• 现行
  • 正在执行有效
  • 2011-07-13 颁布
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【正版授权】 IEC 62047-9:2011 EN-FR Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 62047-9:2011 EN-FR
  • 标准名称：半导体器件-微机电装置-第9部分：用于MEMS的晶圆与晶圆结合强度测量
  • 英文名称：Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2011-07-13

文档简介

IEC62047-9:2011EN-FRSemiconductordevices-Micro-electromechanicaldevices-Part9:WafertowaferbondingstrengthmeasurementforMEMS标准主要规定了用于测量微机电系统（MEMS）芯片之间的结合强度的试验方法。该标准详细说明了试验的步骤、设备要求、样品准备、测量方法以及数据处理等方面的内容。

具体来说，该标准要求在进行结合强度测试之前，必须对样品进行适当的处理，例如清洁、干燥和定位。测试设备需要具有精确的测量能力，能够准确测量结合面的应力分布和强度。在试验过程中，需要记录所有相关的参数和数据，如环境条件、结合面的形态和结合区域的应力分布等。

结合强度是评估MEMS芯片之间结合质量的重要指标，该标准为测试方法提供了具体指导，有助于确保MEMS产品的可靠性和稳定性。此外，该标准还强调了测量过程中的质量控制和实验室认证的重要性，以确保测试结果的准确性和可信度。

IEC62047-9:2011EN-FR标准为MEMS芯片之间的结合强度测试提

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