超纯水系统介绍

水处理）超纯水系统介绍展开全文超纯水系统简介超纯水最初是美国科技界为了研制超纯材料（半导体原件材料、纳米精细陶瓷材料等）应用蒸馏、去离子化、反渗透技术或其它适当的超临界精细技术生产出来的水，如今超纯水已在生物、医药、汽车、半导体等制造领域广泛应用。这种水中除了水分子（H20）外，几乎没有什么杂质。超纯水是一般工艺很难达到的程度，如水的电阻率大于18MQ*cm,接近于18.2MQ*cm则称为超纯水。系统简介超纯水系统包括4个处理系统：预处理系统；反渗透系统；EDI（混床）系统；精处理系统超纯水系统传统工艺流程：原水箱-原水泵-絮凝剂（PAC）-多介质过滤器（MMF）-活性炭过滤器（ACF）-阳床-预处理水箱-R0送水泵-阻垢剂杀菌剂-RO保安过滤器-一级RO高压泵-一级反渗透-中间水箱-二级RO送水泵-二级RO高压泵-二级反渗透-中间水箱-EDI送水泵-EDI装置（或混床）-混床保安过滤器-杀菌UV紫外线-氮封纯水箱-终端循环泵-除TOCUV装置-抛光混床-终端保安过滤器-终端微滤-循环提升泵-终端用水点-氮封水箱预处理的作用原水箱：

主要是缓冲外网自来水供水系统检修的压力，水箱大小可取纯水系统产水量的2-3倍。多介质过滤器（MMF）:石英砂过滤器可以去除水中的颗粒杂质、悬浮物、通过加入混凝剂（PAC）可以使胶体颗粒絮凝从而降低原水的浊度（NTU）、颗粒（SS）提高原水水质。活性碳过滤器（ACF）:活性碳吸附器除具有MMF特点外，因装填有大量的表面积和很强吸附力的活性碳，对水中的游离氯吸附率达99%以上，对有机物及色度也有较高的去除率。阳床:可以将水中的溶解的钙镁离子交换出来，从而降低水的硬度。超滤（UF）:超滤是以超滤膜为过滤介质，在一定的压力下，当原液流过膜表面时，超滤膜表面密布的许多细小的微孔只允许水及小分子物质可以通过。作用和多介质过滤器一样。预处理水箱：主要是缓冲预处理系统反洗再生维修压力，水箱大小可取纯水系统产水量的2-3倍。反渗透（RO）作用RO保安过滤器：RO保安过滤器一般采用SUS304材质。经过石英砂过滤器、活性炭过滤器之后，原水中大颗粒悬浮物已基本被除去，而一些小颗粒悬浮物则没有被除去。在这里，再进行一次微滤，去除5pm以上的悬浮物，以保护RO膜不被堵塞。同时，一些活性炭细沫也被截留在反渗透系统之外。反渗透（RO）:RO系统主要是去除水中的阴、阳离子及有机物、热源和细菌等。RO系统是一种借助选择透过（半透过）性膜的功能，以压力为推动力的膜分离技术膜元件，由RO膜导流布和中心管等制作而成，将多根RO元件装入不锈钢耐压壳体内，组成RO组件。本工艺脱盐系统的关键，成熟的工艺设计和合理的操作，控制及管理，直接决定着系统的正常、稳定出水。并关系到RO膜的使用寿命，经RO系统处理后的出水，去除了绝大部分无机盐和几乎所有的有机物，微生物（细菌、热源等）从而确保了RO系统质量和品质。EDI混床（MB）作用

4mm』』曲rMtJ综合了电渗析和离子交换的优点，在4mm』』曲rMtJ综合了电渗析和离子交换的优点，在EDI设备中，进水中的各种EDI：叫离子通过树脂交换后被脱除，水得到了纯化。此时是利用离子交换原理来脱除水中的离子。由于膜对两边加有电压，水分子被电解为氢离子和氢氧根离子去再生树脂，同时，被氢离子和氢氧根离子交换下的离子在电流的作用下，被迁移到浓水室而排放，从而实现连续再生连续产水的目的。EDI比混床优势是无须用酸碱再生、无须酸碱储备和酸碱稀释运送设施、使用安全可靠,避免工人接触酸碱。节省了再生用水及再生污水处理设施。降低了运行及维护成本，占地面积小、安装简单、产水率高，连续运行、产品水水质稳定、不会因再生而停机。

混床：以阴、阳混合树脂，吸附置换水中的阴、阳离子，可制备不同电阻值得纯水。混床保安过滤器：一方面是防止混床树脂泄露污染氮封水箱，另一方面是为了过滤阻挡混床树脂使用、再生时摩擦产生的微小颗粒。一般混床保安过滤器滤径是1pmo杀菌UV：禾I」用256nm的紫外线杀死混床产水中的细菌，防止氮封水箱细菌的滋生。精处理系统泄氯谖劇K旳22血16K(ZZVP-ltiK)设烈卯亡泄氯谖劇K旳22血16K(ZZVP-ltiK)设烈卯亡02-HMPa=供氮LZZDG-'lfiR(ZZYVP-16B)氮封水箱:超纯水氮封水箱是将一定量的氮气充入密封的水箱内保证水箱一定压力，氮气是惰性气体能防止二氧化碳等其它物质溶入水中影响水质，保证水箱内的水不受二次污染而导致水质下降。除TOC紫外灯（TOCUV）:高能量紫外灯发射出185nm波长，它可激发水的光分解作用，产生具有极高能量的氢氧根离子。这些氢氧根离子会攻击有机化合物，当TOC被完全氧化时就分解成二氧化碳和水。有些有机物被分解为易氧化的酸基，这些酸基可被抛光混床很轻易地去除。抛光混床（polish）：来保证超纯水系统的终端出水水质。一般出水水质都能达到18兆欧以上，以及对TOC、SiO2都有一定的控制能力。抛光混床