端不要求。注2：引出端数量不大于14的集成电路样品至少为3个；引出端数量大于14但不大于48的集成电路样品至少为2个；引出端数量大于48的集成电路样品为1个。当复验批总数小于10时，可抽取1只样品。a额定耗散功率不小于1W的为大功率分立器件；小于1W的为小功率分立器件；b样本大小指引出端的数量。5．4．3．4．破坏性物理分析（DPA）5．4．3．4．1通则半导体器件进行C类复验时，应抽样做破坏性物理分析（DPA）。当规定时其他元器件也应做破坏性物理分析（DPA）。5．4．3．4．1样本大小及合格判定数除非另有规定，抽样做DPA试验的样本可从电特性不合格但未丧失功能的元器件中抽取。DPA的最小样本数及合格判定数见表6。表6破坏性物理分析最小样本数及合格判定数元器件类别最小样本数/（合格判定数）说明小功率分立器件2（0）复验批总数不超过10只时，抽样1只。大功率分析器件2（0）集成电路(引出端数不大于48)2（0）集成电路(引出端数大于48)1（0）微电路模块1（0）5．4．3．5C类超期复验结论通过5．4．2．1~5．4．2．4和5．4．3．2、5．4．3．3检验的元器件，剔除不合格品后，合格的可用于型号产品试（正）样上。5．5超期复验后的继续有效期通过一定有效贮存的元器件，经超期复验（包括第二次超期复验）合格后，在规定贮存环境条件下存放，元器件的继续有效期见表7。表7国产元器件的继续有效期单位：月元器件类别继续有效期ABCⅠⅡⅠⅡⅠⅡ塑料封装半导体分立器件24181812126可变电阻器（电位器）、电容器、电感器非固体电解质钽电容（银外壳）吕电解质电容器全密封固体电解质钽电容金属或陶瓷封装半导体分立器件302424181812金属或陶瓷封装半导体集成电路金属气密封装混合集成电路非固体电解质钽电容（钽外壳）密封石英振荡器开关固定电阻器、固定电感器363030242418电连接器人批不合格判据复验结果出现下列情况之一的，则整批元器件不得用于型号产品试（正）样上：批不合格元器件的比例>5%（或至少1个，取最大值），或功能失效元器件的比例超过3%（或至少1个，取最大值）；DPA试验结果不合格；可焊性试验结果不合格；引出端强度试验不合格；失效分析为批次性质量问题。进口元器件有效贮存期及超期复验要求7．1贮存环境条件下列进口元器件按表1的Ⅰ类环境条件贮存。7．2质量状况进口元器件应通过正常渠道采购，并经使用方验收合格。7．2有效贮存期及超期复验要求军级以下质量等级的进口元器件其有效贮存期及超期复验要求按表8规定。表8进口元器件（军级以下质量等级）有效贮存期、超期复验要求及继续有效期单位：月元器件类别有效贮存期超期复验项目继续有效期备注金属、陶瓷封装集成电路54外部目检；抽样（或100%）测量电参数；抽样做可焊性试验；进行破坏性物理分析。30表8进口元器件（军级以下质量等级）有效贮存期、超期复验要求及继续有效期（续）单位：月元器件类别有效贮存期超期复验项目继续有效期备注塑料封装集成电路48外部目检；抽样（或100%）测量电参数；抽样做可焊性试验；*4.进行破坏性物理分析。24塑料封装半导体分立器件48外部目检；抽样（或100%）测量电参数；抽样做可焊性试验；*4.进行破坏性物理分析。24其它元件48外部目检；抽样（或100%）测量电参数；#3.抽样做可焊性试验；*4.引出端强度试验；*5.进行破坏性物理分析。24注1：外部目检参照5．4．1．1进行。可焊性检验参照5．4．3．2要求进行。破坏性物理分析参照5．4．3．4要求进行。注2：如无特殊说明，电参数测量在常温下进行，参照5．4．1．2要求进行。注3：*项目前不做，以后有要求再进行。注3：#如无此检测项要求的元器件不做。筛选8．1通则在有效贮存期（包括继续有效期）的元器件在装机前应100%做筛选试验。8．2筛选方法按Q/N466中的有关规定进行或参照相关元器件的筛选技术条件进行。部分元器件有效贮存期、超期复验要求及继续有效贮存期明细表此明细表为本公司型号产品所需的部分元器件，在装机前对其有效贮存期、超期复验要求及继续有效贮存期提出的具体要求。详见附录A、附录B。注：如有增加元器件可参照附录A、附录B相关项执行或新增附录。附录A表A进口元器件（军级以下质量等级）有效贮存期、超期复验要求及继续有效期明细表名称品牌规格有效贮存期继续有效期备注集成电路NXP74HC4016D4824集成电路NXP74HC08D4824集成电路NXP74HC27D4824集成电路NXP74HC74D4824集成电路NXP74HC04D4824集成电路NXP74HC1G04GW4824集成电路NXPPCF8575TS4824集成电路NXPGTL2002D4824集成电路NXPPESD5V0L2BT4824集成电路ATMELATMEGA8A4824集成电路ATMELATMEGA16A4824集成电路TILM193D4824集成电路TILM139D4824集成电路TITL064ID4824集成电路TITMS320LF2407APGEA4824集成电路TILM158JG4824集成电路TITL062ID4824集成电路TITLV1117LV33DCY4824集成电路MAXMAX202ESE4824集成电路MICMIC4574BWM4824集成电路ADIADG3304BRUZ4824二极管TOSHIBAIN58194824二极管STIN41484824二极管VISHAYSMJA12CA4824二极管VISHAYSMJA5.0CA4824三极管NEC2SC16234824晶振KDS9S-8MEFA16-IND4824晶振KDSOCETHCKANF-10MZ4824贴片电容村田0.1u4824贴片电容村田30p4824贴片电容村田0.33u4824贴片电容村田330p4824贴片电容村田3300p4824贴片电容村田20p4824贴片电容村田1u4824贴片电容村田6800p4824贴片电容村田1u4824贴片电容村田0.1u4824贴片电容村田16pf4824贴片电容村田68p4824表A进口元器件（军级以下质量等级）有效贮存期、超期复验要求及继续有效期明细表(续)名称品牌规格有效贮存期继续有效期备注钽电容AVXTAJB106K016RNJ4824钽电容AVXTAJB226K016RNJ4824钽电容AVXTAJB476K016RNJ4824钽电容AVXT491D226K025AT4824钽电容AVXTAJD106K035RNJ4824钽电容AVXTAJD476K025RNJ4824钽电容AVXTAJC476K016RNJ4824电感TDK47UH4824电解电容松下220uf/25v4824电解电容松下220uf/16v4824电位器BOURNS3296W-1-203LF4824电位器BOURNS3296W-1-103LF4824电位器BOURNS3266W-1-103LF4824集成电路ATMELATMEGA8L4824*集成电路ATMELATMEGA16L4824*CCD东芝TCD1500C**CCD东芝TCD1501C**注1：按表1的Ⅰ类环境条件贮存，有特殊