GB/T 30656-2023碳化硅单晶抛光片

ICS29045

CCSH.83

中华人民共和国国家标准

GB/T30656—2023

代替GB/T30656—2014

碳化硅单晶抛光片

Polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2023-03-17发布2023-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T30656—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替碳化硅单晶抛光片与相比除结构调整和

GB/T30656—2014《》,GB/T30656—2014,

编辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了适用范围见第章年版的第章

a)(1,20141);

更改了术语和定义见第章年版的第章

b)(3,20143);

增加了按直径的分类见

c)150.0mm(4.2.3);

增加了直径碳化硅单晶抛光片的技术要求见第章

d)150.0mm(5);

增加了直径半绝缘型碳化硅单晶抛光片的厚度及允许偏差见

e)100.0mm(5.2);

更改了总厚度变化的要求见年版的

f)(5.2,20144.5);

增加了局部厚度变化的要求见

g)(5.2);

更改了直径碳化硅单晶抛光片的翘曲度弯曲度要求见年版的

h)100.0mm、(5.2,20144.5);

更改了电阻率的要求见年版的

i)(5.5,20144.10);

更改了微管密度的要求见年版的

j)(5.6,20144.8);

增加了工业级导电型碳化硅单晶抛光片位错密度的要求见

k)(5.7);

更改了表面质量中裂纹六方空洞肉眼可见凹坑的要求见年版的

l)、、(5.10,20144.7);

增加了崩边的要求见

m)(5.10);

增加了表面质量中可用面积比例检测面的内容见的表脚注

n)、(5.109);

更改了表面粗糙度的要求见年版的

o)(5.11,20144.5);

更改了试验方法见第章年版的第章

p)(6,20145);

更改了组批取样的要求见年版的

q)、(7.2、7.3,20146.2、6.3);

增加了检验项目见

r)(7.3);

更改了检验结果的判定见年版的

s)(7.4,20146.4);

更改了标志的内容见年版的

t)(8.1,20147.1);

更改了随行文件的内容见年版的

u)(8.5,20147.4);

更改了牌号表示方法中直径晶向角度厚度的内容见附录年版的附录

v)、、(A,2014A);

删除了摇摆曲线的检测方法见年版的附录

w)(2014B);

增加了拉曼散射法的测试步骤见

x)(B.4.2)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位北京天科合达半导体股份有限公司中国科学院物理研究所南京国盛电子有限

:、、

公司安徽长飞先进半导体有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司

、、。

本文件主要起草人陈小龙彭同华佘宗静王波刘春俊李素青郭钰娄艳芳郑红军杨建

:、、、、、、、、、、

骆红钮应喜

、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2014,。

Ⅰ

GB/T30656—2023

碳化硅单晶抛光片

1范围

本文件规定了及碳化硅单晶抛光片的牌号及分类技术要求试验方法检验规则标志

4H6H、、、、、

包装运输贮存随行文件和订货单内容

、、、。

本文件适用于生产电力电子器件射频微波器件及发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛

、LED

光片

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

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