水分散环境友好型纳米结构漆

国家863计划“十五”科技成果选编★第三部分、新材料★【编号0261】水分散环境友好型纳米结构漆单位：吉林大学地址长春市前进大街2699号邮编：130012联系人：张万喜、张国电话0431—5829292电子信箱sc@成果简介：该项目所研制出的产品适用于建筑、汽车、铁路、化工等工业用漆。主要采用的是水性纳米丙烯酸改性聚酯树脂作为成膜材料，采用特殊的方法聚合而成，不含乳化剂，采用氧化交联的方式成膜，使漆具有优异的耐水性及耐盐雾性并且环保。获得中国发明专利1项，申请发明专利4项。发表学术论文10篇。鉴定成果3项。其产品获得国家重点新产品证书和环保十环证书。已建成年产1000吨的水分散环境友好型纳米结构工业漆生产线2条，已建成年产1000吨的水分散环境友好型纳米结构汽车漆生产线1条，产品各项指标达到或超过国家相关行业标准，并通过了新产品的鉴定验收。提供了1000吨水分散环境友好型纳米结构漆工业化生产线的全套技术参数。已建成年产1万吨水分散环境友好型纳米结构建筑漆生产线1条。国内涂料(漆)年产量约为400多万吨，且传统的溶剂性涂料仍占58．5％以上，环保型涂料则仅占415％，并且其中大多数为建筑涂料，功能性涂料所占比例极少。我国的工业用漆年消费量，据不完全统计在270万吨左右，其中可由纳米环保型工业漆替代的可达200万吨，产值为600亿人民币左右。在石油化工、火车、船舶、冶金、五金交电、电力、等各领域具有巨大的市场应用空间和良好的产业化前景。据统计，我国年消费建筑乳胶漆100多万吨，销售额达200多亿人民币。如果用水分散环境友好型纳米结构漆替代高档乳胶漆的百分之十，就是10万吨，销售额可达20多亿人民币所以水分散环境友好型纳米结构漆拥有非常大的市场前景。【编号0262】基于纳米晶生物探针的免疫层析检测技术乙肝、艾滋病病毒检测用纳米晶免疫试纸单位：吉林大学、云南大学地址：长春市前进大街2699号亲邮编事：绍13魂00镰12油联系神人：茂杨文诞胜、对马岚震昏电话运：永04聋31乖—8殖49诚92嗽34袍电子雾信箱盟：宪ws北ya孩ng煌@打jl涝u横.蝇ed括u.烟cn浊成果屿简介风：岗课题叮采用竭新型掏纳米楼晶来仿高效喝标记泰抗原浓／抗淹体，多提升况免疫铲层析尼检测跌技术供，使盘其的概灵敏补度较步传统逃金标鞋极大践提高田，并承实现立了对慎其的成定量矿检测庄。由阔云南亡大学案、吉亮林大丈学及托昆明茧云大符生物昌技术迟有限值公司闭共同秃研制佣的改称性金焦乙肝御诊断卸试纸绪、改沈性金尚HI箱V栗-忽l朵／每2买抗体肢诊断券试纸坟、纳砍米磁视乙肝深诊断赏试纸与和纳雁米磁句HI洗V晓-结1家／占2装抗体辞诊断狸试纸验，其弄准确亏性均点在装99拆％以牧上；盈改性仙金乙劈肝试温纸的喉灵敏婶度可匀达唉0.掩5n辽g/赏ml羊,灯到国员家食蓄品药厚品监位督管由理局阅(S劣FD摊A)拢规定往的检抱测标晶准；狐改性岂金及壳磁性禁HI愁V保-尽1炕／烛2课抗体钳诊断秀试纸谷的测睛试性粒能达预到栋SF跟DA长标准郑血清射盘的饭检测森标准溪；磁世性乙毁肝诊毅断试开纸的领灵敏也度可声达救0.芹1闪n陪g信／脱ml劝，超绑过则SF迅DA锁规定要的检比测标续准。推通过懒该项兆目的工实施杰，建墨成了穷自主公创新感的集桂纳米境晶批躲量制泡备、铸抗原迅／抗俘体的剩制备乖及批吊量生浩产、挖纳米绩晶与汪抗原赖／抗腊体的氧高效淘偶联采及纳涂米晶骂免疫属试纸汪研发全生产浑的技仓术体商系，矿并形编成了典年产蛋50携g单菜克隆使抗体乓、屈10微g重苏组抗这原、旅5L愁改性攀金纳姜米晶色溶胶降、神5L馆荧光偷纳米狠晶溶摄胶及桶5L第磁性因纳米着晶溶励胶的粗生产松能力董，项效目产叼业化愧实施贫单位黑云大廉生物抵公司旦通过翻扩充选生产上设备的及改通造厂努房，厘已形洪成年饲产偿30格00射万条撕乙肝冲诊断有试纸捡的生象产能浴力。槐该课季题的鹊完成蜻，在封基于霸纳米赔晶标岩记的昼免疫马层析药检测或试纸醒研制铁生产捐方面剪为我局国创尚立了锐一套锈自主洽创新匪的知槐识产园权体非系和梁技术伞平台徐，并塑在该衫领域哀取得糕国际锤领先挎地位挎。同拦时，篇通过斩该项转目研们制开幅发的针乙肝崭、艾尚滋病禽等系硬列检肝测试辣纸将岔为重词大传职染病私、癌变症、毒心血占管等陆疾病梳、畜循禽检龟疫、逼食品代安全贿、环笑境保低护及版其它况工农芝业质助量检宪测领裤域提长供一糟类方造便快羽捷、园准确敌廉价鉴的新绒型检巧测方倍法，洽进而伯产生苏良好贸的社堵会及遥经济但效益个。送【宪编号殃02焰6寇3抗】乏蹲忘zn颤o单悠晶膜光上矩Ga挨N型基纳帝米光绿电子瓶材料闹生长肝及粘lE治D娇器件座研发御单洽位：碗南昌贷大学夜地别址：煌南昌眯市南秒京东肢路妹23纳5肌号茧邮谣编魄：卧33牙00秧47沾联系炸人：路江风滚益爷电牙话倚：脊07照91拾—8符30短56旁73御电子封信箱嚷：论Ji凡an扰gf套y0鲁91碍5@卷16助3毁．c亡om舍成果舅简介添：撒甘该课适题发珍明了僻一种惭厚度欺为盗1停纳米浅的特胀殊过凡渡层欣和一盾种特他定的替硅表老面加挺工技柱术，轰克服夹了外筑延材蹄料和蜜衬底迎之间辰巨大例的晶竹格失仅配和赏热失弹配幕玉在第普一代巧半导释体硅潜材料洒上教腥制歼备出吼高汁质量映的第脆三代季半导胖体歼Ga象N陷材料暗，成情功地眉解决酬了硅胡衬底夕上制腾备的要Ga遵N烧单晶离膜材弓料龟螺裂这腔一世罩界难已题。稠课题射组发练明了福一种聋高可蔑靠性讨LE症D疮外延而材料仆结构茧，通越过优袄化生饶长技碰术，殿制备甚了高愧质删量的息具有往纳米劲量子厉阱结虎构的盼第三勾代半茧导体骆Ga猫lN红基泡LE呈D细材料腾，攻加克了快硅衬俘底上探Ga甩N免基碍LE捆D脏可靠叮性差翼这一萄世界喘难题舰。灰课题纹组突虹破了医硅衬炸底舅Ga估N杯基邀LE纠D费外延体材料漏焊接不与转业移技挣术，拼解决熄了氮袭面疾Ca垂N农的挤欧姆积接触就技术柿，研芒制成均功光宽输出豪功率消1-津9元毫瓦千(2纵0威毫安悔)必的垂店直结抱构的程Ga互lN筐基紫诱光、喷蓝光事LE咬D盏任其稍20陡毫安妖时的重工作授电压凉小于拼3搁达5态伏赚坛5世伏反垂压时雄漏电读流小垄于0眠.1居微安轿否10秀微安籍时的吴反压那大于抵30亿伏，疲并实抛现了惭小批旬量生乳产，杰每天沈产能犬40得万只拢。挎蜜该课回题申倘请发浩明专踏利宵11皱项。垃题该课染题成蹈果已替达到去国际间领先乳水拒平。宾目前柳硅衬舰底成危本仅诸为蓝倡宝石主衬底问和碳急化硅专衬摸底的魄1近／逝10术—你1叫／恳10易0子，在牧硅衬混底上蔑制备根Ca夺N初LE就D间的生添产成邀本廊是蓝户宝石页衬底页Ga唇N鲜LE步D黎的倘1/马2年、硅梳衬底男Ca榜N温LE多D锣的1迅/4鲜，所统以硅摩衬底仓上蜡Ga乎lN如L糖ED然作为诸一条母新的额半导数体照泰明技叮术路企线，红具有寿广泛雾的发弓展空墓间和膨很强照的国海际竞柴争力疮。舍【编腥号：粒02晴64风】抽舒舒硅基朋镓氮迁固态览光源仿关键似技术搂研究坊单穴位杂：南扔昌大党学教叔育部跪发光泼材料伟与器堵件工斩程研断究中粮心剥地个址训：南召昌市绪北京咐东路婶33刘9号叠求即邮阶编茂：3纱30他02挖9级联系随人：公方文类卿亲条僵虑戴境喉战快电贞话摔：0索79似1风—词83甩25蚕57居2申电子隔信箱哥：f溪wq本@n毁cu角.e惹du辨．c经n臣成果乌简介继：出淘小由南玩昌大爸学教招育部出发光补材料见与器细件工寻程研即究中摘心承幸担的煤86橡3计痰划课京题枪“匙硅基袄镓氮惨固态复光源拴关键哥技术雷研究赞”老于2认00炭5年疗11表月2宫2日膊在武毛汉通普过了珍验收佳。该送课题难在第好一代漫半导候体材欢料硅占衬底抱上研麦制成膏功第牧三代亦半导乓体材判料氮淹化镓劣基蓝币色发帆光二捡极管挡，处掏于国缠际领寸先地纺位，极并在烫全球桨率先龟实现徒了小吉批量但生产彻。篮秆吐目前巩市场搞上出嫌售的进氮化嗓镓发榨光二肥极管赵都是姜以蓝纸宝石僵或碳渐化硅闸作为馅衬底图，其觉基本鸽专利秆分别氧为日哨美发服达国笔家所讯垄断剑。以倾第一摊代半闲导体批材料找硅作纱为衬德底生翅长氮趣化镓锁发光倡材料克是业全界的廉梦想宣，但窄因为真存在贿诸多陪难以垦克服鸟的困端难，棒全球恳许多堆研发拢机构于无功痕而返顽。南现昌大槽学教添育部叨发光龙材料闪与器询件工恭程研慰究中月心通如过近蓄二年幻的不理懈努妄力，单在科氏技部勤、教悉育部汁、信冲息产遭业部或和江典西省尽政府莫的大售力支冻持下楚，成并功地低解决胖了国鲁际上消存在般的硅繁衬底夫氮化疗镓发木光材倘料龟畜裂、愧发光俘二极趟管亮瓦度低渠、工理作电润压高丑、可洗靠性碎差等莲问题脉，研垒制的抛硅衬察底氮演化镓款发光购二极务管材停料的末质量诚和器竖件性颤能均村处于唉国际清同类枝材料步与器精件中模的领型先水杨平，窄生产庙的硅幕衬底疗蓝光扩LE绘D理6-政9毫事瓦，应达到浴了市秀场上剪蓝宝驾石或店碳化黎硅衬芳底C蝴aN尽蓝光厘LE搏D中妨等水求平，咐其中却电学乒性能妙和可忠靠性册可以刻和世策界顶音尖级滋蓝宝吧石或螺碳化秘硅衬滨底C杀aN斜发光绘器件绝媲美都。目季前产涉能达粪到了抗40昏万只璃／天立，在驶制造离成本惭、可型靠性卵等方贱面具烟有明凡显优骑势。按该产絮品的托研制时成功已，改崇变了豪日美炭等发界达国西家垄枕断L俩ED饱核心零技术距的局皱面，竟走出枕了一影条有旷我国扣特色陵的L丈ED妹发展晕之路加。拿【众编号朵02勾65凝】抓孔垮Zn烈O短规波长锹激光肥器若览干关汉键技菌术研揭究戏单泄位：像南京楼大学党地泳址：衡南京图市汉猾口路揪22棵号消拿眠邮留编杏：里21选00岗93泡联系声人：残顾书睛林秆姑畏矿数春瓦矛电非话杀：率02求5覆—这83气59距35赖54灰电子捏信箱诞：淡sl醒gu顽@池j颤lo辟nl趟in夫e阅.茄co嫁m袄成果遵简介讲：宾该项欣成果蓄发展扩了研喉制发Zn窜O笼晶体骗、薄蔽膜及颤发光拔器件颠的技插术与摩方法叠，形境成了凭一整映套具灾有自半主知叨识产太权的卫技术痛，包斗括自损行研甚制的却Zn抬O背单晶苗衬底韵、自贵行研咏制的脂Zn白O烂金属航有机聪化学盼气相序淀积纱(M古OC狗VD钞)炼系统扶、附Zn不O织材料蓬的笑MO编CV屡D无同质巾外延飘技术涂、姐Zn示O纽p型躁掺杂优原位缴控制肿技术铸与激皇活技糕术等免。提竭出了奋提高求水热们法生尖长增Zn讯O中晶体潮生长咱效率响和质症量的绳方法护与技钥术，荒通过袋将两袭块晶雕片按雨照-滔C厅面相照对拼蒙装在长一起透或直芦接在衬晶片头的-鸣C潮面涂及覆上絮一层扒金属员涂层弊，大驴大提茅高了屋晶体腔的生贩长速嫁度，雕生长炸出晶沈体杂汇质量魄优良劫的恐1禾.婆2搅英寸贸的善Zn述O关单晶返。研误制出承MO菊CV裁D哑生长谱技术播与方及法及搜相关断设备萌，成某功地打解决宣了耍MO哑CV牲D肌Zn歼O抚材料贞生长油中存面在的鸡预反士应与腿材料凶均匀驱性之辩间的森矛盾配。发随展了副低温霞缓冲搏层技蛙术，专掌握责了在洋蓝宝同石和宅硅衬剥底上梯Zn捞O两的异苍质外点延技匠术，订实现谋了较初高质衫量的句Zn锦O岗异质闹外延声。实笛现材失料了久的付n列型原捷位掺背杂控纲制，箩并较预好的洽实现能了对亲P苍型掺逼杂的翅控制柜。研瓜究了变Zn短O基基短云波长代光电滨子器夸件的指关键窄工艺呜，重漠点是授刻蚀凭、腐亲蚀控炸制与拖欧姆吼接触兰等工场艺。哈在忘Zn未O须单晶每衬底作上成拔功的侍制备肚出室信温下定发光神的拢Zn葵O私同质搅pn鲜结。傍该项趟成果薪申请瑞国家掩发明第专利酷5小项，枯发表孩论文占22锋篇，谷其中闷包括窝Ap赵pl景．饰Ph抢ys暴．抖Le庄tt男．，宋J舰．慌Ap播pl欣．槐Ph可ys笨．等难SC逃I陡论文唐14宾篇，恒被爱EI睡收录倡论文悔12保篇，而IE司EE写论文智1壁篇，安1构篇中庸国电承子学烛会传20晨02别年度柱受奖铃论文勉。被蚁SC姥I松收录恐引文很30唇篇，容其中并被国值际国吧内同冒行在交Ap庆pl护．仇Ph凭ys悔．哑Le准tt摇等刊喝物上汁引用忽22判篇暴38牧次。蚂【编郑号匙言02踏66想】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