新高考物理一轮复习分层提升练习专题60 带电粒子在组合场中的运动（原卷版）

专题60带电粒子在组合场中的运动导练目标导练内容目标1常见的两类组合场问题目标2带电粒子在交变电磁场中的运动【知识导学与典例导练】一、基础必备知识1．组合场：电场与磁场各位于一定的区域内，并不重叠，或在同一区域，电场、磁场交替出现。2．带电粒子在组合场中运动的分析思路第1步：粒子按照时间顺序进入不同的区域可分成几个不同的阶段。第2步：受力分析和运动分析，主要涉及两种典型运动，如第3步中表图所示。第3步：用规律3．“电偏转”与“磁偏转”的比较垂直电场线进入匀强电场(不计重力)垂直磁感线进入匀强磁场(不计重力)受力情况电场力FE＝qE，其大小、方向不变，与速度v无关，FE是恒力洛伦兹力FB＝qvB，其大小不变，方向随v而改变，FB是变力轨迹抛物线圆或圆的一部分运动轨迹示例求解方法利用类平抛运动的规律求解：vx＝v0，x＝v0t，vy＝eq\f(qE,m)·t，y＝eq\f(1,2)·eq\f(qE,m)·t2偏转角φ满足：tanφ＝eq\f(vy,vx)＝eq\f(qEt,mv0)半径：r＝eq\f(mv,qB)周期：T＝eq\f(2πm,qB)偏移距离y和偏转角φ要结合圆的几何关系利用圆周运动规律讨论求解运动时间t＝eq\f(x,v0)t＝eq\f(φ,2π)T＝eq\f(φm,Bq)动能变化不变常见的两类组合场问题1.先电场后磁场(1)先在电场中做加速直线运动，然后进入磁场做圆周运动。如图甲、乙所示，在电场中利用动能定理或运动学公式求粒子刚进入磁场时的速度。(2)先在电场中做类平抛运动，然后进入磁场做圆周运动。如图丙、丁所示，在电场中利用平抛运动知识求粒子进入磁场时的速度。【例1】如图所示，距离为L的竖直虚线P与Q之间分布着竖直向下的匀强电场，A为虚线P上一点，C为虚线Q上一点，水平虚线CD与CF之间分布着垂直于纸面向里的匀强磁场，磁感应强度大小为B，虚线CF与虚线Q之间的夹角SKIPIF1<0。质量为m、电荷量为q的粒子从A点以水平初速度SKIPIF1<0射出，恰好从C点射入磁场，速度与水平方向的夹角也为SKIPIF1<0，粒子重力可忽略不计，下列说法正确的是（）A．C点与A点间的竖直距离为SKIPIF1<0 B．电场强度大小为SKIPIF1<0C．粒子在磁场中运动的轨迹半径为SKIPIF1<0 D．粒子在磁场中运动的时间为SKIPIF1<02.先磁场后电场对于粒子从磁场进入电场的运动，常见的有两种情况：(1)进入电场时粒子速度方向与电场方向相同或相反，如图甲所示，粒子在电场中做加速或减速运动，用动能定理或运动学公式列式。(2)进入电场时粒子速度方向与电场方向垂直，如图乙所示，粒子在电场中做类平抛运动，用平抛运动知识分析。【例2】如图所示，在SKIPIF1<0平面的第Ⅱ象限内有半径为SKIPIF1<0的圆分别与SKIPIF1<0轴、SKIPIF1<0轴相切于SKIPIF1<0、SKIPIF1<0两点，圆内存在垂直于SKIPIF1<0面向外的匀强磁场。在第Ⅰ象限内存在沿SKIPIF1<0轴负方向的匀强电场，电场强度为SKIPIF1<0。一带正电的粒子（不计重力）以速率SKIPIF1<0从SKIPIF1<0点射入磁场后恰好垂直SKIPIF1<0轴进入电场，最后从SKIPIF1<0点射出电场，出射方向与SKIPIF1<0轴正方向夹角为SKIPIF1<0，且满足SKIPIF1<0。下列判断中正确的是（）A．粒子将从SKIPIF1<0点射入第Ⅰ象限B．粒子在磁场中运动的轨迹半径为SKIPIF1<0C．带电粒子的比荷SKIPIF1<0D．磁场磁感应强度SKIPIF1<0的大小SKIPIF1<0三、带电粒子在交变电磁场中的运动（1）交变场的常见类型①电场周期性变化，磁场不变。②磁场周期性变化，电场不变。③电场、磁场均周期性变化。（2）分析带电粒子在交变场中运动问题的基本思路【例3】如图甲所示，在直角坐标系中的0≤x≤L区域内有沿y轴正方向的匀强电场，右侧有以点（2L，0）为圆心、半径为L的圆形磁场区域，与x轴的交点分别为M、N。在xOy平面内，从电离室产生的质量为m、带电荷量为e的电子以几乎为零的初速度从P点飘入电势差为U的加速电场中，加速后经过右侧极板上的小孔Q点沿x轴正方向进入匀强电场，已知O、Q两点之间的距离为SKIPIF1<0，飞出电场后从M点进入圆形磁场区域，电子进入磁场时取t=0，在圆形区域内加如图乙所示变化的磁场（以垂直于纸面向外为正方向，图中B0是未知量），最后电子从N点飞出，速度方向与进入圆形磁场时的速度方向相同。不考虑电子的重力。（1）求电子运动到Q点时的速度大小v0；（2）求电子运动到M点时的速度vM；（3）写出磁场变化周期T满足的关系表达式。【多维度分层专练】1．质谱仪被广泛应用于分离同位素，图甲是其简化模型。大量质量为m=1.60×10-27kg、电荷量为q=+1.60×10-19C的质子（即SKIPIF1<0核），从粒子源A下方以近似速度为0飘入电势差为U0=200V的加速电场中，并从中间位置进入偏转电场，偏转电场两板间宽度d＝2cm，已知粒子出射后马上进入匀强磁场中，磁场方向垂直纸面向外，经磁场偏转后打在水平放置的屏上，给偏转电场两极间加上如图乙所示的电压，其周期T远大于粒子在电场中的偏转时间，两极板间视为匀强电场，板外电场忽略不计，屏足够长。忽略粒子所受重力和粒子间的相互作用力，求：（1）质子射出加速电场时速度的大小；（2）为使质子经偏转电场后能全部进入磁场，求偏转电场极板长度范围；（3）当偏转电场极板长度L＝4cm时，若粒子源打出的粒子掺杂另一种粒子氚核（SKIPIF1<0），为使两种粒子均能击中屏且没有重叠，求磁感应强度的最大值。2．半导体掺杂是集成电路生产中最基础的工作，某公司开发的第一代晶圆掺杂机主要由三部分组成：离子发生器，控制器和标靶。简化模型如图所示，离子发生器产生电量为＋q，质量为m的离子，以足够大速度SKIPIF1<0沿电场的中央轴线飞入电场；控制器由靠得很近的平行金属板A、B和相互靠近的两个电磁线圈构成（忽略边缘效应），极板A、B长为SKIPIF1<0，间距为d，加上电压时两板间的电场可当作匀强电场，两电磁线圈间的圆柱形磁场可以当作匀强磁场，磁感应强度与电流的关系B=kI，k为常数，匀强电场与（柱形）匀强磁场的中轴线互相垂直相交，磁场横截面的半径为SKIPIF1<0；标靶是半径为R的单晶硅晶圆，并以晶圆圆心为坐标原点，建立Oxy正交坐标系。晶圆与匀强电场的中轴线垂直，与匀强磁场的中轴线平行，且与匀强电场中心和柱形匀强磁场中轴线的距离分别为SKIPIF1<0和SKIPIF1<0，其中SKIPIF1<0。SKIPIF1<0，I=0时，离子恰好打到晶圆的（0，0）点。（1）当SKIPIF1<0，SKIPIF1<0时，离子恰好能打到（0，-R）点，求SKIPIF1<0的值。（2）当SKIPIF1<0，SKIPIF1<0时，离子能打到点（R，0），求SKIPIF1<0的值。（3）试导出离子打到晶圆上位置（x，y）与SKIPIF1<0和I的关系式。（提示：SKIPIF1<0）3．如图所示，在xOy平面内，有一电子源持续不断地沿x正方向每秒发射出N个速率均为v的电子，形成宽为2b、在y轴方向均匀分布且关于x轴对称的电子流。电子流沿x方向射入一个半径为R、中心位于原点O的圆形匀强磁场区域，磁场方向垂直xOy平面向里，电子经过磁场偏转后均从P点射出。在磁场区域的正下方有一对平行于x轴的金属平行板K和A，其中K板与P点的距离为d，中间开有宽度为2l且关于y轴对称的小孔。K板接地，A与K两板间加有正负、大小均可调的电压UAK。穿过K板小孔到达A板的所有电子被收集且导出，从而形成电流。已知SKIPIF1<0R，SKIPIF1<0，电子质量为m，电荷量为e，忽略电子间相互作用。（1）求磁感应强度B的大小；（2）求电子从P点射出时与负y轴方向的夹角θ的范围；（3）当UAK＝0时，每秒经过极板K上的小孔到达极板A的电子数。4．在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，然后通过磁分析器，选择出特定比荷的离子，经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆（硅片）。速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外；速度选择器和偏转系统中的匀强电场场强大小均为E，方向分别为竖直向上和垂直纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之圆环，其两端中心位置M和N处各有一个小孔；偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一边长为L的正方体，其底面与晶圆所在水平面平行，间距也为L。当偏转系统不加电场及磁场时，离子恰好竖直注入到晶圆上的O点（即图中坐标原点，x轴垂直纸面向外）。整个系统置于真空中，不计离子重力，打在晶圆上的离子，经过电场和磁场偏转的角度都很小。当SKIPIF1<0很小时，有SKIPIF1<0。求（1）离子通过速度选择器后的速度大小v和磁分析器选择出来离子的比荷；（2）偏转系统仅加电场时离子注入晶圆的位置，用坐标（x，y）表示；（3）偏转系统仅加磁场时离子注入晶圆的位置，用坐标（x，y）表示。5．如图所示，平面直角坐标系SKIPIF1<0内，x轴上方有垂直坐标系平面向里、半径为R的圆形匀强磁场SKIPIF1<0（大小未知），圆心为SKIPIF1<0。x轴下方有一平行x轴的虚线MN，在其下方有磁感应强度方向垂直坐标系平面向外、大小为SKIPIF1<0的矩形匀强磁场，磁场上边界与MN重合。在MN与x轴之间有平行与y轴、场强大小为SKIPIF1<0的匀强电场（图中未画出），且MN与x轴相距SKIPIF1<0（大小未知）。现有两相同带电粒子a、b以平行x轴的速度SKIPIF1<0分别正对SKIPIF1<0点、A点SKIPIF1<0射入圆形磁场，经偏转后都经过坐标原点O进入x轴下方电场。已知粒子质量为m、电荷量大小为q，不计粒子重力及粒子间的相互作用力。（1）求磁感应强度SKIPIF1<0的大小；（2）若电场沿y轴负方向，欲使带电粒子a不能到达MN，求SKIPIF1<0的最小值；（3）若电场沿y轴正方向，SKIPIF1<0，欲使带电粒子b能到达x轴上且距原点O距离最远，求矩形磁场区域的最小面积。6．空间分布着如图所示的匀强电场和垂直于纸面的匀强磁场，其中SKIPIF1<0区域足够大，SKIPIF1<0分布在半径SKIPIF1<0的圆形区域内，MN为过其圆心O的竖直线，SKIPIF1<0、SKIPIF1<0区域磁感应强度大小均为1T，虚线SKIPIF1<0与MN平行且相距1m，其右侧区域存在着与水平方向成45°斜向下的匀强电场，电场强度SKIPIF1<0，电场区域足够大。磁场SKIPIF1<0中有粒子源S，S与O点的距离SKIPIF1<0，且SO垂直于MN。某时刻粒子源S沿着纸面一次性向各个方向均匀射出一群相同的带正电粒子，粒子的质量均为SKIPIF1<0、电量均为SKIPIF1<0、速率均为SKIPIF1<0，其中某粒子先经SKIPIF1<0区域偏转再从虚线圆的最低点P进入SKIPIF1<0区域偏转，最后以水平方向的速度从A点进入电场区域。AB为与电场方向垂直的无限大的绝缘板。不计粒子的重力以及粒子之间的相互作用。（1）求粒子在磁场中的轨迹半径；（2）求能够进入SKIPIF1<0区域的粒子数与发射的粒子总数之比；（3）从A点水平进入电场区域的带电粒子在电场中运动一段时间后与绝缘板发生碰撞，粒子与AB板发生碰撞时垂直板方向的速度大小不变、方向相反，沿板方向的速度不变。若粒子能打在C点（图中未画出），求A点距O点的竖直高度以及AC之间的距离满足的关系式。7．如图（a）所示为粒子扩束装置的示意图，该装置由加速电场、偏转电场和偏转磁场组成。其中偏转电场的两极板由相距为SKIPIF1<0，板长为SKIPIF1<0的两块水平平行放置的导体板组成。一群带负电的相同离子（质量为SKIPIF1<0，电荷量为SKIPIF1<0，其重力不计）由静止开始，经加速电场加速后，连续不断地沿平行于导体板的方向从两板正中央射入偏转电场。当偏转电场的两极板不加电压时，离子通过两板之间的时间为SKIPIF1<0；当偏转电场的两极板间加如图（b）所示的电压时，所有离子均能从两板间通过，然后进入水平宽度SKIPIF1<0、竖直长度足够大、方向垂直纸面向里的匀强磁场中，磁场右边界为竖直放置的荧光屏（不考虑离子间相互作用）。求：（1）加速电场的电压SKIPIF1<0；（2）离子射出偏转电场的最大侧移量SKIPIF1<0；（3）当磁感应强度大小取何值时，离子能打到荧光屏的位置最低，并求出最低位置离中心点O的距离。（SKIPIF1<0，SKIPIF1<0）8．如图甲所示，M、N为水平放置长为L的平行金属板，两板相距也为L。一束带正电、比荷为SKIPIF1<0的粒子流（重力不计），以初速度SKIPIF1<0沿两板正中间水平射入两板间。粒子恰好由N板下边缘A点射出，以A点为坐标原点