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测试方法前言 I 12规范性引用文件 13术语和定义 1 1 1 4.1.2等效电容测量方法 24.2电压变化率测试 4 4 4本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规磊1金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率的测试方法。本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管2规范性引用文件下列文件中的内容通过义中的规枪性引用而构成本文件必不可步的备款其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适本文件；不注日期的引用文件，其最新版(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T45894率导体器件。第8部分：场效应晶体管GB/T17734998半导体器件分立器机集成电路第1部分：总则3术语和走义下列未语和定义适用于本文件在规定的电压下，处子截征状态的金属氧化物导体场效应晶体管(MOsFEh的结电容储存一定的能量，体据能量相等按电容储存能量模型计算出的电容值。基于电荷(时间相等的等效电容effectiveoutputcapacitance,chagerelated(timerelated)在规定的电压下，处于械止状态的金属氧化物半导体场效应晶体看(MOSFET)的结电容储存一定的电荷，依据电荷相等按电容储存电荷模型计算出的电容值。电压变化率voltageratechange栅极-源极短接，金属氧化物半导体场效应品体管(MOSFET)处于截止状态，所能耐受的漏极-源极电压变化率的极限。4测试方法4.1等效电容测试图3电路图适用于N沟道器件。通过改变仪器、发生器和电源的极性，则能适用于P沟道器件。GB/T17573—1998给出的操作注意事项和测量发生程序适用。2测试电路图和波形如图1和图2所示。图1N沟道MOSFEI等效电容测试电路34根据电容储能模型，按公式(1)计算：可得Coer计算公式(2):积分时间从t到1₂,电流L为电路中监测的充电电流，规定电压为V₂,起始电压为V。根据电容储存电荷模型，按公式(3)Yfld根据电容储存电荷模型，按公式(3)Yfld 规定条件如下——环境温度T 时间通常为充电电流后的%以蹄免初始纹波于扰：图3所示电路图适用于N沟道器件。通过改变仪器、发生器和电源的极性，血能适用于P沟道器在规定的条件下测试金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSHET)能承受的单次电压变化率dv/di56a)

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