（高清版）GBT 26069-2022 硅单晶退火片

2022-03-09发布I本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件代替GB/T26069—2010《硅退火片规范》,与GB/T26069—2010相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：a)“范围”一章增加了包装、标志、运输、贮存、随适用范围(见第1章，2010年版的第1章);b)增加了术语“退火片”“技术代”及其定义(见第3章);c)增加了65nm、45nm、32nm和22nm集成电路线宽所需的硅单晶退火片的技术规格(见第4章);d)增加了退火片的基本要求应符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508的要求(见5.1);e)更改了硅片标识、径向氧含量、厚度及允许偏差、局部光散射体等要求，删除了直径、边缘表面条件、平整度、滑移、体微缺陷(BMD)刻蚀带深度等要求，增加了主参考面或切口晶向、边缘轮廓、背表面状态、洁净区宽度(DZ)等要求(见第5章，2010年版的4.2);f)删除了径向电阻率变化、晶向g)更改了厚度、总厚度变化、局部平整度的测量方法(见6.3,2010年版的5.11和5.13);h)更改了翘曲度的测量方法(见6.4,2010年版的5.12);i)增加了背表面光泽度的测量方法(见6.6);j)更改了表面金属含量的测试方法(见6.8,2010年版的5.17);k)增加了体金属(铁)含量的测试方法(见6.10);1)增加了洁净区宽度及体微缺陷密度的检验方法(见6.11);m)更改了组批方式(见7.2,2010年版的6.2);n)全检项目中增加了导电类型、几何参数、表面金属含量和氧化诱生缺陷(见7.3.1);o)增加了检验结果的判定(见7.5);p)更改了包装(见8.1,2010年版的7.2);q)增加了随行文件(见8.5)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江众晶电子有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、开化县检验检测研究院、浙江中晶科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体有限公司、中环领先半导体材料有限公司。本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：——2010年首次发布为GB/T26069—2010;——本次为第一次修订。1本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180nm～22nm的集成电路。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T12962硅单晶GB/T12965硅单晶切割片和研磨片GB/T14264半导体材料术语GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T29504300mm硅单晶GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法GB/T29508300mm硅单晶切割片和磨削片GB/T32280硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法GB/T39145硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法YS/T28硅片包装YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法3术语和定义GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无晶体缺陷[包括晶体原生凹2技术代technologygeneration在集成电路制造中特定工艺的特征尺寸，即由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸。注：技术代也称为技术节点。4分类退火片按技术代分为180nm、130nm、90nm、65nm、45nm、32nm和22nm七种规格，其他规格由供需双方协商确定。5技术要求5.1基本要求退火片的基本要求应符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508及表1的规定。除导电类型、电阻率外的基本要求指标，仅由供方提供各项检验结果。技术代生长方式直拉法(CZ)或磁场拉晶法(MCZ)晶向晶向偏离度导电类型P掺杂剂硼晶体中共掺杂无掺杂或由供需双方协商确定的氮或碳的共掺杂电阻率(中心点)供需双方协商确定径向电阻率变化氧含量供需双方协商确定径向氧含量变化≤10%(距边缘10mm)碳含量晶体缺陷(位错、系属结构、孪晶、漩涡等)无标志选择字母数字刻字或供需双方协商确定主参考面或切口晶向<110>±1°或供需双方协商确定边缘轮廓供需双方协商确定边缘抛光供需双方协商确定正表面薄膜无外吸杂无背封无背表面状态供需双方协商确定抛光3表1基本要求(续)技术代直径及允许偏差200±0.20300±0.20300±0.20300士0.20300±0.20边缘去除3322222退火气氛供需双方协商确定5.2几何参数退火片的几何参数应符合表2的规定，或由供需双方协商确定。表2几何参数技术代厚度及允许偏差725±20(切口标记)或675±15(参考面标记)775±20775±20775±20775±20775±20775±20总厚度变化(TTV)翘曲度(Warp)局部平整度(SFQR)nmGBIR为总平整度。”局部区域的尺寸为26mm×32mm,局部区域的其他尺寸也可由供需双方协商。5.3表面质量退火片表面应无崩边、划伤(宏观),其他表面质量应符合表3的规定，或由供需双方协商确定。表3表面质量技术代正表面局部光散射体(个/片)总的LSELSELSELSELSELSE供需双方协商确定供需双方协商确定划伤(微观)总长度直径直径直径直径直径直径直径雾无(强光灯下检查)其他缺陷(沟槽、凹坑、小丘、橘皮、波纹、区域沾污等)无或由供需双方协商确定4表3表面质量(续)技术代背表面光泽度无要求0.80(正表面光泽度的80%)表面沾污供需双方协商确定其他缺陷供需双方协商确定5.4表面金属含量退火片正表面的金属含量应符合表4的规定，或由供需双方协商确定。表4表面金属含量技术代NaAlKFeNi注：退火片的正表面金属含量以每平方厘米的原子个数计。5.5其他性能5.5.1退火片的氧化诱生缺陷、体金属(铁)含量、洁净区宽度(DZ)、体微缺陷密度(BMD)由供需双方协商确定。5.5.2需方如对退火片的其他性能有特殊要求，由供需双方协商确定。6试验方法6.1退火片导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。6.2退火片电阻率的测试按GB/T6616的规定进行。6.3退火片厚度、总厚度变化及平整度、局部平整度的测试按GB/T29507的规定进行。6.4退火片翘曲度的测试按GB/T32280的规定进行。6.5退火片正表面的局部光散射体、划伤(微观)等的测试按GB/T19921的规定进行。6.6退火片背表面光泽度的测试用光泽度仪进行。6.7退火片的其他表面质量检验按GB/T6624的规定进行。56.8退火片表面金属含量的测试按GB/T39145的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。6.9退火片氧化诱生缺陷的检验按GB/T4058的规定进行。6.10退火片体金属(铁)含量的检测按YS/T679的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。6.11退火片洁净区宽度、体微缺陷密度的检验按供需双方协商确定的方法进行。7检验规则7.1检查和验收7.1.1产品由供方进行检验，保证产品质量符合本文件及订货单的规定，并填写质量保证书。7.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验，如检验结果与本文件或订货单的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内以书面形式向供方提出，或由供需双方协商解决。退火片应成批提交验收，每批应由相同规格的退火片组成，组批方式也可由供需双方协商确定。7.3检验项目7.3.1每批退火片应对导电类型、电阻率、几何参数、表面质量、表面金属含量、氧化诱生缺陷进行检验。7.3.2退火片的体金属(铁)含量、洁净区宽度、体微缺陷密度是否检验由供需双方协商确定。7.4取样7.4.1非破坏性测试项目的检验取样按GB/T2828.1—2012中一般检验水平Ⅱ,正常检验一次抽样方案进行，或按供需双方协商确定的抽样方案进行。7.4.2破坏性测试项目的检验取样按GB/T2828.1—2012中特殊检验水平S-2,正常检验一次抽样方案进行，或按供需双方协商确定的抽样方案进行。7.5检验结果的判定7.5.1导电类型的检验结果中有任意一片不合格时，判该批产品为不合格。7.5.2电阻率、厚度及允许偏差、总厚度变化、翘曲度、局部平整度、表面质量(目检)的接收质量限(AQL)见表5,或由供需双方协商确定。表5退火片表面检测项目和接收质量限序号检验项目接收质量限(AQL)1电阻率2厚度及允许偏差3总厚度变化4翘曲度5局部平整度6表5退火片表面检测项目和接收质量限(续)序号检验项目接收质量限(AQL)6表面质量(目检)崩边划伤(宏观)其他正表面缺陷(沟槽、凹坑、小丘、橘皮、波纹、区域沾污等)累计1.0背表面划伤、沾污、光泽度累计1.0累计累计2.07.5.3平整度、局部光散射体、划伤(微观)、雾、表面金属、体金属(铁)含量、氧化诱生缺陷、洁净区宽度、体微缺陷密度检验结果的判定由供需双方协商确定。7.5.4抽检不合格的产品，供方可对不合格项目进行逐片检验，除去不合格品后，合格品可以重新组批。退火片的包装按YS/T28的规定进行，也可由供需双方协商确定。8.2标志8.2.1在检验合格的退火片包装盒上张贴标签，其上注明：a)产品名称；b)产品规格；c)产品批号；8.2.2退火片应成箱包装，每箱外侧应注明：a)供方名称；b)产品