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文档简介

13.1外延生长3.2掩模版的制造3.3光刻原理与流程

3.4氧化3.5淀积与刻蚀3.6掺杂原理与工艺第3章集成电路基本工艺23.2掩模(Mask)的制版工艺1.掩模制造从物理上讲,任何半导体器件及IC都是一系列互相联系的基本单元的组合,如导体、半导体及基片不同层上形成的不同尺寸的隔离材料等。要制作出这些结构需要一套掩模。一个光学掩模通常是一块涂着特定图案铬薄层的石英玻璃片，一层掩模对应一块IC的一个工艺层。工艺流程中需要的一套掩模必须在工艺流程开始之前制作出来。制作这套掩模的数据来自电路设计工程师的版图。3什么是掩模？掩模是用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600

800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高，称之为铬板(Crmask)。4

整版及单片版掩模整版按统一的放大率印制，因此称为1X掩模。这种掩模在一次曝光中，对应着一个芯片阵列的所有电路的图形都被映射到基片的光刻胶上。单片版通常把实际电路放大5或10倍，故称作5X或10X掩模。这样的掩模上的图案仅对应着基片上芯片阵列中的一个单元。上面的图案可通过步进曝光机映射到整个基片上。5IC、Mask&Wafer图3.2Wafer62.图案发生器方法(PG:PatternGenerator)

在PG法中,规定layout的基本图形为矩形。任何版图都将分解成一系列各种大小、不同位置和方向的矩形条的组合。每个矩形条用5个参数进行描述:(X,Y,A,W,H)图3.37图案发生器方法(续)利用这些数据控制图中所示的一套制版装置。图3.483.X射线制版由于X射线具有较短的波长，它可用来制作更高分辨率的掩模版。X-ray掩模版的衬底材料与光学版不同，要求对X射线透明，而不是可见光或紫外线，它们常为Si或Si的碳化物。Au的沉淀薄层可使得掩模版对X射线不透明。94.电子束扫描法(E-BeamScanning)

采用电子束对抗蚀剂进行曝光，由于高速的电子具有较小的波长，分辨率极高。先进的电子束扫描装置精度50nm，这意味着电子束的步进距离为50nm，轰击点的大小也为50nm。10电子束扫描法电子束扫描装置的

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