半导体制造中常用化学品1

半导体制造过程中常用的酸名称符号用途氢氟酸HF刻蚀二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿盐酸HCl湿法清洗化学品，2号标准清洗液的一部分，用来去除硅中的重金属元素硫酸H2SO4“piranha”溶液（7份H2SO4和3份30%的双氧水）用来清洗硅片缓冲氧化层蚀刻（BOE）氢氟酸和氟化铵溶液HF/NH4F刻蚀二氧化硅薄膜（SiO2）磷酸H3PO4刻蚀氮化硅（Si3N4）硝酸HNO3用HF和HNO3的混合溶液来刻蚀磷硅酸盐玻璃（PSG）半导体制造过程中常用的碱名称符号用途氢氧化钠NaOH湿法刻蚀氢氧化铵NH4OH清洗剂氢氧化钾KOH正性光刻胶显影剂氢氧化四甲基铵TMAH正性光刻胶显影剂半导体制造过程中常用的溶剂名称符号用途去离子水DIwater广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂异丙醇IPA通用的清洗剂三氯乙烯TCE用于硅片和一般用途的清洗溶剂丙酮Acetone通用的清洗剂（比IPA更强）二甲苯Xylene强的清洗剂，也可以用来去除硅片边缘光刻胶半导体制造过程中常用的通用气体性质名称/符号用途惰性氮气/N2排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿气和残余气体，有时也作为某些淀积工艺的工艺气体氩气/Ar在硅片工艺过程中用在工艺腔体中氦气/He工艺腔气体，也用于真空室的漏气检查还原性氢气/H2外延层工艺的运载气体，也用在热氧化工艺中与O2反应生成水蒸气等氧化性氧气/O2工艺腔气体半导体制造过程中常用的特种气体性质名称/符号用途氢化物硅烷/SiH4气相沉积工艺的硅源砷化氢/AsH3n型硅片离子注入的砷源磷化氢/PH3n型硅片离子注入的磷源乙硼烷/B2H6p型硅片离子注入的硼源原硅酸四乙酯/（TEOS）Si（OC2H5）4气相沉积工艺的二氧化硅源二氯硅烷/SiH2Cl2气相沉积工艺的硅源氟化物三氟化氮/NF3等离子刻蚀工艺中的氟离子源六氟化钨/WF6金属淀积工艺的钨源四氟甲烷/CF4等离子刻蚀工艺中的氟离子源四氟化硅/SiF4等离子刻蚀工艺中的氟离子源酸性气体三氟化氯/ClF3工艺腔体清洁气体三氟化硼BF3p型硅片离子注入的硼源氯气/Cl2金属刻蚀中所用氯的来源三氯化硼/BCl3p型硅片离子注入的硼源，金属刻蚀中所用氯的来源其他氯化氢/HCl工艺腔体清洁气体和去污剂氨气/NH3工艺气体用来和SiH2Cl2反应生成淀积用的Si3N4笑气（一氧化二氮）/N2O与硅反应生成二氧化硅的氧源一氧化碳/CO用在刻蚀工艺中硅片湿法清洗化学品沾污名称配料分子式颗粒piranha（SPW）硫酸/过氧化氢/去离子水H2SO4/H2O2/H2OSC-1（APW）氢氧化铵/过氧化氢/去离子水NH4OH/H2O2/H2O有机物SC-1（APW）氢氧化铵/过氧化氢/去离子水NH4OH/H2O2/H2O金属（不含铜）SC-2（HPW）盐酸/过氧化氢/去离子水HCl/H2O2/H2Opiranha（SPW）硫酸/过氧化氢/去离子水H2SO4/H2O2/H2ODHF氢氟酸/水溶液HF/H2O自然氧化层DHF氢氟酸/水溶液HF/H2OBHF缓冲氢氟酸NH4F/HF/H2O典型的硅片湿法清洗顺序步骤目的piranha清洗有机物与金属UPW清洗（超纯水）清洗DHF清洗自然氧化层UPW清洗