电子科学与技术专业

电子科学与技术专业第一篇：电子科学与技术专业电子科学与技术专业主要课程:电子线路、计算机语言、微型计算机原理、电动力学、量子力学、理论物理、固体物理、半导体物理、物理电子与电子学、微电子学等。专业实验:物理电子技术实验、光电子技术实验、半导体器件与集成电路实验等.学制:4年.授予学位:工学学士.相近专业:电子信息工程.就业方向:主要到该领域内从事各种电子材料、元器件、集成电路乃至集成电子系统和光电子系统的设计、制造和相应的新产品、新技术、新工艺的研究、开发工作.就业形势:根据有关资料统计,近几年该专业毕业生就业率在70%左右,重点名牌高校就业率在90%左右.根据对国内外电子科学与技术行业的现状和发展趋势分析，美国、西欧、日本、韩国、台湾地区的电子科学与技术产业已经步入上升轨道。中国随着市场开放和外资的不断涌入，电子科学与技术产业开始焕发活力。中国“十一五”规划的建议书将信息产业列入重点扶植产业之一，中国军事和航天事业的蓬勃发展也必然带动电子科学与技术行业的发展和内需。中国电子科学与技术产业将有一个明显的发展空间，高科技含量的自主研发的产品将进入市场，形成自主研发和来料加工共存的局面；中国大、中、小企业的分布和产品结构趋于合理，出口产品将稳步增加；高技术含量产品将向民用化发展，必然促进产品的内需和产量。随着社会需求会逐步扩大，电子科学与技术专业总体就业前景看好。毕业生面临“再学习”过程跟发达国家相比，我国目前在微电子领域的高等教育水平还比较低。清华大学微电子学研究所王志华教授在接受《中国电子报》记者采访时表示，大学工科学科研究的重要目的是解决工业界期望解决而没有解决（至少是没有解决好）的科学和技术问题，这就是工科领域的创新。因此，大学中工科学科的研究水平一定与所在国家相关工业的发展水平密切相关。如果国家相关工业水平在世界上处于落后地位，相关工程学科的研究水平整体上不可能领先世界，即便能取得一些世界领先的成果，也一定是凤毛麟角。与此相关的是，高水平工程技术的人才培养，与受教育者在大学中研究经验的积累密切相关，在工业落后的情况下，高等工程教育的整体水平不可能领先世界。我国微电子产业与教育的现状和趋势恰好印证了王教授的这个观点。在看清楚差距之后，加大对高校微电子专业科研的投入就显得尤为必要，因为高素质的人才一定是通过科研实践活动培养出来的。“这必须是国家行为。”王志华教授强调说，“高校的科研不应该是与企业竞争，大学从事的创新性研究可能会面对失败，高水平人才的培养过程中也常常要面临各种形式的失败，但这种失败所付出的社会成本比在企业中失败要小得多，这是对全社会都有利的；当然，高等院校在国家支持下所取得的科研成果应该由全社会分享。”在王志华教授看来，高等院校在工科技术人才培养方面至少应该做好两件事，第一是基础学科的教育，包括基本的数学知识、物理知识和工程知识等；第二是尽可能地为学生提供全面的工程训练。对于研究型大学，还要培养学生的创新能力。“客观地讲，要完全达到上述目标难度非常大。”王教授略带遗憾地说。中国高校的招生规模已经从1977年恢复高考时的27万人扩大到20XX年的近600万人，对于高校本科毕业生而言，中国的高等教育已经不再是当年的精英教育，高校所培养的是一般意义上的劳动者，他们在大学里掌握的是从事各种工作所需要的基本技能、继续学习所需要基础知识及思维方法。王教授认为，作为教学机构，高等院校不可能为各家企业量身定制他们所需的人才，因此，即便是具有很强专业技能的硕士毕业生，在其进入企业以后也将经历一个“再学习”的过程，这个任务，客观上需要企业自己完成。电子信息科学与技术专业本专业培养系统地掌握电子信息科学与技术的基本理论、基本知识和基本技能，受到良好的现代化电子信息系统方面的科学研究训练的高级专门人才.主要课程设置：电子科学与技术、计算机科学与技术、电子技术基础、数字系统与逻辑设计、微机原理与应用、信号与系统、信息理论与编码、电磁场与电磁波、通信原理、信息处理技术及其应用。本专业毕业生能够在电子信息科学技术、计算机科学与技术及相关领域和行业，从事研究、教学、科技开发、工程设计和管理工作。学习这个专业的基本要求：1.具有较扎实的数理基础；2.掌握电子学、信息科学、计算机科学等的基本理论、基本方法和技能；3.具有在信息的获取、传递、处理及应用等方面从事理论研究和解决实际问题的能力；4.了解电子信息学科的理论前沿、应用前景和最新发展动态，以及电子信息产业的发展状况；5.掌握文献检索、资料查询以及应用现代信息技术获取相关信息的基本方法；6.具有良好的口头和书面表达能力，以及较强撰写科学论文的能力，并能熟练运用一门外语进行沟通和交流；7.具有良好的人文素养和科学素养、较好的心理素质、较强的创新精神。主干学科：电子科学与技术、计算机科学与技术。主要课程：高等数学、工程数学、大学物理、C语言程序设计、电路理论、模拟电子技术、数字电路与逻辑设计、信号与系统、微机原理、单片机与嵌入式系统、通信电子线路、数字信号处理、信息论与编码、通信原理、可编程器件原理、DSP技术与应用、数字语音处理、数字图象处理等。主要专业实验：物理实验、电子线路实验、数字电路实验等。就业单位：国有企业、民营及私营企业，IT企业，信息与计算科学专业的毕业生进入IT企业是一个重要的就业方向，它们可以在这些企业非常高效的从事计算机软件开发、信息安全与网络安全等工作。信息产业对人才的需求首先是基本的“技能”，包括计算机编程的基本能力，要求具有良好的数据库和计算机网络的知识和使用技能，熟悉基本的软件开发平台。由于信息产业进入“应用”为主流的时代，高水平的从业人员不仅要掌握基本的“技能”，关键还要具备将实际问题提炼为计算问题以及求解该问题的能力，这正是信息与计算科学专业学生的优势所在，也是近几年来国内大型IT企业“抢购”知名高校计算数学专业毕业生的原因所在。电子信息科学与技术专业就业前景专业就业前景：这一行业的前景是十分广阔的，将来的分工也会越来越细，未来中国需要大量这方面的专业人员。目前不仅没有饱和，而且需求会越来越大。不过要有真本事，将来的竞争肯定也会越来越激烈。主要到应用光学、光电子学及相关的电子信息科学、计算机科学等领域(特别是光机电算一体化产业)从事科学研究、教学、产品设计、生产技术或管理工作。随着计算机技术广泛深入地应用于人类社会生活，以及全球信息产业的迅速崛起，二十一世纪的中国将向知识经济时代迈进，教育、科研、社会、经济等各个领域需要越来越多的信息与计算科学的人才，信息与计算科学的研究和应用将迈向更深入和更广泛的领域。可以预计，信息科学与技术在今后较长时间里仍然是极具生命力的领域。毕业生就业面宽，适应能力强，适宜到科技、教育、经济和管理部门从事科研、开发、管理及教学工作，特别是与数学、计算机应用和经济管理相关的工作，可以继续攻读数学、计算机科学、经济管理和一些相关学科的硕士学位研究生。三、基本要求本专业主要学习电子信息科学的基本理论、基本方法、基本知识，掌握扎实的电子技术与信息理论基础，具备在电子信息及相关领域内从事科学研究、应用开发的能力。毕业生应获得以下几方面的知识和能力：1.掌握较扎实的数学、物理等自然科学和一定的社会科学基础知识，具有较强的运用外语的能力；2.较系统地掌握本专业所必需的电子技术信息的基本理论与技能；3.能熟练使用计算机（包括常用语言、工具及一些专用软件）进行信息处理，具有基本的算法分析、设计能力和较强的编程能力；4.掌握必要的相关学科和相关专业的知识，包括智能信息处理、文字语音视觉图象处理、光电信息处理等领域的基本知识；5.掌握文献检索、资料查询的基本方法，具有较强的分析、解决实际问题的能力和从事科研的初步能力。预言半导体产业四大趋势第一大趋势：30年河“西”，30年河“东”。回望晶体管诞生这60年，我们可以明显看到半导体产业明显向东方迁移的趋势，特别是从80年代末开始。1987年台积电这个纯晶圆代工厂的成立，宣告着半导体制造业开始从西方向东方迁移；90年代初，三星成为全球最大的DRAM厂商，随后，再成为全球闪存的最大厂商；90年代中，台湾智原、联发科、联咏等一批IC公司从联电分离出来，吹响了东方IC公司挑战西方IC公司的号角；进入21世纪，中芯国际带动中国大陆代工业成长起来，成为另一个制造中心，并且也带动了中国IC设计业的成长；最后，德州仪器、飞思卡尔、英飞凌、LSI以及ADI等众多传统的IDM厂商转向轻资产模式，放弃独自建造45nm工厂，而分别与台积电、特许和联电等合作研制，20XX年，在集成电路诞生50周年的这一年，这些传统IDM公司的45nm产品都将亮相，但是，不是在这些IDM自己的工厂生产，而是在以上亚洲的代工厂里生产。90nm是一个转折点，当台积电等代工厂突破了这个节点后，它们已将先进工艺的大旗从IDM手中接了过来，未来，台湾晶圆代工厂在半导体工艺技术上将领先全球，并且成为全球IC产量最大的基地。虽然英特尔仍主宰着PC产业，并继续IDM模式和领导最先进的工艺，但是，半导体产业的推动力已由PC转向消费电子。展望未来，不论是在应用推动还是在技术创新上东方都将取代西方成为产业的领导着。全球半导体产业将演义30年河“西”，30年河“东”的历史大戏。第二大趋势：有更多的私募基金加入半导体行业，且IC公司之间的整合加速。半导体行业将会越来越遵循大者恒大的定律。恩智浦半导体大中华区区域执行官叶昱良指出：“私募基金加入半导体行业是一个趋势，这个趋势源起于IC公司会有愈来愈多的整合需求，基于大者恒大的定论，在IC产业通常也只有前5强才能生存。”在大者恒大定律的驱动下，会有更多半导体公司的整合。其中最值得期待的是中国台湾与大陆半导体公司之间的整合。义隆电子董事长叶仪晧指出：“因台湾没有具经济规模的市场，故不易培养出可以主导新应用的产品规格的大型OEM，而没有这些有品牌的系统厂商配合时，台湾IC设计公司新产品开发的策略，很自然地大多以跟随者为主。但中国大陆拥有广大的市场及具规模的系统厂商，所以台湾IC设计公司与大陆市场及系统公司合作是未来的趋势。”促成更多半导体公司整合的另一个重要原因是IP需求，随着半导体产业向高端SoC发展，对IP的需求巨增。但是，对于IP的获得却会越来越难。一些拥有丰富IP的半导体厂商并不希望将IP授权出去，正如NXP的叶昱良表示：“事实上，一个公司光靠授权IP是很难长期发展的，所以我们的策略是如何加快我们自己的SoC研发，并且更加灵活的和partner合作。我们拥有大量优秀的IP，我们的挑战就是如何将这些IP最快地转化为IC。”（对于ARM来说可能是例外，ARM是只靠授权获取利润获得很好发展的公司）因此，中小欧美半导体厂商之间整合也会越来越频繁。希图视鼎总裁兼CEO刘锦湘分析道：“和10年前相比，硅谷的公司生态环境发生了很大变化。很多公司相互合并，或者大公司把小公司吃掉，很多公司面临严重的生存危机。公司规模越来越大，但公司数量越来越少，每一个市场最终生存下来不会超过三个公司。”第三大趋势：欧美厂商不再轻易放弃低利润市场。未来10年，半导体产业会逐渐成为一个成熟的产业，一个微利的产业。半导体产业年增长率会从两位数降到单位数，IC总产量和总销售额会继续增加，但利润率会下降。在利润率逐渐下降的趋势下，欧美半导体厂商不再轻易放弃低利润的市场。义隆电子董事长叶仪晧说道：“以前欧美日大厂IC的毛利率如果低45%时，他们通常会放弃而渐由台湾IC设计公司取代，他们会转移到更高毛利的新兴应用市场上。但这几年杀手级的产品并不多，那些大厂不再轻易放弃，且会进行各种CostDown规划，以维持市占率及产品的毛利率，让台湾IC设计公司的竞争愈来愈辛苦。未来，随着亚洲成为全球的应用创新与消费中心，欧美厂商在该市场将与中国大陆和台湾的众多IC公司争夺一些关键领域，而利润会越来越低。最典型的将是移动多媒体处理器，也称为应用处理器。此外，模拟IC的利润也会越来越低。圣邦微电子总裁张世龙表示：“在模拟IC领域，相对技术门槛正在逐年降低。越来越多的台湾和大陆公司开始涉足这一领域。随着模拟器件市场竞争越来越激烈，传统欧美公司在模拟器件市场上越来越难以维持其竞争力，只能向更高的系统集成度发展。”第四大趋势：分久必合，合久必分。在20XX年前后，众多的半导体厂商从母公司剥离，包括英飞凌、科胜迅、杰尔、NEC、飞思卡尔以及NXP等。但是剥离出来后的独立半导体公司活得并不如预期的好，其中不少是连续多年亏损。最典型的是杰尔，不断出售产品线，最后被被LSI收购。虽然他们有着令人羡慕的技术积累与IP积累，但分离出来后，他们仍严重依赖每公司，在开拓新的大牌OEM客户方面做得并不好。其实，最重要的是，由于SoC向高系统集成发展，在开发大规模的LSI时，仍需要IC公司与OEM的紧密合作。瑞萨半导体管理(中国)有限公司CEO山村雅宏表示：“在开发大规模LSI方面，我们认为与大型OEM和服务商合作是一个方向。”瑞萨在开发3G手机芯片时就是与六家公司联合开发的，包括日本最大的电信运营商NTTDocomo和几家手机制造商。很明显，联合开发将带来IP、开发成本以及开发时间的优势。“目前半导体制造商难以独自开发领先的技术。我们必须利用过去的研发资本包括IP、与OEM合作伙伴以及第三方的关系。”因此，展望未来，大型半导体厂商与OEM会再度整合，但可能是一种松散的组合。合久必分，分久必合，这一远古的名言，用于半导体产业再合适不过。今年是“十二五”开局之年，也是集成电路产业迎来新一轮发展的大好时机，20XX年10月十七届五中全会的决议，把新一代新意技术列为七大战略性新兴产业之首，明确指出要增强科技创新能力，在核心电子器件等集成电路细分领域攻克一批核心关键技术。今年1月12日，国务院召开的常务会议研究部署进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展政策措施，会议指出，软件产业和集成电路产业是国家战略性新兴产业，是国民经济和社会信息化的重要基础，这一切充分体现了国家对集成电路产业发展的高度重视，而且继续给予大力支持。集成电路产业的战略基础地位和国家的高度重视，为产业发展营造了良好的发展环境，我们行业同仁们受到了极大的鼓舞。回首新旧世纪之交，国务院18号文的颁布，开辟了产业发展的新历程，迎来了产业历史上最好的十年的发展时期，这期间所取得的成就为产业快速发展奠定了难能可贵的基础。产业规模继续扩大，产业销售收入从20XX年仅仅186亿元到20XX年为700亿元，到20XX年现在根据预估有望实现同比增长28%以上，销售收入超过1400亿元。同时，技术创新取得进展，产业结构改善，企业在国际竞争中迅速成长，以集成电路企业为例，20XX年大家知道全球金融危机，全球集成电路产业由此深度下滑，但是在这种情况下，我们的设计业实现了近15%的正增长，09年销售收入过亿元的设计企业有40家，最高的达到41亿元。刚过去的20XX年，设计业又实现大幅度增长，过亿元的企业数量和整个设计业的销售额还将进一步大幅度增加，各种迹象表明我国集成电路设计企业在经历了成功与挫折，磨难与考验之后，正在进入快速发展阶段，他们所积累聚集的能量正在迸发出来，我们完全有信心期待更好的发展前景，我们也完全有信息期待更多的公司在众多产品的工艺技术领域有更好的发展前景。第二篇：电子科学与技术专业《半导体照明技术及其应用》课程教学大纲（秋季）一、课程名称：半导体照明技术及其应用SemiconductorLightingTechnologyandApplications二、课程编码：三、学时与学分：32/2四、先修课程:微积分、大学物理、固体物理、半导体物理、微电子器件与IC设计五、课程教学目标：半导体照明是指用全固态发光器件LED作为光源的照明，具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等显著特点，是近年来全球最具发展前景的高新技术领域之一，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明光源的革命。本课程注重理论的系统性﹑结构的科学性和内容的实用性，在重点讲解发光二极管的材料、机理及其制造技术后，详细介绍器件的光电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术，使学生学完本课程以后，能对半导体照明有深入而全面的理解。六﹑适用学科专业：电子科学与技术七、基本教学内容与学时安排：绪论（1学时）半导体照明简介、学习本课程的目的及要求第一章光视觉颜色（2学时）光的本质光的产生和传播3人眼的光谱灵敏度4光度学及其测量5作为光学系统的人眼6视觉的特征与功能7颜色的性质国际照明委员会色度学系统9色度学及其测量第二章光源（1学时）太阳月亮和行星人工光源的发明与发展4白炽灯5卤钨灯6荧光灯7低压钠灯高压放电灯9无电极放电灯10发光二极管11照明的经济核算第三章半导体发光材料晶体导论（2学时）1晶体结构2能带结构3半导体晶体材料的电学性质4半导体发光材料的条件第四章半导体的激发与发光（1学时）PN结及其特性2注入载流子的复合辐射与非辐射复合之间的竞争4异质结构和量子阱第五章半导体发光材料体系（2学时）砷化镓2磷化镓3磷砷化镓4镓铝砷5铝镓铟磷6铟镓氮第六章半导体照明光源的发展和特征参量（1学时）发光二极管的发展发光二极管材料生长方法3高亮度发光二极管芯片结构4照明用LED的特征参数和要求第七章磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长（3学时）磷砷化镓氢化物气相外延生长（HVPE）2氢化物外延体系的热力学分析3液相外延原理4磷化镓的液相外延5镓铝砷的液相外延第八章铝镓铟磷发光二极管（2学时）AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论2外延材料的规模生产问题3电流扩展4电流阻挡结构5光的取出6芯片制造技术器件特性第九章铟镓氮发光二极管（2学时）GaN生长2InGaN生长3InGaNLED4提高质量和降低成本的几个重要技术问题第十章LED芯片制造技术（3学时）1光刻技术2氮化硅生长3扩散4欧姆接触电极5ITO透明电极6表面粗化7光子晶体8激光剥离（LaserLiftoff，LLO）9倒装芯片技术垂直结构芯片技术11芯片的切割LED芯片结构的发展第十一章白光发光二极管（2学时）1新世纪光源的研制目标2人造白光的最佳化3荧光粉转换白光LED4多芯片白光LED第十二章LED封装技术（3学时）LED器件的设计2LED封装技术第十三章发光二极管的测试及可靠性（2学时）发光器件的效率2电学参数3光电特性参数——光电响应特性4光度学参数5色度学参数6热学参数（结温、热阻）7静电耐受性8LED可靠性概念9LED的失效分析10可靠性试验11寿命试验可靠性筛选例行试验和鉴定验收试验第十四章有机发光二极管（2学时）OLED4有机发光56白光OLED发展趋势和实用化预测第十五章半导体照明驱动和控制（2学时）LED驱动技术2LED驱动器LED集成驱动电路4控制技术第十六章半导体照明应用技术、市场现状和展望（1学时）1半导体照明应用产品开发原则2LED显示屏3交通信号灯4景观照明5手机应用6汽车用灯LCD显示背光源8微型投影机9通用照明光源效率和照明系统整体效率11LED外延12LED芯片技术13LED封装技术LED发光效率的发展15市场现状和预测16半导体照明发展目标八﹑教材及参考书方志烈编著，《半导体照明技术》，电子工业出版社，20XX九、参考书1、史光国编著，《半导体发光二极管及固体照明》，科学出版社，20XX2、陈元灯编著，《LED制造技术与应用》，电子工业出版社，20XX3、肖志国编著，《半导体照明发光材料及应用》，工学工业出版社，20XX4、毛兴武等编著，《新一代绿色光源LED及其应用技术》，人民邮电出版社，20XX十、考核方式：开卷考试第三篇：电子科学与技术专业描述电子科学与技术专业描述首发外贸电子科学与技术专业描述本专业培养具备物理电子、光电子与微电子学领域内宽广理论基础、实验能力和专业知识，能在该领域内从事各种电子材料、元器件、集成电路、乃至集成电子系统和光电子系统的设计、制造和相应的新产品、新技术、新工艺的研究、开发等方面工作的高级工程技术人才。业务培养要求：本专业学生主要学习数学、物理、物理电子、光电子、微电子学领域的基本理论和基本知识，受到相关的信息电子实验技术、计算机技术等方面的基本训练，掌握各种电子材料、工艺、零件及系统的设计、研究与开发的基本能力。毕业生应获得以下几方面的知识和能力：1．具有坚实的自然科学基础，较好的人文社会科学基础，并熟练掌握一门外语；2．系统地掌握本专业领域必需的较宽的技术基础理论；3．具有较强的本专业领域的实验能力，计算机辅助设计与测试能力和工程实践能力；4．了解本专业领域的理论前沿和发展动态；5．掌握文献检索、资料查询的基本方法，具有一定的科学研究和实际工作能力。主干课程电子科学与技术主要课程：电子线路、计算机语言、微型计算机原理、电动力学、量子力学、理论物理、固体物理、半导体物理、物理电子与电子学以及微电子学等方面的专业课程。主要实践性教学环节：包括电子工艺实习、电子线路实验、计算机语言和算法实践、课程设计、生产实习、毕业设计等。一般安排20XX修业年限：四年授予学位：工学学士相近专业：微电子学自动化电子信息工程通信工程计算机科学与技术电子科学与技术生物医学工程电气工程与自动化信息工程信息科学技术软件工程影视艺术技术络工程信息显示与光电技术集成电路设计与集成系统光电信息工程广播电视工程电气信息工程计算机软件电力工程与管理智能科学与技术数字媒体艺术计算机科学与技术探测制导与控制技术电气工程及其自动化数字媒体技术信息与通信工程建筑电气与智能化电磁场与无线技术首发外贸第四篇：电子科学与技术专业问卷调查问卷调查你好，我们是的学生，耽误你几分钟，做一份关于我们专业的调查报告，在此承诺对于你的答案我们会做好保密工作，谢谢你的配合。1.您的性别是？（）A.男B.女2.您现在是？（）A.已毕业工作的大学生B.正在工作的大学生C.高中毕业或仍在高中学习的准大学生3.您学的（想学的）专业是？（）A.理工科方面的B.商业方面的C.传媒新闻方面的D.医学方面的E.创意方面的F.其它方面4.您对您所学（将学）的专业的未来信心如何？（）A.很有信心，觉得自己一定可以在该专业领域取得成就B.不看好，可以以后会从事其它工作。C.顺其自然，毕业后能找到专业工作就找专业工作，找不到不在乎快专业。电子科学与技术是以电子器件及其系统应用为核心，重视器件与系统的交叉与融合，面向微电子、光电子、光通信、高清晰度显示产业等国民经济发展需求，培养在通信、电子系统、计算机、自动控制、电子材料与器件等领域具有宽广的适应能力、扎实的理论基础、系统的专业知识、较强的实践能力、具备创新意识的高级技术人才和管理人才，并掌握一定的人文社会科学及经济管理方面的基础知识，能从事这些领域的科学研究、工程设计及技术开发等方面工作。5.你对电子科学技术有一定了解么？（）A.不是很了解B.有一定的了解C.很是了解6.你身边是否有人从事通信或者电子产业的工作？（）A有B没有7.他们反响如何？（接上题，如果上题选B此题可以不解答）（）A就业情况良好，薪水也较可观B就业前景一般，薪水方面也一般。C就业前景堪忧，推荐换份新专业或工作。8.你认为如今的电子产品吸引顾客的方面是？（多选）（）A外观B功能C品牌D价格E售后服务F辅助功能G其他9.电子科学领域毕业，你认为在当下从事哪项工作会更有希望成功？（）A电子工程师B软件工程师C项目主管D质量管理E销售10.你认为发展该专业需要哪些必备的能力？（）A表达沟通技巧B英语水平C物理数学能力D动手能力E创新能力F逻辑能力G其它能力谢谢你的配合，祝你生活愉快！第五篇：电子科学与技术专业外语翻译Figure1-1】图1－1给出了在三种材料中一些重要材料相关的电阻值（相应电导率ρ≡1/δ)。However】然而锗不太适合在很多方面应用因为温度适当提高后锗器件会产生高的漏电流。Foragiven】对于给定的半导体，存在代表整个晶格的晶胞，通过在晶体中重复晶胞组成晶格。Thisstructure】这种结构也属于金刚石结构并且视为两个互相贯穿的fcc亚点阵结构，这个结构具有一个可以从其它沿立方对角线距离的四分之一处移动的子晶格（位移/4）Mostof】多数Ⅲ-Ⅴ半导体化合物具有闪锌矿结构，它与金刚石有相同结构除了一个有Ⅲ族Ga原子的fcc子晶格结构和有Ⅴ族As原子的另一个。.Forexample】例如，孤立氢原子的能级可由玻尔模型得出：式中m0代表自由电子质量,q是电荷量,ε0是真空中电导率,h是普朗克常数，n是正整数称为主量子数。Furtherdecrease】空间更多减少将导致能带从不连续能级失去其特性并合并起来，产生一个简单的带。Asshown】如图1－4（a）能带图所示，有一个大带隙。注意到所有的价带都被电子充满而导带中能级是空的Asaconsequence】结果，半满带的最上层电子以及价带顶部电子在获得动能（外加电场）时可以运动到与其相应的较高能级上Atroom】在室温和标准大气压下，带隙值硅（1.12ev）砷化镓（1.42ev）在0K带隙研究值硅（1.17ev）砷化镓（1.52ev）Thus】于是，导带的电子密度等于把N(E)F(E)dE从导带底Ec（为简化起见设为0）积分到导带顶EtopFigure1-5】图1-5从左到右示意地表示了本征半导体的能带图,态密度(N(E)~E1/2),费米分布函数,本征半导体的载流子浓度Inanextrinsic】在非本征半导体中，一种载流子类型增加将会通过复合减少其它类型的数目；因此，两种类型载流子的数量在一定温度下保持常数Forshallow】对硅和砷化镓中的浅施主,在室温下,常常有足够的热能电离所有的施主杂质,给导带提供等量的电子Weshall】我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加，这就是说，载流子的浓度的乘积p*n不等于平衡时ni*ni的值Thethermal】作热的运动单一电子可以形象的当做是原子晶格或杂质原子或其他散射中心碰撞产生的连续随即散射。就像所阐述的Whenexcess】当载流子浓度过度时就引入一个直接能隙半导体，这在电子和空穴将再直接复合时是很有可能的，因为导带底和价带顶是整队的和没有足够跃迁过能隙的额外的晶体动力Thesep-n】这些PN结是根本功能表现如整流,增幅,开关,和另外一些电路元器件Theremust】在这个PN结之间一定存在一些经过完整的数学处理将使简单的PN结的活动物理特征难理解；另一方面，在统计时，一个完整的定性分析将没用However】但是，因为结的偏压的增加导致电场的增大，导致静电流。如果我们明白这4中电流组成的本质，无论有没有偏压，一个合理的PN结理论都成立Withthe】有了前一节的背景知识，电流流动的基本特征理解起来相对简单，而这些定性的概念形成了对结中的正向和反向电流的分析性描述的基础Butinmost】但是，在大多数的p-n结型器件中，与它的面积相比，每个区域的长度是很小的，而掺杂通常是中等到重度掺杂；因此每个中性区的电阻是很小的，在空间电荷（过渡）区外，只有很小的电压降能被维持Ifthedoping】如果p区域掺杂大于1019cm-3，那么这种结构无疑就是p+-n，因为np型比pn型要小五个数量级以上。既然这种结构在科技设备上这么普遍应用，我们将在下面做更多的讨论举例来说，当空穴在Xno被电势场领域的p边在整个联接被扫射的时候，在n材料空穴分布有一个倾斜度存在，而且在n区域的空穴向结点扩散。重要的是，虽然方向相反的电流发生在结点由于载流子的漂移，这个电流由每边中间区域的两边的少数载流子流入的Theresistivity】一个好的导体电阻率数量级为10－6ohm*cm，对一个半导体而言，数量级的范围为10－3到10（6）ohm*cm，对绝缘体，可能是10（10）ohm*cm或更大Abovethe】以上费米能级，入住概率（一个状态是由一个电子）接近零，低于该标准。因此，费米能级是一种“顶面”的电子对分布，类似于一个容器一个面对面的液体Ofgreat】极重要的是漂移运动是关于载流子浓度和电场两个变量的函数，而扩散运动是关于浓度梯度一个变量的函数Therate】速率的变化密度承运人在一个点（或积累的运营商在一个地区），可以由等同于向合并的影响，交通运输，发电，并在重组这一点（或附近地区），其结果是一个延续性方程Earlyinthe1950s】早在20XX50年代，shockley提出了用附属双极来描述他新设想的器件，因为两种载流子类型在晶体管作用机理里起重要作用。相反，他描述在场效应的期间中（他所提出的就实用具体器件而言）都是单极的，因为晶体管的工作原理主要还是依赖于单种载流子类型。TheindividualBJTs】分立的双极结型晶体管通过灵活互联可形成具有一定功能的实用化电路，由此可以把含有十万个以上器件的电路集成在同一个硅芯片上。SincetheBJT】由于晶体管是一个三接线端的器件，其中一端作为输入端和输出端的公共端，其他两端独立并与对应端相联系。Itisacurious】这是一个难以理解的事实，在发射极和集电极区域的均匀掺杂，且有时也会均匀掺杂在基区突变结，现在技术越来越接近应用最简单分析的观点Inspiteofthe】尽管基极电流比较小，但它是非常重要的。因为正如我们所看到的，它是提供给共射极晶体管输入端的控制电流Forexample,inaMESFET】半导体场效应晶体管器件中必须减小栅极长度以提高截止频率，必须减少源极和漏极的接触电阻以使频率响应不受RC的限制。Therangeoflight】可见光范围近似为0.4µm到0.7µm,紫外光范围为0.01µm到0.4µm,红外光范围为0.7µm到1000µm.这章中主要感兴趣的范围是从近紫外(~0.3µm)到近红外(~1.5µm)。Toconvertthe】用下式可把波长转换为光子能量，上式中c是真空中的光速，v是光的频率，h是普朗克常数，hv是光子能量，单位为电子伏特，Therearebasically】光和固体中电子的相互作用基本上有三个过程；吸收，自发辐射和受激辐射。Thedominantoperation】发光二极管中主要的过程是自发辐射；激光器中主要的过程是受激辐射，光电探测器和太阳能电池中主要的过程是吸收。Forexample,anelectron】例如导带边的电子和价带边的空穴复合，发射一个能量为禁带宽度的光子theBJTsis】双极结型晶体管是最常用的共发射极配置，这意味着输入信号施加到基于终端，输出信号从集电极和发射极端子接线，共同投入输出端口Theepitaxialprocessoffersanimportantmeansofcontrollingthedopingprofilessothatdeviceandcircuitperformancescanbeoptimized】外延工艺提供了控制掺杂分布的重要手段，使设备和电路性能可以得到优化Undertheseconditions,anoverpressureofarsenicisestablished(1)tocausethetransportofarsenicvaportothegalliummelt,convertingitintogalliumarsenicvaportothegalliummelt,convertingitintogalliumarsenide,and(2)topreventdecompositionofthegalliumarsenidewhileitisbeingformedinthefurnace】在这种条件下，砷过压的形成（1）是使砷气体输送到镓熔体，使之从砷化镓气体转化到镓熔体，转化为砷化镓，（2）防止砷化镓在（反应炉中）合成过程中分解Thed