1+X集成电路理论复习题与参考答案

1+X集成电路理论复习题与参考答案1、在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。A、薄膜制备B、光刻C、刻蚀D、金属化答案：B在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是光刻。2、晶圆进行扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信息，确保三者的信息一致。A、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单B、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单C、MAP图、软件版本、晶圆测试随件单D、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单答案：B3、在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）。A、外延B、热氧化C、PVDD、CVD答案：A外延是在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层。4、重力式外观检查是在()环节之前进行的。A、编带B、测试C、分选D、真空包装答案：D重力式分选机设备芯片检测工艺流程：上料→测试→分选→编带（SOP）→外观检查→真空包装。5、使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度-般控制在()A、38~50°CB、20~50°CC、20~30°CD、20~38°C答案：A一般抛光区的温度控制在38~50°C(粗抛)和20~30°C(精抛)。6、在版图设计过程中，N-MOS管的源极接（），漏极接（），P-MOS管的源极接（），漏极接（）。A、地、高电位、电源、低电位B、地、高电位、GND、高电位C、地、高电位、GND、低电位D、电源、高电位、GND、低电位答案：C7、若遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是()。A、测试B、上料C、编带D、外观检查答案：C转塔式分选机的操作步骤一般为：上料→测试→编带→外观检查→真空包装。8、使用测编一体的转塔式分选设备进行芯片测试时，如果遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是（）。A、外观检查B、编带C、测试D、上料答案：B9、晶圆检测工艺中，在进行打点之前，需要进行的操作是()。A、外检B、扎针调试C、打点D、扎针测试答案：D晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。10、元器件的引线直径与印刷焊盘孔径应有（）的合理间隙。A、0.1~0.4mmB、0.2~0.4mmC、0.1~0.3mmD、0.2~0.3mm答案：B11、芯片封装工艺中，下列选项中的工序均属于前段工艺的是（）。A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边C、晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边答案：C封装工艺流程中前段工艺包括晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接以及引线键合，后段工艺则包括塑封、激光打字、去飞边、电镀以及切筋成型。12、晶向为<111>、8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度方向研磨出()。A、一个基准面B、两个基准面且呈45度角C、两个基准面且呈90度角D、定位槽答案：D8英寸的晶圆直径为200mm，当硅片直径等于或大于200mm时，往往不再研磨基准面，而是沿着晶锭长度方向磨出一小沟作为定位槽。13、封装工艺中，在完成芯片粘接后需要进行银浆固化，该环节在烘干箱中进行，一般在（）℃的环境下烘烤1小时。A、150B、200C、225D、175答案：D14、平移式分选机设备分选环节的流程是：()。A、分选→吸嘴吸取芯片→收料B、吸嘴吸取芯片→分选→收料C、吸嘴吸取芯片→收料→分选D、分选→收料→吸嘴吸取芯片答案：B平移式分选机设备测试环节的流程是：吸嘴吸取芯片→分选→收料。15、在用万用表测量晶体管、电解电容等有极性元件的等效电阻时，必须注意（）。A、选择欧姆挡位B、选择较大量程C、注意两支笔的极性D、以上都是答案：C16、晶圆进行扎针测试时，其操作步骤正确的是（）。A、输入晶圆信息→测试→清零→检查扎针情况（有异常）→异常情况处理→继续测试→记录测试结果B、输入晶圆信息→检查扎针情况（无异常）→测试→清零→继续测试→记录测试结果C、输入晶圆信息→清零→测试→检查扎针情况（无异常）→继续测试→记录测试结果D、输入晶圆信息→测试→检查扎针情况（有异常）→异常情况处理→清零→继续测试→记录测试结果答案：C17、下列说法错误的是（）。A、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项，表示在单元下建立电路图视图B、在电路编辑窗口中，利用图标栏可以快速建立、编辑电路图C、在cadence软件界面上，单击Tools菜单，选择LibraryManager命令，出现“库文件管理器”D、用户可以在库文件里新建单元，但不能在新建的单元下新建视图答案：D18、湿法刻蚀中，（）的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。A、硅B、铝C、二氧化硅D、砷化镓答案：C二氧化硅腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。19、封装工艺中，在晶圆切割后的光检中环节发现的不良废品，需要做（）处理。A、修复B、剔除C、降档D、标记答案：B20、下列对重力式分选描述错误的是（）。A、重力式分选机为斜背式双工位或多工位自动测试分选机B、可以分选BGA封装芯片C、测试方式为夹测D、重力式分选机的上料机构主要由上料槽、上料夹具和送料轨组成答案：B21、平移式分选机设备测试环节的流程是：()。A、吸取、搬运芯片→入料梭转移芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片B、入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片C、入料梭转移芯片→搬运、吹放芯片→压测→记录测试结果→吸取、搬运芯片D、搬运、吹放芯片→入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果答案：B平移式分选机设备测试环节的流程是：入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片。22、编带外观检查的步骤正确的是()。A、检查外观→归纳放置→固定卷盘→编带回料→编带固定B、归纳放置→固定卷盘→检查外观→编带回料→编带固定C、固定卷盘→归纳放置→检查外观→编带回料→编带固定D、编带固定→固定卷盘→归纳放置→检查外观→编带回料答案：B编带外观检查的步骤：归纳放置→固定卷盘→检查外观→编带回料→编带固定。23、用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通过()可以得到高纯度的四氯化硅。A、高温还原炉B、精馏塔C、多晶沉积设备D、单晶炉答案：B用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通常使用精馏法，精馏法是在精馏塔中实现的。24、该图是（）的版图。A、一位全加器B、与非门C、D触发器D、传输门答案：C25、晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般为（）分钟。A、10B、1C、20D、5答案：D26、平移式分选机设备进行芯片检测的第三个环节是()。A、分选B、上料C、测试D、外观检查答案：A平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→外观检查→真空包装。27、SOP封装的芯片一般采用()形式进行包装。A、卷盘B、编带C、料管D、料盘答案：BSOP封装因其体积小等特点，一般采用编带包装形式。28、湿度卡的作用是()。A、去潮湿物质中的水分B、可以防止静电C、起到防水的作用D、显示密封空间的湿度状况答案：D湿度卡是用来显示密封空间湿度状况的卡片。29、单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中不是物理性能检验的参数的是（）。A、直径B、外观C、电阻率D、晶向答案：C30、Cadence中库管理由高到低分别是（）。A、库-单元-视图B、库-视图-单元C、单元-库-视图D、单元-视图-库答案：A31、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用SC-2清洗液进行清洗时，可以去除的物质是（）。A、光刻胶B、颗粒C、金属D、自然氧化物答案：C32、防静电点检的目的是（）。A、检测进入车间人员的体重与身体状况B、指纹检测C、检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准D、防止灰尘或静电的产生答案：C防静电点检的目的是检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准，没有A、B、D选项所述的功能；规范着装的目的是防止人体灰尘的散落或静电的产生。33、{在扎针测试时，需要记录测试结果，根据以下入库晶圆测试随件单的信息，如果刚测完片号为5的晶圆，那么下列说法正确的是：()。}A、TOTAL=5968，PASS=5788B、TOTAL=6000，PASS=5820C、T0TAL=5820，FAIL=180D、TOTAL=5788，FAIL=212答案：B入库晶圆测试随件单中的合格数指的是除去测试不合格及外观不合格的合格数量，因此，总数TOTAL=“合格数”+“测试不良数”+“外观剔除数”，测试合格数PASS=“合格数”+“外观剔除数”，测试不合格数FAIL=“测试不良数”。所以对于片号为5的晶圆，TOTAL=6000，PASS=5820，FAIL=180。34、编带过程中，在进行热封处理后，需要进行()环节。A、芯片放入载带B、密封C、编带收料D、光检答案：C转塔式分选机进行编带的步骤是：芯片光检→载带移动→热封处理→编带收料→清料。35、使用重力式分选机进行模块电路的串行测试时，假设A，B轨道测试合格，C轨道测试不合格，芯片移动的路线是（）。A、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D合格轨道→分选梭4→不良品料管；B、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管；C、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管D、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管答案：D36、当芯片移动到气轨()时，旋转台吸嘴吸取芯片。A、首端B、中端C、末端D、任意位置答案：C当芯片移动到气轨末端时，旋转台吸嘴的升降电机到达芯片正上方，吸嘴产生一定负压将该芯片吸起，升降电机上移并后退进入旋转台，上料完成。37、平移式分选机设备进行分选时，可以根据测试结果将合格芯片分为()。A、A档B、B档C、C档D、不合格档答案：AB平移式分选机设备进行分选时，可以根据测试结果将芯片分为合格品和不合格品，其中合格的芯片根据测试条件的不同可分为A/B两档。38、封装工艺前期的晶圆研磨的主要目的是（）和（）。A、减小晶圆体积，节省空间B、提高晶圆散热性C、降低后续工艺中的设备损害和原料成本D、使晶圆表面保持光滑规整答案：BC晶圆磨片后不仅可以提高晶圆散热性，而且可以降低对切割机造成的损害以及降低引线键合和塑料封装过程中原材料成本。39、工业上用二氧化硅和碳在高温下以一定的比例混合发生置换反应得到的单质硅纯度约为98%，主要含有的杂质有()。A、FeB、AlC、BD、Cu答案：ABCD将二氧化硅和焦炭在高温下发生反应生成粗硅，此时的硅纯度约为98%，主要含有：Fe、Al、C与B、Cu等杂质。40、在进入集成电路制造车间前注意着装规范，其目的是为了防止人体、衣物等产生（）和（）对芯片造成损害。A、灰尘B、潮气C、热量D、静电答案：AD在着装方面，进入车间前都需穿戴对应的无尘衣或防静电服，其目的是为了防止人体、衣物等产生灰尘、静电对芯片造成损害。41、以下元器件属于数字电路的是（）。A、数据选择器B、定时器C、计数器D、驱动器答案：ACD42、解决铝的电迁移的方法有（）。A、可做铝铜合金B、采用三层夹心结构C、在合金化的铝中适当地添加硅D、采用“竹节状”结构答案：ABD解决铝的电迁移的方法有采用铝铜或铝铜合金、采用三层夹心结构、采用“竹节状”结构。43、封装按材料分一般可分为（）等封装形式。A、橡胶封装B、金属封装C、塑料封装D、泡沫封装E、玻璃封装F、陶瓷封装答案：BCEF按照封装材料的不同，IC封装可分为塑料封装、金属封装、陶瓷封装、和玻璃封装等，其中塑料封装为常用的封装形式，约占IC封装市场的90%。44、重力式分选机日常保养项目有（）。A、测试压座灰尘清理B、分粒区C、轨道入口D、梭子出入口的传感器维护答案：BCD45、最常用的二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液包括（）。A、氢氟酸B、氟化铵C、去离子水D、磷酸答案：ABC二氧化硅的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。为了控制反应速率不能过快，在腐蚀液中会加入氟化铵作为缓冲剂。46、在8个LED灯闪烁实验中“PB->OUT=0xff00;”表示（）。A、PB0~PB7为输出B、PB8~PB15为输出C、输出高电平，点亮LED灯D、输出低电平，点亮LED灯答案：AD47、在单片机程序装载中，使用SW串口下载程序需注意（）。A、需要在魔法棒按钮的debug中选择sw串口而不是j-linkB、需要在魔法棒按钮的outout中设置生成batch文件C、需要在魔法棒按钮的debug中选setting设置地址范围D、需要在魔法棒按钮的output中设置生成hex文件答案：BC48、切片是抛光片制备中一道重要的工序，因为这一工序基本上决定了硅片的四个重要参数，即晶向、()、()、()。A、平行度B、直径C、翘度D、厚度答案：ACD切片是抛光片制备中一道重要的工序，因为这一工序基本上决定了硅片的四个重要参数，即晶向、厚度、平行度、翘度。直径是在外形整理中的径向研磨环节确定的。49、在薄膜制备的过程中，需要检验薄膜的质量，以下属于氧化层表面缺陷的是（）。A、层错B、针孔C、斑点D、白雾答案：CD50、以下说法正确的是（）。A、编带机的上料方式与重力式分选机相似，都是根据芯片自身重力。将待装有测芯片料管推出，上料夹具夹起料管，芯片根据自身重力沿轨道下滑B、编带机的光检区运用高速高精度视觉处理技术自动检测芯片，将管脚不良或印章异常的芯片进行剔除；若光检合格，显示区则显示“OK”，反之则显示“NG”C、光检区检测不合格的芯片，会从光检区滑落至不良品料管内；而检测合格的芯片，则会由真空吸嘴自动吸取，并将其精准地放到空载带内，载带内每放置一颗芯片便会向前传送一格D、在芯片测试分选完成后，需要对合格芯片进行外观检查。所采用的方式的是机器目检，从而保证产品包装的合格率答案：ABC51、塑料封装的主要特点有（）、（）和（）。A、材料柔和，不损害芯片B、成本低廉、质量轻C、外壳坚硬防划伤D、防水、耐高温E、便于自动化生产F、工艺简单答案：BEF52、AltiumDesigner系统可以载入自定义元件库，下列是自定义元件库的是（）。A、MiscellaneousDevices.IntLibB、MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLibC、MiscellaneousConnectors.IntLibD、MotorolaAmplifierOperationalAmplifier.IntLib答案：BD53、重力式分选机的上料机构由()组成。A、料斗B、上料夹具C、气轨D、上料槽E、收料架F、送料轨答案：BDF重力式分选机的上料机构主要由上料槽、上料夹具和送料轨组成。54、在绘制总体电路图的过程中，对电路图的要求是（）。A、反映出电路的工作原理B、表现出电路各部分的关系C、清楚地反映出电路的组成D、表现出各个信号的流向答案：ABCD55、晶圆制造过程中，检测刻蚀质量的好坏，一般通过以下几个方面体现出来：（）。A、刻蚀均匀性B、图形保真度C、刻蚀选择比D、刻蚀的洁净度答案：ABCD56、整批料盘全部外观检查完后（包括电路拼零等），后续需要进行的操作是()。A、清点数量B、打印标签C、临时捆扎D、抽检答案：ABCD整批料盘全部外观检查完后（包括电路拼零等），后续需要进行临时捆扎、数量清点、打印标签、放到“已检查品货架”上等待外验人员进行抽检等操作。57、为了验证所布线的电路板是符合设计规则的，现在设计者要运行设计规则检查DesignRuleCheck(DRC)。A、正确B、错误答案：A58、以全自动探针台为例，在上片过程中，需注意花篮位置放置准确，否则有可能导致晶圆探针错位、破片。A、正确B、错误答案：A59、抽真空操作时，可以不用踩真空包装机的踏板。A、正确B、错误答案：B抽真空时，脚踩踏板进行抽真空操作。60、晶圆贴膜过程中，若晶圆背面存在颗粒物会使蓝膜和晶圆之间产生气泡。A、正确B、错误答案：A61、风淋时到达设定时间后风淋结束，风淋室自动解锁,此时可打开风淋室内门，进入车间。A、正确B、错误答案：A风淋到达设定值后,风淋室的门]自动由关闭状态变为开启，此时可打开风淋室的门进入车间。62、封装工艺中要先进行晶圆切割，根据切割工具的形式，晶圆切割的方式只有机械切割，一般采用砂轮划片的方法。A、正确B、错误答案：B63、设计相同电路的版图，全定制设计通常比半定制设计占用更多面积。A、正确B、错误答案：B64、集成电路制作工艺的车间需要定期进行除尘清扫，其可以有效减少生产环境的变化对产品质量的影响。A、正确B、错误答案：A由于车间内设备、通风、空调等的运行会逐渐带入灰尘，经过累积会使车间内的微粒数超过该车间的无尘指标，此时电路和设备易被灰尘污染、损坏，造成一定的损失，所以定期对车间进行除尘清扫是必不可少的环节，防止生产环境的变化而影响产品质量。65、输入差分对版图设计过程中，采用的是二维共质心方式设计。A、正确B、错误答案：A66、切筋成型模具上的刀片将连筋切断后，成型冲头继续下压，使管脚弯成所需的形状。A、正确B、错误答案：A67、测试夹具常见故障包括：接触不良、开路短路不良；、表面严重磨损等。（）A、正确B、错误答案：A68、调整扎针位置时，需利用要摇杆的“粗调”档位进行位置的确定。A、正确B、错误答案