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电子技术

——习题课三电中心蒲玉蓉第1页填空题1、在硅本征半导体中掺入五价微量元素，则形成

型半导体，其少数载流子是

。N空穴第2页填空题2、在本征半导体中掺入少许

价元素，

可形成P型半导体；PN结性质为

。3单向导通第3页填空题3、半导体中存在着两类载流子，其中带正电载流子称为

。空穴第4页填空题4、半导体中存在着两种载流子，其中带正电荷载流子叫做

，N型半导体中多数载流子是

。空穴自由电子第5页填空题5、已知图1-2电路中二极管D是抱负，则输出电压Uo=

V。3第6页填空题6、半导体三极管具有放大作用外部条件是：发射结必须

、集电结必须

。正偏反偏第7页填空题7、放大电路非线性失真

包括

和

。饱和失真截止失真第8页填空题8、工作在放大区某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA增大到2mA，则它电流放大系数β=

。50第9页填空题9、单级共射放大电路静态工作点设置过低，易出现

失真；为减小这种失真，应将基极偏置电阻RB阻值调

。截止小第10页填空题10、图1－1所示电路中，若u­i为正弦波信号，从示波器上观测到输出电压uo波形如图所示，可知该电路产生了

失真，为了减小该失真，应将电位器RB1触头向

方滑动。截止下第11页填空题11、NPN管组成单管共射放大电路中，当静态工作点Q偏

时（填高或低）,

将产生饱和失真，其输出电压波形

（填正半周期或负半周期）顶部被削平。负半周高第12页填空题12、基本共射放大电路与共集电极放大电路相比较，

电路输出电压与输入电压相位相反，

电路输入电阻大而输出电阻小。共射极共集电极第13页填空题13、为了提升功率放大器输出功率和效率，三极管应工作在

类工作状态，而为了避免交越失真，三极管应工作在

类工作状态。乙甲乙第14页填空题14、处理直接耦合放大电路中零点漂移问题办法一般是采取

放大电路。差分第15页二、选择题1、在半导体材料中，其正确说法是（）。（1）P型半导体中由于多数载流子为空穴，因此它带正电。（2）P型半导体中由于多数载流子为自由电子，因此它带负电。（3）P型半导体中由于多数载流子为空穴，因此它带正电。（4）P型半导体中由于多数载流子为自由电子，因此它带负电。（5）P型和N型半导体材料本身都不带电。D第16页二、选择题2、稳压二极管是利用二极管

特性进行稳压。A、正向导通

B、

反向截止

C、

反向击穿

D、

正向饱和C第17页二、选择题3、某放大电路中测得晶体管三个管脚电位V1=5.3V，V2=10V，V3=5V，则其【

】A、为NPN型，2管脚为e极

B、为PNP型，材料为锗C、材料为锗，1管脚为b极

D、材料为硅，3管脚为c极C第18页二、选择题4、对某放大电路一种NPN型硅管测试，测得UBE>0，UBC>0，UCE>0，则该管工作在（

）A、放大区；B.饱和区；

C.截止区；D.无法判断。B第19页二、选择题5、对某放大电路一种NPN型硅管测试，测得UBE>0，UBC<0，UCE>0，则该管工作在（

）A、放大区；B.饱和区；

C.截止区；D.无法判断。A第20页二、选择题6、对某放大电路一种NPN型硅管测试，测得UBE<0，UBC<0，UCE>0，则该管工作在（

）A、放大区；B.饱和区；

C.截止区；D.无法判断。C第21页二、选择题7、单管共发射极放大电路，输入ui为正弦波，输出电压uo底部（负半周）产生失真，则产生失真原因是

。A.静态工作点偏低；B.静态工作点偏高；C.输入信号偏小；D.晶体管β值偏小；B第22页二、选择题8、对于NPN三极管共e极放大电路，工作点不合适易引发失真，下列说法精确是

。A、工作点设置过低，易引发截止失真，则输出电压波形出现底部失真。B、工作点设置过高，易引发截止失真，则输出电压波形出现底部失真。C、工作点设置过低，易引发饱和失真，则输出电压波形出现顶部失真。D、工作点设置过高，易引发饱和失真，则输出电压波形出现底部失真。D第23页二、选择题9、有关射极输出器，下列说法正确是【

】A、输出电阻高

B、输入电压与输出电压相位相反C、输入电阻低

D、具有电压跟随作用D第24页二、选择题10、差分放大器是为了下列目标而设置【

】。A.稳定放大倍数；B.提升输入电阻；

C.克服温漂；D.扩展频带C第25页二、选择题11、射极输出器（

）A.有电流放大作用，没有电压放大作用；B.有电流放大作用，有电压放大作用；C.没有电流放大作用，没有电压放大作用；D.没有电流放大作用，有电压放大作用。A第26页二、选择题12、乙类功率放大电路特性是管子导通时间

。A、整个周期

B、半个周期C、不大于半个周期

D、大于半个周期，不大于一种周期B第27页三、计算题1、放大电路中，测得几个三极管三个电极电压U1、U2、U3分别为下列各组数值，判断它们是PNP型还是NPN型，是硅管还是锗管，并确定e，b，c。（4分）1)U1＝3.3V，U2＝2.6V，U3＝15V

2）U1＝8V，U2＝14.8V，U3＝15V第28页三、计算题2、（12分）在图所示放大电路中，已知晶体管电流放大系数β＝100，Rb=560kΩ

，RC=3kΩ

，VCC=12V，RL=3kΩ。（1）试求静态工作点；（2）计算晶体管rbe

值；（3）画出微变等效电路图；（4）计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。第29页三、计算题3、放大电路如图所示。已知晶体管T电流放大系数为β，其发射结静态压降为UBEQ，发射结动态电阻为rbe。（1）写出静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ体现式；（2）画出放大电路微变等效电路；（3）写出电压放大倍数Au

、输入电阻ri和输出电阻ro；（4）若电容断开，写出此时Au

，并简单说明CE作用。(14分)第30页三、计算题4、（14分）放大电路如图所示，已知电源电压UCC＝15V，UBEQ＝0.7V，β＝50，RB1＝80kΩ，RB2＝20kΩ，RE1＝