常用电子元器件30385课件

2023/2/61常用电子元器件品保电子零件识别TTE2023/2/62一.电阻(RESISTOR)1.符号:2.简写代号:R3.阻值单位:OHM/Ω(欧姆)4.外观形状:标准型(散式)M型(U型)5.功用:限流,降压

带式(TAPING)F型SMD型2023/2/636.按素材不同分类:

1.炭素皮膜电阻器（浅色：淡绿色、淡蓝色、浅棕色）

2.金属膜、金属氧化膜电阻器（红色）

3.线绕电阻器（深绿色）

4.水泥电阻器

5.热敏电阻器

6.其他电阻器碳素皮膜金属膜线绕电阻水泥电阻热敏电阻2023/2/658.按精密度分类:1.一般电阻器(5%,10%,20%)2.精密电阻器(0.5%…1%,2%)2023/2/669.色码电阻器:以色码来标示电阻器的阻值大小A.色码(国际标准色码)

无色码:黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银色数字:0123456789(5%)(10%)(20%)注：金（在第三位定为0.1）银（在第三位定为0.01）2023/2/67B.一般色码电阻器:以四个色码来表示阻值大小,

误差值为5%,10%,20%.

误差色码:金\银\无色第三位码:倍数码c第二位码:有效码b第一位码:有效码a

阻值R=ab×10c

Ω2023/2/69例子:1.色码为棕黑红金的电阻器阻值R=10*102=1000Ω=1KΩR’=1000*5%=950--1050Ω误差值为5%2.色码为绿红灰棕棕的电阻器阻值R=528*101=5280ΩR’=5280*1%=5227.2—5332.8Ω误差值为1%

单位换算:1TΩ=103GΩ=106MΩ=109KΩ=1012Ω

太欧吉欧兆欧千欧欧姆(基本单位)2023/2/61010.热敏电阻:对温度变化相当敏感材料作成的电阻器

A.正温度糸数热敏电阻器

B.负温度糸数热敏电阻器随温度升高阻值变大随温度升高阻值变小阻值阻值温度温度C.功用:温度补偿,温度检知2023/2/61111.SMD电阻器(贴片电阻器):

A.阻值标示:

阻值R=10*101=100Ω

阻值R=101*102=10100Ω=10.1KΩ10110122023/2/61312.可调电阻器（电位器W）

有三个引出端，两个为固定端，一个滑动端（中心抽头）

A.半可调电阻器

B.可调电阻器2023/2/614二、电容器（CAPACITOR）1.符号:

A:*有极性电容器*E/C电解电容器*EC/LR低漏流器电解电容器*T/C钽质电容器

B:*无极性电容器*C/C陶瓷电容器*B/C基层电容器*M/C塑胶电容器＋－2023/2/615电容器（CAPACITOR）2.简写代号:C3.容量单位:*F(法拉)μF(微法)nF（纳法）

pF(皮法)

换算:*1F=106μ

F

=109nF=1012pF

（基本单位）

特性：1通直流隔交流

2充电放电

作用:1.滤波2.耦合2023/2/617电容器的种类2.钽质电容器:漏电流小,单价贵

A:符号:B:外观样式:C:特性:*有正负极性*容量:10μF*耐压:16V*精密电器使用

D:PCB上标示图形:+-+-2023/2/618电容器的种类3.陶瓷电容器(CERAMICCAPACTION)

A:符号:B:外观样式:C:特性:*无正负极性*高频傍路,消除杂讯*容量:1pF~0.1μFD:PCB上标示图形:E:容量标示:*104表示容量10*104=100000pF=0.1μF*M表示误差值±20%*默认单位为pF2023/2/619电容器的种类4.基层电容器

A:符号:B:外观样式:C:特性:*无正负极性*特性与C/C同*体积小*内部以并联方式制作

D:PCB上标示图形:E:容量标示:*503表示容量50*103=50000pF=0.05μF*J表示误差值5%2023/2/621电容器的种类6.低漏电解电容器(EC/LR)A:符号:B:外观样式:C:特性:*有正负极性*一般以橙色及黑色为外观*漏电流小

D:PCB上标示图形:E:容量标示:*220表示容量220μF*200表示耐压值200V+--+2023/2/622电容器的种类7.无极性电解电容器(CRN)

A:符号:B:外观样式:C:特性:*无正负极性*一般都以黄色为外观

D:PCB上标示图形:E:容量标示:*100u表示容量100μF*16表示耐压值16V2023/2/623电容器的种类8.温度补偿电容器(CNPO)

A:符号:B:外观样式:C:特性:*无正负极性*高频温度补偿用

D:PCB上标示图形:E:容量标示:*1n0表示容量1000pF*n10表示容量100pF1n02023/2/62510贴片电容A、无极性电容B、电解电容

容量为22μF(默认)

耐压为25V2023/2/626电容器误差值表示方法代号\容量≦10pF≧10pFB±0.1pFC±0.25pFD±0.5pFE±25%F±1pF±1%G±2%H±2.5%J±5%K±10%M±20%P-0%~+100%Z-20%~+80%2023/2/627三、电感器(INDUCTOR)1.符号:2.简写代号：L3.感量单位:H(亨利)mH(毫亨)μH(微亨)

1H=103mH=106μH

（基本单位）4.外观形状:A:电阻型小电感器(电感量μH)B:带式电感器(μH)2023/2/629中周线圈

1.结构：由磁芯、磁罩、塑料骨架和金属屏蔽壳组成贴片电感2023/2/630四、二极体(DIODE)1.半导体简介:A.半导体基本素材:四价元素----硅、锗

B.P型半导体:四价元素+三价元素三价元素:硼、锂、镓、铟、铊

C.N型半导体:四价元素+五价元素五价元素:碳、磷、砷、锑、铋*所谓四价元素就是原子核内电子排列，最外轨道只剩四个电子。*电子在各轨道排列的方式：2n2

2023/2/6312.一般二极体:A.符号:B.简写代号：DC.外观形状:IN4148(玻璃)IN4002(塑料)

D.功用:*整流*隔离*检波红色+

黑色-

黑色+

灰色-2023/2/632

E.特性曲线:Vr:顺向切入电压硅:0.6~0.8V

锗:0.2~0.3VF.编号:a.1S***:日本规格.1S133b.OA***:欧洲规格

c.1N***:美国规格.1N4003VIVRVr2023/2/633G.二极体编号与规格:编号规格编号规格1N400150V/1A1N540150V/3A1N4002100V/1A1N5402100V/3A1N4003200V/1A1N5403200V/3A1N4004400V/1A1N5404300V/3A1N4005600V/1A1N5405500V/3A1N4006800V/1A1N5406600V/3A1N40071000V/1A1N5407800V/3A1N54081000V/3A注：1N4002可以替代1N4001

但1N4001不可替代1N40022023/2/6343.稳压二极体（ZENERDIODE）A.符号：B.简写代号:ZDC.外观形状:D.特性曲线：E.功能：＊.稳压＊.截波IVZV绿色环为正极2023/2/635F.编号：

a.NEC（日本电气）编号：

EX:RD5.1EB1RD:ZENERDIODE代号

5.1：稳压中心值5.1VEB1:下限值：4.85~5.03VEB2:中间值：4.97~5.18VEB3:上限值：5.12~5.35V2023/2/636b.HITACHI（日立）编号：

EX:123

HZ5A4.3-4.54.4-4.64.5-4.7

B4.6-4.84.7-4.94.8-5.0C4.9-5.15.0-5.25.1-5.32023/2/637发光二极体（LIGHT-EMITTINGDIODE）A.符号：B.特性曲线：C.外观形状：IVrv脚长的为正极2023/2/638发光二极体（LIGHT-EMITTINGDIODE）D.LED发光基色：a.红色（钾）

b.黄色（磷）

c.绿色（钠）

E.LED发光原理：能量不灭定理是利用LED顺向导通时，由高能阶变成低能阶，其能量变化以光及热的方式散发出来，再配合不同材料，即可发出不同颜色光。

高能阶低能阶以光和热散发出来2023/2/639发光二极体（LIGHT-EMITTINGDIODE）F.功用：*.指示灯*.显示2023/2/6405.光二极体（PHOTODIODE）A.符号：B.特性:PD受到光线照射时，其漏电流会增加。C.功用：光电控制。6.S.I.R(红外线发光二极体）：

*顺向导通时，会发射红外线光波。*作用：光电控制。2023/2/641五.电晶体、三极体（Transistor）1.简写代号：*.Q*.TR2.符号与结构：

C(集电极)E(发射极)B(基极)PNPNPNC(集电极)E(发射极)B(基极)B：BASEC：COLLECTE：EMITTER2023/2/6423.外观形状：5.作用：*放大*开关2023/2/6435.电晶体编号：

A.日本规格

EX:2SA945K第一项第二项第三项第四项第五项

2SA945K2023/2/644第一项第二项第三项第四项第五项

2SA945K第一项数字的意义：

0：光电晶体光二极体

1：二极体

2：三极体如：电晶体FETSCRUJTPUT3:四极体如：双闸极FETSCSSUS…..b:第二项文字意义：

S表示半导体SEMICONDUCTOR意思。2023/2/645第一项第二项第三项第四项第五项

2SA945Kc.第三项文字意义：表示用途及极性

A:PNP高频用电晶体

B:PNP低频用电晶体

C:NPN高频用电晶体

D:NPN低频用电晶体

F:S.C.RG:P.U.TH:U.J.TJ:P通道FETK:N通道FETM:TRIAC2023/2/646第一项第二项第三项第四项第五项

2SA945Kd.第四项文字意义：表示电晶体之序号，按照厂商向日本电子电机工会登记的顺序编号.由11号开始.e.第五项文字意义：表示电晶体的放大倍数.2023/2/647六.IC(INTEGRATEDCIRCUIT)积体电路：1.依功用区分：

A.稳压IC:78**78L**B.线性IC:AFRFPA如LA3160…C.数位IC：40497490……D.微处理IC:Z8080488748—CPUE.专用IC：TT-9320,TT-9206…..2.依材料不同区分：

A.T.T.L–ICB.PMOS–ICC.NMOS–ICD.CNOS–IC2023/2/6483.外观形状:凹点处为第1脚,逆时针排列稳压IC2023/2/649七.继电器（RELAY）：1.符号:*.NC:NORMALCLOSE（常关）*.NO:NORMALOPEN（常开）*.COM:COMMON（共同点）2.外观形状：2023/2/6503.RY种类：

A.DC-RY（直流）

B.AC-RY（交流）4.RY规格：

A.线圈:DC9V12V24V….

AV110V220V..B.接点:12V/10A12V/15A24V/10A24V/15A…5.作用：作开关控制（自动控制）.6.启动电压：RY接点吸下之电压，一般为额定电压的70％.

释放电压：RY接点弹开之电压，一般为额定电压的30％.2023/2/651

八.突波吸收器：

1.符号:2简写代号:ZB3.外观形状:4.功用：用於防止过电压保护.

2023/2/652九.振荡器（CRYSTAL）：1.符号:2简写代号:XT3.外观形状:4.功用：振荡（频率高稳定性佳）陶瓷振荡器晶体振荡器2023/2/653十.喇叭（SPEAKER）:A.符号：B.简写代号:SPC.规格*OHM值：4816*W(功率)数：12W.D.外观形状：E.功用：AF信号加於两端时，发出音频声音.2023/2/654十一.嗡鸣器(BUZZER)：1.符号：2.简写代号:BZ3.外观形状：4.功用：信号加於两端时，发出共振声音2023/2/655十二.开关（SWITCH）：1.符号：2.简写代号：SW3.外观形状：4.功用：作ON/OFF控制.接触开关钮子开关直键开关