SJ∕T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

ICS31.080.30中华人民共和国工业和信息化部发布I——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规范中合并为tor(关断时间),请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范起草单位；石家庄天林石无二电子有限公司。本规范主要起草人：赵滨、宋凤领、吕瑞芹。本规范于198年首次发布，本次为第一次修订。1半导体分立器件3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》SJ/T1834—2016半导体分立器件3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3-02B型的规定。D①a45°M司 1.发射极2.基极3.集电极单位为毫米开关用双极型晶体管半导体材料：硅金属封装(空腔)应用：各种电路中作开头及高频放大与振荡用3质量评定类别考数据7=25℃)0VCBo=75V(3DK104AVCBo=100V(3DK104BD)VCEo=60V(3DK104A、VCEo=80V(3DKA04B、DVFBO=5Vf≥150MH25～180尺寸数值最小最大A6.106.600.400.518.64一9.398.01—8.50j0.710.790.87K0.74L一L24规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范4937—1995半导体器件机械和气候试验方法6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范7581—1987半导体分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范5极限值(绝对最大额定值)极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。章条号符号最小值最大值工作环境温度℃贮存温度℃最大集电极一基极直流电压VBoV最大集电极一发射极直流电压VEo— V最大发射极—基极直流电压VBO一5V最大直流集电极电流 mAT=25℃,不加散热片时的最大额定功率Ptot—mW最高结温—℃电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。3章条号特性和条件除非另有规定，T=25℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)符号单位试验分组最小值最大值正向电流传输比Va=3V,I=200mA色标：橙绿蓝紫A2b集电极-发射极饱和电压I=30mA,I=300mAA2b基极-发射极饱和电压I₂=30mAI4300mAYgsat1A2b集电极-基极截止电流I=0,V30.VA1A2b集电极-发射极截止电流I=0,俗-30MA1A2b发射极-基极截止电流AA2b高温的集电极-基极截证电流I=0,T-125℃,=30AC2b特循频系a=10v,YF=50mA,f=30MHz导通时间Ig=30mAI=300~mA3DK104A、B3DK104C、D关断时间I=30mA,I=300mA3DK104A、B3DK104C、DfMHz—A4、C2aA4A4共基极输出电容Va=10V,I=0,f=5MHz—C2a7标志a)器件上的标志——he分档色标；——质量评定类别标志Ⅱ,如3DK104AIⅡ;45表3A组一逐批检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)极限值单位最小值最大值A1分组外部目检GB/T4589.1—20064.3.1.1—标志清晰，表面无机械损伤、破损5A2a分组不工作器件集电极一基极截止电流正向电流传输比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994Va=1V,I=10mA短路：IcBo≥100μA开路：hE≤5A2b分组集电极一基极截止电流集电极一发射极截止电流发射极—基极截止电流正向电流传输比基极—发射极饱和电压集电极—发射极饱和电压IoVEatGB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.2GB/T4587—1994GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝紫Ve=3V,I=200mA一一1111VV5A4分组特征频率导通时间3DK104A、B3DK104C、D关断时间3DK104A、B3DK104C、DGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Ve=10V,I=50mAMHz6检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值单位B1分组尺寸GB/T4589.1—2006A、φD见第1章外形图B3分组引出弯曲(D)GB/T4937—1995方法1,受试引出端数：3外加弯曲力：2.5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动，均认为器件失效B4分组可焊性,2.1焊槽法润湿良好B5分组快速温度变化(D)密封a.细检漏b.粗检漏最后测试集电极—基极截止电流正向电流传输比cGB/T4937—1995GB4937—1995GB/T4937—1995GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝紫0℃~100℃;10个循环GB/-2423.23—2013试验Q,方法1试驳Q,方法3Ve=3V,I=200mA1B8分组电耐久性(168h)最后测试集电极一基极截止电流正向电流传输比hGB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝紫工作寿命Ve=3V,Ic=200mA26696—注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tmb=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值单位C1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸见第1章外形图C2a分组特征频率共基极输出电容GB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1V=10V,I=50mA,f=30MHzVa=10V,I=0,f=5MHz—MHzC2b分组高温下的集电极—基极截止电流IcBo₂GB/T4587—1994IV,1,2.1T=125℃I=0,Va=30V—C3分组引出端强度(D)拉力GB/T4937—1995受试引出端数：3外加力：5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动均认为器件失效C4分组耐焊接热(D)最后测试GB/T4937—1995方法1A。周期=180d同B5分组最后测试——一C6分组恒定加速度最后测试GB/T4937-—199520000g同B5分组最后测试—C7分组稳态湿热(D)最后测试GB/T4937——1995Ⅲ,585℃±2℃,相对湿度85%±5%,时间168h同B8分组最后测试一—一C8分组电耐久性(1000h)最后测试GB/T4587—1994V,1工作寿命：t=1000h,Ve=0.6Vao,Pot=700mW同B8分组最后测试-——C9分组高温贮存