光刻中驻波效应分析_第1页
光刻中驻波效应分析_第2页
光刻中驻波效应分析_第3页
光刻中驻波效应分析_第4页
光刻中驻波效应分析_第5页
已阅读5页，还剩8页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

报告人：谭先华光刻过程中的驻波效应分析2010-11-21驻波效应形成的原因抗蚀剂在曝光过程中由于其折射率和基底材料折射率不匹配，在基底表面产生的反射光和入射光相互干涉而形成驻波。光强的驻波分布使抗蚀剂内的光敏化合物(photoactivecompound，PAC)的浓度也呈驻波分布，从而使抗蚀剂在显影后边缘轮廓有一定的起伏。抗反射膜衍射效应曝光剂量3300rpmfor30seconds200nm，正胶：AZ5206E

光谱的宽度抑制驻波效应的方法有

1、采用多波长混合光源进行曝光[3],这种工艺虽能明显抑制驻波效应,但这势必引起光刻胶过度曝光,显然不适合亚微米光刻;2、采用着色光刻胶是另一种方法,即在光刻胶中添加着色剂(感光机团或吸光剂)以吸收反射光,从而弱化驻波效应及光刻胶多重曝光现象。但着色剂同样能吸收入射光,因此需增加曝光能量,导致曝光量难以控制。3、采用ARC(抗反射涂层)是目前应用较广泛的工艺,即在光刻胶上或晶片上涂敷一层抗反射膜,分别称作TARC与BARC(图2),亦可同时涂敷TARC与BARC驻波效应的抑制用驻波效应做结构总结消除驻波效应1、宽频光谱曝光2、抗反射涂层3、后烘工艺4、厚胶工艺产生驻波效应1、单色光曝光2、增反层（镀金属膜、抛光的多晶硅）3、不后烘3、胶厚在1um以下（500nm）其他的方面1、曝光剂量适当2、衍射影响3、根切效应4、吸收率低的光刻胶总结问题1、断面观察（场扫电镜）？2、薄胶获得？3、衍射效应的影响？（接触光刻）4、曝光剂量控制。基本想

人人文库> 全部分类> 应用文书 > 作业报告

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论