版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领
文档简介
MEDICIPCEXCEED(该程序可以PC机上可见,在登陆后应接着运行命令(这个命令使得程序结果输出在指定的PC机上:setenvDISPLAYmedici命令一起运行如下: §5-2MEDICI类型结构的例子(MOSNPN)一.MEDICI应的电流连续性方程和泊松方程来分析器件。Medici也能分析单载流子起主要作用的器件,例如:MOSFET,JFET,MESFET。另外,MEDICI还可以被用来分析器件在瞬态情况下的变化。在亚微米器件模拟中,MEDICI通过联解电子和空穴的能量平应在MEDICI中都已经考虑了,并能够对他们的影响进行分析。二.MEDICIMEDICI使用了非均匀的三角形网格,可以处理具有平面和非平面表面的特殊MEDICIAVANT!的其他工艺建模软件如:TMASUPREM3SUPREM4或者是包含杂质分布的文本文件中获得,也可以在文本文件为了使模拟的结果精确,下列模型都可以被考虑进来:载流子的复合,迁移率的变化,载流子寿命,载流子的BoltzmanFermi-Dirac统计分布,部分离1.Attachlumpedresistive,capacitive,andinductiveelementstocontacts5.为了计算和频率相关的电容,电导,admittances参数,可以在任何虚拟的One-dimensionalplotsofterminal可以用来显示直流特性,例如,所加的电压,接触端的电压,终端电流,时间(adacThree-dimensionalprojuctionplotsofquantities,例如:势能,载流子的准费米三.MEDICI TSUPREM4,REGIONELECTRODEPROFILE。这些语句定义了器件的结构INTERFACE语句可以被用来说明界面层电荷,陷阱,和复合速率.CONTACT被用来说明电极边上的特殊边界条件.MODELS用来描述模拟过程中的物理模型.SYBOLIC可用来选择模拟时用的求解方法.METHOD用来对特定的求解方法选择特殊的技巧. PLOT.2D用来初始化二维图形显示平台.它的配套语句可以有 ,MEDICI的输入语句具有自由的格式,并具有下列的一些特性 这里以一个NMOS为例作了一些分析关于这个例子的描述文件放在/export/home/avant/public/study.txtFTP将这个文件下载(这是一个文本文下,然后按照前面所说的方法运行该文件。另外使用手册也放在这个目录下,有兴趣的话可以自己下载了去看(用Acrobat打开。例子如下 TMAMEDICIExample1-1.5MicronN-Channel Specifyarectangularmesh (见图够精确,EH,EHoong好的oongSA WIDTHisthewholewidth,H1isthewidthofagrid WIDTH=3.0H1=0.125 locationoflineNO.1is-0.025u,No.3is0.0u 0u-1.0uH1=0.1251u-2uH1=0.250 DEPTH=1.0H1=0.125 DEPTH=1.0 Eliminatesomeunnecessarysubstratenodes COLUMNSY.MIN=1.1 distortsource/drainoxidethicknessusing WIDTH=.625UP=1LO=3THICK=.1ENC=2 RIGHTWIDTH=.625UP=1LO=3THICK=.1 UseSPREADagaintopreventsubstrategriddistortion lineNO.4movetoY.Lo,>lineNo.4willbenotaffected UP=3LO=4Y.LO=0.125 Specifyoxideandsiliconregions nomoredescriptionmeansallreagion Electrode X.MIN=0.625X.MAX=2.375 NAME=SubstrateBOTTOM NAME=SourceX.MAX=0.5 X.MIN=2.5 Specifyimpurityprofilesandfixedcharge P-TYPEN.PEAK=3E15UNIFORM P-TYPEN.PEAK=2E16 N-TYPEN.PEAK=2E20Y.JUNC=.34X.MIN=0.0WIDTH=.5 N-TYPEN.PEAK=2E20Y.JUNC=.34X.MIN=2.5 INTERFAC GRIDmeansshow/hide FILLmeansreagionsiscolorfilledor SCALEmeanstheplotisreducedfromthespecifiedsizeinxorydirections GRIDTITLE="Example1-InitialGrid" FILLSCALE Regridon IGNORE=OXIDERATIO=2 GRIDTITLE="Example1-DopingRegrid"FILL Specifycontactparameters NAME=GateN.POLY Specifyphysicalmodelstouse CONMOBFLDMOBSRFMOB2 Symbolicfactorization,solve,regridonpotential TheSYMBOLICstatementsperformsasymbolicfactorizationinpreparationfortheLUdecompositionsinthesolutionphaseoftheprogram. ICCG POTENIGNORE=OXIDERATIO=.2MAX=1 GRIDTITLE="Example1-PotentialRegrid"FILL Impurityprofile DOPINGX.START=.25X.END=.25Y.START=0 Y.LOGPOINTSBOT=1E15TOP=1E21 TITLE="Example1-SourceImpurity DOPINGX.START=1.5X.END=1.5Y.START=0 Y.LOGPOINTSBOT=1E15TOP=1E17 TITLE="Example1-GateImpurity BOUNDREGIONTITLE="Example1-ImpurityContours"FILLSCALE DOPINGLOGMIN=16 DEL=.5COLOR=2 DOPINGLOGMIN=-16MAX=-15DEL=.5COLOR=1 Solveusingtherefinedgrid,savesolutionforlateruse DoaPoissonsolveonlytobiasthegate ICCGDAMPED UseNewton'smethodandsolveforelectrons NEWTONCARRIERS=1ELECTRON子 Rampthe V(Drain)=0.0ELEC=DrainVSTEP=.2 PlotIdsvs. Y.AXIS=I(Drain)X.AXIS=V(Drain)POINTS TITLE="Example1D-Drain LABEL="Vgs=3.0v"X=2.4Y=0.1E- Potentialcontourplotusingmostrecentsolution BOUNDJUNCDEPLFILLSCALE TITLE="Example1D-PotentialE.LINEX.START=2.3Y.START=0.02S.DELTA=-0.3+LINE.TYPE=3N.LINES(X.START,Y.START)开始画,S.DELTACONTOURPOTENTIAMIN=-1MAX=4DEL=.25 LABEL="Vgs=3.0v"X=0.2Y=1.6 LABEL="Vds=3.0v"SOLVEV(Drain)=0TSTEP=1E-18TSTOP=1E-5(SOLVE)0模拟不同于直流模拟,因而必须重新求解,在这里,设定求解时迭代的步长为TSTEP,模拟结束时间为TSTOP.PLOT.1DX.AXIS=TIMEY.AXIS=I(Drain)Y.LOGX.LOG ..TITLETMAMEDICIExample2P-NPNTransistor..COMMENTSimulationwithModifiedEmitter..COMMENTInitialmeshX.MESHWIDTH=6.0H1=0.250;网格横向宽为6u,间距为Y.MESHDEPTH=0.5H1=0.125;纵向添加深度为0.5u的网格,纵向间距为..COMMENTRegionREGIONNAME=SiliconSILICON;定义整个区域性质为REGIONNAME=OxideOXIDEY.MAX=0;定义从-0.25到0..COMMENTELECTRNAME=BaseX.MIN=1.25X.MAX=2.00Y.MAX=0.0ELECTRNAME=EmitterX.MIN=2.75X.MAX=4.25TOP;发射区电极位置定义(在整个器件ELECTRNAME=CollectorBOTTOM;集电区电极位置定义(在器件的最底部..COMMENTSpecifyimpurity..PROFILEP-TYPEN.PEAK=6e17Y.MIN=0.35..PROFILEP-TYPEN.PEAK=4e18Y.MIN=0.0X.MIN=1.25WIDTH=3.5XY.RAT=0.75;仍旧是定义基区的搀杂特性(和发射区邻接部分浓度..PROFILEN-TYPEN.PEAK=7e19Y.MIN=-0.25DEPTH=0.25X.MIN=2.75WIDTH=1.5XY.RAT=0.75;定义nPROFILEN-TYPEN.PEAK=1e19Y.MIN=2.0Y.CHAR=0.27;定义n..COMMENTRegridsonREGRIDDOPINGLOGRATIO=3SMOOTH=1IN.FILE=MDEX2DS..COMMENTExtraregridinemitter-basejunctionregion..REGRIDDOPINGLOGRATIO=3SMOOTH=1X.MIN=2.25X.MAX=4.75Y.MAX=0.50OUT.FILE=MDEX2MP..PLOT.2DGRIDSCALETITLE=”Example2PModifiedSimulationMesh”..COMMENTModifypropertiesofpolysilicon-emitterMATERIALPOLYSILITAUP0=8E-8;多晶硅中空穴的寿命保持为MODELCONMOBCONSRHAUGERBGN;定义在模拟中用到的各种物理模型,CONMOB表示使用迁..COMMENTInitialSYMBCARRIERS=0;在SYMB语句中如果设置CARRIERS=0,表示只选用POISSON方程来建模。METHODICCGDAMPEDSYMBNEWTONCARRIERS=2;在使用了零载流子模型作初步估计后,我们使用更精确的模型:....COMMENTSetuplogfiles,forwardbiasbase-emitterjunction,calculatetheadmittancematrix(导纳矩阵)at1.0....SOLVEV(Base)=0.2ELEC=BaseVSTEP=0.1..SOLVEV(Base)=0.7ELEC=BaseVSTEP=0.1AC.ANALFREQ=1E6TERM=BaseOUT.FILE=MDEX2P7步长为保存在文件中,Vb=0.8v的结果保存在文件MDEX2P8中,Vb=0.9v的结果保存在文件MDEX2P9..TITLETMAMEDICIExample2PP-NPNTransistor..COMMENTPost-ProcessingofMDEX2P..COMMENTPlotIcandIbvs...PLOT.1DIN.FILE=MDEX2PIY.AXIS=I(Collector)...+LINE=1COLOR=2TITLE=”Example2PP-Ic&Ibvs.BOT=1E-14TOP=1E-3Y.LOGPOINTS;读取LOG文件,绘制集电极电流和基极电压的关系曲线,..PLOT.1DIN.FILE=MDEX2PIY.AXIS=I(Base)Y.LOGPOINTSLINE=2COLOR=3UNCHANGE;绘制基极电流和电压的曲线图,UNCHANGE..LABELLABEL=”Ic”X=.525Y=1E-..LABELLABEL=”Ib”X=.550Y=2E-LABELLABEL=”Vce3.0vX=.75Y=1E-13..COMMENTPlotthecurrentgain(Beta)vs.collector....PLOT.1DIN.FILE=MDEX2PIX.AXIS=I(Collector)...+TITLE=”Example2PP-Betavs.Collector...+BOTTOM=0.0TOP=25LEFT=1E-14RIGHT=1E-X.LOGPOINTSCOLOR=2LABELLABEL=”Vce3.0vX=5E-14Y=23..COMMENTPlotthecutofffrequency..EXTRACTNAME=FtEXPRESS=”@G(Collector,Base)/(6.28*@C(Base,Base))”;列出截止频率的表达式,单..PLOT.1DIN.FILE=MDEX2FIX.AXIS=I(Collector)...+TITLE=”Example2FP-Ftvs.Collector...+BOTTOM=1TOP=1E10LEFT=1E-14RIGHT=1E-X.LOGY.LOGPOINTSCOLOR=2;绘制集电极电流与截止频率的关系曲线,横纵坐标均使用对LABELLABEL=”Vce3.0vX=5E-14Y=1E9..COMMENTReadinthesimulationmeshandsolutionforLOADIN.FILE=MDEX2S9;载入模拟结果文件..COMMENTVectorplotoftotalcurrentfor..PLOT.2DBOUNDJUNCSCALE...+TITLE=”Example2FP-TotalCurrentVECTORJ.TOTALCOLOR=2..LABELLABEL=”Vbe=0.9v”X=0.4LABELLABEL
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- 小学教学计划
- 2022企业工会年终总结10篇
- 人民检察院实习报告合集九篇
- 教师学期工作总结6篇
- 学生会活动策划书
- 百年孤独读后感范文
- 物流管理实训总结
- 开学第一课观后感(汇编15篇)
- 护理长期工作规划
- 五部门联合发布加强金融支持乡村全面振兴专项行动的通知乡村振兴债券再迎利好
- 新概念英语第二册33课市公开课获奖课件省名师示范课获奖课件
- GB/T 39560.2-2024电子电气产品中某些物质的测定第2部分:拆解、拆分和机械制样
- 企业国际化经营战略规划与实施方案
- 2024-2025学年统编版道德与法治一年级上册教学设计(附目录)
- 空气动力学数值方法:有限体积法(FVM):二维气体动力学方程的FVM求解
- 2024年领导干部任前廉政知识测试试卷题库及答案
- 伤口造口专科护士进修汇报
- 第5章 一元一次方程经典例题 2024-2025学年人教版七年级数学上册
- 2024年秋季国家开放大学《经济数学基础12》形考任务(1-4)试题答案解析
- 大学生体质健康标准与锻炼方法(吉林联盟)智慧树知到期末考试答案章节答案2024年东北师范大学
- 2012电池制造行业分析报告
评论
0/150
提交评论